邹德慧

作品数：23被引量：65H指数：5
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供职机构：中国工程物理研究院核物理与化学研究所更多>>
发文主题：中子半导体探测器中子注量能谱双极晶体管更多>>
发文领域：核科学技术电子电信理学机械工程更多>>
发文期刊：《科学技术与工程》《核电子学与探测技术》《核动力工程》《同位素》更多>>
所获基金：国家自然科学基金中国工程物理研究院科学技术发展基金中国地质调查局地质调查项目中国工程物理研究院核物理与化学研究所科技创新基金更多>>
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不同顺序中子/γ辐照对双极器件电流增益的影响被引量：2
《强激光与粒子束》2020年第4期104-109,共6页王凯 吕学阳 吴锟霖 冯加明 范晓强 李俊杰 杨桂霞 鲁艺 邱东 邹德慧 
国家自然科学基金项目(11605169)
利用CFBR-Ⅱ快中子反应堆(中国第二座快中子脉冲堆)和60Co装置开展不同顺序的中子/γ辐照双极晶体管的实验。在集电极-发射极电压恒定条件下,测量了双极晶体管电流增益随集电极电流的变化曲线,研究不同顺序中子/γ辐照对双极晶体管电流...
关键词：双极晶体管 中子 γ射线 电流增益 集电极电流 
双极晶体管中子注量探测器的标定被引量：1
《强激光与粒子束》2018年第9期154-159,共6页冯加明 邹德慧 范晓强 葛良全 吴琨霖 罗军益 孙文清 艾自辉 
国家自然科学基金青年基金项目(11605169)
双极晶体管经中子辐照后会引起直流增益退化,在109~1016cm-2的注量范围内,其直流增益倒数变化与辐照中子注量呈线性关系。对直流增益退化的双极晶体管进行高温退火,能使受到辐射损伤的双极晶体管性能恢复。鉴于此,将双极晶体管进行逆向...
关键词：双极晶体管 中子注量探测器 损伤常数 高温退火 标定技术 
双极晶体管中子辐照后的高温退火特性被引量：2
《科学技术与工程》2017年第12期179-183,共5页邹德慧 荣茹 邱东 艾自辉 鲁艺 吕学阳 范晓强 
利用硅双极晶体管在线监测中子注量,其直流增益和损伤常数是作为探测器指标的重要参数。高温退火可使受到中子辐照的双极晶体管性能部分恢复,进而可以重复使用。开展高温退火特性研究,分析双极晶体管直流增益的恢复程度以及损伤常数的...
关键词：双极晶体管 中子注量 高温退火 直流增益 损伤常数 
等效中子注量在线测量系统的研制工艺被引量：1
《现代应用物理》2016年第4期7-11,共5页荣茹 邹德慧 鲁艺 邱东 范晓强 
分析了等效中子注量在线测量系统研制的要素,确定了探测器制作、连接、退火、数据采集等关键工艺,研制了等效中子注量在线测量系统,实现了探测器的小型化以及多路测量。经实验验证,该系统的中子注量测量结果与用活化箔法测量的结果吻合。
关键词：等效中子注量 探测器 双极晶体管 
微结构半导体中子探测器研制被引量：1
《核电子学与探测技术》2016年第5期521-524,537,共5页吴健 蒋勇 李俊杰 温左蔚 甘雷 李勐 邹德慧 范晓强 
国家自然科学基金(11205140;11475151);中国工程物理研究院科学技术发展基金(2015B0103009)资助
微结构半导体中子探测器具备探测效率高、响应时间快、体积小等优点,性能相对传统平面型半导体中子探测器有本质提升。采用蒙卡方法分析了器件微结构参数对沟槽型微结构探测器的性能影响规律,并结合工艺条件制备出沟槽宽度26μm,沟槽间...
关键词：微结构中子探测器 MC模拟 半导体探测器 
快中子临界装置辐射损伤等效性实验测量
《太赫兹科学与电子信息学报》2015年第6期1000-1004,1008,共6页邹德慧 周静 邱东 鲁艺 荣茹 李俊杰 
中国工程物理研究院中子物理学重点实验室基金资助项目(2013BC01)
CFBR-Ⅱ堆是中子辐照实验指定模拟辐射源,某快中子临界装置在辐射效应研究中的作用越来越重要,为了准确评价利用上述平台开展的辐射效应研究结果,需要确定二者的辐射损伤等效系数。利用双极晶体管直流增益倒数与中子注量的线性关系,开...
关键词：辐射效应 等效 注量 能谱 
沟槽型硅微结构中子探测器的蒙特卡罗模拟研究被引量：3
《强激光与粒子束》2015年第8期204-209,共6页吴健 甘雷 蒋勇 李俊杰 李勐 邹德慧 范晓强 
国家自然科学基金项目(11205140;11475151);中国工程物理研究院中子物理学重点实验室基金项目(2013AC01;2013BC01);中国工程物理研究院核物理与化学研究所科技创新基金(2011CX02)
采用蒙特卡罗模拟方法研究了微结构参数、填充致密度等因素对沟槽型微结构半导体中子探测器(MSND)性能的影响规律,并开展了沟槽型MSND的优化设计研究。研究表明,随着沟槽间距的增加,MSND的探测效率呈下降趋势;当沟槽间距固定时,存在最...
关键词：微结构中子探测器 中子探测 硅探测器 
快中子临界装置大厅辐射屏蔽门研制及性能验证被引量：1
《同位素》2015年第2期98-106,共9页邹德慧 杜金峰 尹延朋 范晓强 杨成德 周静 
为提升快中子临界装置的实验能力,在实验大厅旁边扩建了附属建筑物,在实体连接位置形成了一个样品传输通道。为了保证工作人员的辐射安全,需要对通道进行屏蔽。采用蒙特卡罗方法进行屏蔽门的物理设计,确定了含硼石蜡为中子屏蔽材料,不...
关键词：快中子临界装置 屏蔽门 中子 光子 分层分次工艺 
中子辐射损伤等效性研究进展被引量：1
《同位素》2015年第1期54-64,共11页邹德慧 邱东 许波 周静 
中国工程物理研究院中子物理学重点实验室资助课题(2013BC01)
为建立不同辐射源损伤评价的统一标准,制定武器抗中子辐射性能考核及验收的依据,国内外确定了中子辐射损伤等效标准源,开展了大量的等效性研究工作。本文从位移损伤函数、辐射源能谱以及二者的结合关系方面梳理了理论研究进展。从基本...
关键词：中子辐射损伤 等效系数 损伤函数 能谱 损伤常数 
基于4H-SiC的高能量分辨率α粒子探测器被引量：6
《强激光与粒子束》2015年第1期151-154,共4页吴健 蒋勇 甘雷 李勐 邹德慧 荣茹 鲁艺 李俊杰 范晓强 雷家荣 
国家自然科学基金项目(11205140,11475151);中国工程物理研究院中子物理学重点实验室资助课题(2013AC01,2013BC01);中国工程物理研究院核物理与化学研究所科技创新基金项目(2011CX02)
为突破传统半导体核探测器耐高温与抗辐照性能不足的瓶颈,采用4H-SiC宽禁带半导体材料研制了4H-SiC探测器,并研究其构成的探测系统对α粒子的能量分辨率和能量线性度。所研制4H-SiC探测器漏电流低,当外加反向偏压为200V时,其漏电流仅14....
关键词：能量分辨率 半导体探测器 碳化硅 
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