双极器件

作品数：52被引量：46H指数：4
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本征基区尺寸对双极器件总电离剂量辐射效应的影响
《半导体技术》2024年第11期1036-1042,共7页葛超洋 杨强 李燕妃 孙家林 谢儒彬 
基于标准0.18μm BCD工艺,对双极器件总电离剂量(TID)辐射效应进行了研究,提出了一种提高双极器件抗总电离剂量辐射能力的方法。理论分析表明,在标准0.18μm BCD工艺中,双极器件总电离剂量辐射的敏感区域位于浅沟槽隔离结构下方、基极...
关键词：双极器件 总电离剂量(TID)辐射 本征基区 0.18μm BCD工艺 
锗硅异质结双极器件单粒子效应与加固技术研究进展被引量：1
《微电子学》2023年第6期945-956,共12页魏佳男 张小磊 冯治华 张培健 傅婧 付晓君 
国家自然科学基金资助项目(12105252);国防科技重点实验室稳定支持项目(JZJJXN20230004-11)
锗硅异质结双极晶体管(Silicon-Germanium Heterojunction Bipolar Transistors,SiGe HBT)具有高速、高增益、低噪声、易集成等多种优势,广泛应用于高性能模拟与混合信号集成电路。同时,基区能带工程带来的优异低温特性以及良好的抗总...
关键词：SiGe HBT 单粒子效应 加固技术 影响因素 
H_(2)和H_(2)O对双极器件抗辐射性能的影响规律和机制被引量：1
《太赫兹科学与电子信息学报》2022年第9期897-902,共6页马武英 缑石龙 郭红霞 姚志斌 何宝平 王祖军 盛江坤 
国家重点实验室基金资助项目(SKLIPR1802)。
为了深入研究H_(2)和H_(2)O进入氧化层后对双极器件辐射效应的影响机制,以栅控双极晶体管为研究载体,分别开展了不同浓度H_(2)浸泡中的辐照试验和温湿度试验后的总剂量辐照试验。试验结果表明,随着氢气浸泡浓度的增加,器件的抗辐射能力...
关键词：双极器件 电离总剂量 湿度 氢 Γ射线 
一种双极型电路在空间单粒子环境下的闩锁效应
《环境技术》2022年第2期84-87,共4页彭克武 钟英俊 江军 付晓君 
本文介绍了一种双极型模拟集成电路在空间单粒子环境下的闩锁效应,打破了双极型器件单粒子闩锁免疫的传统概念,该研究主要针对双极型模拟集成电路多个器件共用一个隔离岛,形成寄生PNP,与隔离岛内NPN管形成了P-N-P-N可控硅(SCR)结构,在...
关键词：双极器件 共用隔离岛 寄生PNP P-N-P-N结构 单粒子闩锁 
DPSA双极器件中的1/f噪声特性研究
《微电子学》2021年第6期929-932,共4页邱盛 夏世琴 邓丽 张培健 
模拟集成电路国家级重点实验室基金资助项目(9140A11050315DZ34052)。
在现代高性能模拟集成电路设计中,噪声水平是影响电路性能的关键因素之一。研究了双多晶自对准高速互补双极NPN器件中发射极结构对器件直流和低频噪声性能的影响。实验结果表明,多晶硅发射极与单晶硅界面超薄氧化层以及发射极几何结构...
关键词：1/f噪声 双极器件 界面氧化层 
上市首日市值超800亿! 碳化硅第一家“A+H”企业来了
《变频器世界》2021年第9期49-50,共2页
中车电气“回A”,碳化硅和IGBT瞩目2006年,中车电气在香港联交所主板上市,而今“回A”,在上海证券交易所科创板上市,成为又一家“A+H”上市公司。中车电气的回归深受市场关注,而其IGBT领域的发展更是令人瞩目。据了解,目前,中车电气在I...
关键词：双极器件 上海证券交易所 IGBT 碳化硅 主板上市 产业化基地 
低温氧化技术优化双极器件结构及工艺的研究
《中国集成电路》2021年第6期89-93,共5页范伟宏 闫建新 冯荣杰 韩建 
双极集成电路需要在不影响器件特性的前提下通过缩小基区面积提高电路密度。利用LTO淀积SiO_(2)薄膜替代热氧化SiO_(2)薄膜,用LTO较低淀积温度进行发射区退火替代氧化退火工艺,双极器件的基区和发射区消除了"分凝"和"鸟嘴"现象,具有自...
关键词：LTO淀积 双极器件 基区 发射区 结构优化 
双极器件LPNP辐照损伤效应的并行有限元数值模拟
《系统仿真学报》2020年第12期2376-2382,共7页王芹 马召灿 李鸿亮 张林波 卢本卓 
科学挑战专题(TZ2016003);国家重点研发计划(2016YFB0201304);国家自然科学基金(21573274,11771435)。
在基于漂移扩散模型的半导体器件仿真模拟中,采用Zlamal有限元方法进行数值离散,结合提出的电离损伤耦合模型,对横向PNP(LPNP)双极晶体管(BJT,bipolar junction transistors)的电离损伤效应进行模拟。基于三维并行自适应有限元软件平台P...
关键词：Zlamal有限元 辐照损伤效应 LPNP晶体管 并行数值模拟 
平衡材料对双极器件电离总剂量效应的影响
《电子学报》2020年第11期2278-2283,共6页王涛 王倩 何承发 荀明珠 买买提热夏提·买买提 雷琪琪 孙静 
国家自然科学基金(No.11765022);中科院西部之光(No.2017-XBQNXZ-B-008)。
本文选择贴片式NPN双极器件作为研究对象,采用在器件辐照试验时设置平衡材料的方法,通过对器件辐照敏感电参数的测量,研究平衡材料对双极器件电离总剂量效应的影响程度.结果表明:在器件辐照试验时设置平衡材料,器件的敏感电参数电流增...
关键词：电离总剂量效应 平衡材料 电流增益 次级电子平衡 
不同顺序中子/γ辐照对双极器件电流增益的影响被引量：2
《强激光与粒子束》2020年第4期104-109,共6页王凯 吕学阳 吴锟霖 冯加明 范晓强 李俊杰 杨桂霞 鲁艺 邱东 邹德慧 
国家自然科学基金项目(11605169)
利用CFBR-Ⅱ快中子反应堆(中国第二座快中子脉冲堆)和60Co装置开展不同顺序的中子/γ辐照双极晶体管的实验。在集电极-发射极电压恒定条件下,测量了双极晶体管电流增益随集电极电流的变化曲线,研究不同顺序中子/γ辐照对双极晶体管电流...
关键词：双极晶体管 中子 γ射线 电流增益 集电极电流 
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