张培健

作品数：10被引量：5H指数：2
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供职机构：中国电子科技集团公司第二十四研究所更多>>
发文主题：NPN多晶硅发射极多晶MOSFET热载流子更多>>
发文领域：电子电信核科学技术理学更多>>
发文期刊：《微电子学》《核技术》更多>>
所获基金：模拟集成电路国家重点实验室开放基金国家自然科学基金模拟集成电路重点实验室基金更多>>
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硅基超薄柔性芯片的力学和电学特性研究进展
《微电子学》2023年第3期472-482,共11页洪敏 陈仙 徐学良 唐新悦 张正元 张培健 
重庆市自然科学基金面上项目(CSTB2022NSCQ-MSX0254)
全面综述了硅基超薄柔性芯片在单轴弯曲应力下的力学和电学特性研究进展,包括弯曲形变的测试方法及应力计算公式,弯曲应力对器件及单元电路响应特性的影响,以及考虑应力效应的器件建模方法。弯曲应力会导致MOSFET的迁移率、阈值电压、...
关键词：超薄柔性芯片 弯曲应力效应 MOSFET 压阻系数 器件建模 
新一代超高速SiGe BiCMOS工艺研究进展
《微电子学》2023年第2期272-285,共14页马羽 张培健 徐学良 陈仙 易孝辉 
国防科技工业抗辐照应用技术创新中心创新基金资助项目(KFZC2020020702);重庆市博士后特别资助项目(YBSH2103)。
综述了近年来国际上SiGe BiCMOS工艺的最新研究成果和工艺量产情况,具体展现和讨论了不同机构所研发的器件结构、工艺流程及其性能,并且展望了器件及工艺进一步优化的方向。虽然目前传统的双多晶自对准选择性外延基区结构实现了最佳的...
关键词：SiGe BiCMOS SiGe HBT 高频性能 工业量产 
混合模式电应力损伤对SiGe HBT器件1/f噪声特性的影响研究
《微电子学》2022年第5期905-909,共5页马羽 唐新悦 罗婷 易孝辉 张培健 
国防科技工业抗辐照应用技术创新中心创新基金资助项目(KFZC2020020702)。
研究了混合模式应力损伤对SiGe HBT器件直流电性能的影响,对比了混合模式损伤前后器件1/f噪声特性的变化。结果表明,在SiGe HBT器件中,混合模式损伤在Si/SiO_(2)界面产生界面态缺陷P_(b),导致小注入下基极电流增加;H原子对多晶硅晶界悬...
关键词：1/f噪声 SiGe HBT 热载流子 界面态 混合模式损伤 
DPSA双极器件中的1/f噪声特性研究
《微电子学》2021年第6期929-932,共4页邱盛 夏世琴 邓丽 张培健 
模拟集成电路国家级重点实验室基金资助项目(9140A11050315DZ34052)。
在现代高性能模拟集成电路设计中,噪声水平是影响电路性能的关键因素之一。研究了双多晶自对准高速互补双极NPN器件中发射极结构对器件直流和低频噪声性能的影响。实验结果表明,多晶硅发射极与单晶硅界面超薄氧化层以及发射极几何结构...
关键词：1/f噪声 双极器件 界面氧化层 
先进MOSFET中1/f噪声研究进展被引量：1
《微电子学》2021年第3期390-398,共9页马婷 任芳 夏世琴 廖希异 张培健 
国防科技工业抗辐照应用技术创新中心创新基金资助项目(KFZC2020020702)。
全面综述了先进金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的1/f噪声研究进展。界面态、器件结构、材料缺陷、量子效应等诸多因素均会影响1/f噪声。随着工艺尺寸的持续缩小和高k介质材料的应用,以及热载流子效应、辐照损伤等因素的影响,MOS...
关键词：1/f噪声 MOSFET 高k介质 热载流子 辐照损伤 
机械应力对双极晶体管β的影响研究
《微电子学》2021年第3期399-403,共5页刘勇 刘建 张培健 王飞 肖添 
在芯片制造工艺过程中,机械应力对纵向NPN管共射电流增益β有很大影响。通过对上方第二层铝开槽可使β值回升。在第一层铝与第二层铝间的IMD层中加入压应力Si3N4膜,尺寸最大的NPN管的β恢复正常,而其他尺寸的NPN、PNP管的β均有不同程...
关键词：双极晶体管 电流放大系数 应力 应变 能带 
双极晶体管发射极电阻的提取方法及应用研究
《微电子学》2019年第2期164-167,共4页邱盛 王文捷 王健安 张培健 
以双多晶自对准互补双极器件中NPN双极晶体管为例,阐述了发射极电阻提取的基本原理和数学方法。在大电流情况下,NPN管的基极电流偏离理想电流是发射极串联电阻效应引起的。该提取方法综合考虑了辐照过程中NPN管的电流增益退化特性,分析...
关键词：多晶硅发射极 发射极电阻 总剂量辐照 电流增益退化 
发射极尺寸对双多晶自对准双极晶体管剂量率效应的影响
《核技术》2018年第11期44-48,共5页刘默寒 陆妩 贾金成 施炜雷 王信 李小龙 孙静 郭旗 吴雪 张培健 
模拟集成电路国家重点实验室基金(No.0C09YJTJ1503);国家自然科学基金(No.U1630141)资助~~
为了研究发射极尺寸对双多晶自对准NPN型双极晶体管电离辐射剂量率效应的影响,对不同发射极尺寸双多晶自对准NPN双极晶体管在高低剂量率辐照条件下进行了辐照实验,在实验数据基础上对其损伤特性以及损伤机理进行的分析表明,高低剂量率...
关键词：双多晶自动准 NPN晶体管 发射极尺寸 剂量率效应 
多晶硅发射极NPN管的辐射效应研究被引量：3
《微电子学》2018年第4期520-523,528,共5页陈光炳 张培健 谭开洲 
模拟集成电路重点实验室基金资助项目(0C09YJTJ1503)
为了研究多晶硅发射极双极晶体管的辐射可靠性,对多晶硅发射极NPN管进行了不同偏置条件下^(60)Coγ射线的高剂量率辐照试验和室温退火试验。试验结果表明,辐射后,基极电流I_B显著增大,而集电极电流I_C变化不大;反偏偏置条件下,I_B的辐...
关键词：多晶硅发射极 NPN管 辐照偏置 60Coγ射线 辐射损伤 
双多晶自对准NPN管的总剂量辐射效应研究被引量：2
《微电子学》2018年第1期120-125,共6页贾金成 陆妩 吴雪 张培健 孙静 王信 李小龙 刘默寒 郭旗 刘元 
模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目(0C09YJTJ1503);国家自然科学基金联合基金资助项目(U1630141);国家自然科学基金青年科学基金资助项目(11605283);中科院西部之光基金资助项目(2016-QNXZ-B-7)
对国产先进互补双极工艺制作的双多晶自对准(DPSA)结构的NPN管进行了高、低剂量率的^(60)Co-γ源辐射实验。在总剂量辐射前后以及室温退火后,分别采用移位测试方法,研究了基极电流、集电极电流、电流增益等参数的变化规律。结果表明,DPS...
关键词：双多晶自动准 NPN管 ^60CO-Γ辐射 辐射损伤 
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