陈光炳

作品数：22被引量：31H指数：3
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供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
发文主题：比较器电路采样开关逐次逼近型模数转换器模数转换器更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术文化科学电气工程更多>>
发文期刊：《微电子学》《半导体技术》《激光杂志》《固体电子学研究与进展》更多>>
所获基金：模拟集成电路国家重点实验室开放基金国家自然科学基金模拟集成电路重点实验室基金北京市教委科技发展计划更多>>
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采用数字辅助预失真校准技术的14位2.4 GHz DDS
《激光杂志》2020年第4期125-129,共5页李皎雪 张瑞涛 张俊安 陈光炳 
重庆市科技局项目(No.cstc2018jszx-cyztzx0049,cstc2018jszx-cyztzx0204)。
描述了一款采用0.18μm CMOS工艺的14位2.4 GHz DDS芯片。该芯片内部集成14位2.4 GHz DAC将DDS数字波形转化为模拟波形输出。为了降低对DAC性能的设计要求,采用了数字辅助预失真校准技术来改善DDS模拟输出的动态性能。测试结果显示,在2....
关键词：直接数字频率合成器 数字辅助预失真校准技术 
衬底电压自举结构的10位120 MS/s SAR ADC
《微电子学》2018年第6期722-727,共6页陈光炳 徐代果 李曦 
模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目(0C09YJTJ1603)
基于采样管衬底电压自举结构,提出了一种高线性低阻抗采样开关技术。在保证采样开关等效输入阻抗较小的同时,实现了采样开关的源/漏极与衬底之间的寄生电容不随输入信号幅度的变化而变化;减小了动态比较器输入管的等效导通电阻,提高了...
关键词：衬底电压自举 高线性低阻抗开关 高速低噪声比较器 
高性能低功耗SAR A/D转换器技术发展动态被引量：1
《微电子学》2018年第6期784-790,801,共8页陈光炳 
模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目(0C09YJTJ1603)
基于国际公开发表的逐次逼近型A/D转换器(SAR ADC)技术论文,总结了不同架构下高性能SAR结构A/D转换器的技术特点。分析了SAR ADC中主要模块的关键技术,包括高速高线性采样开关技术、高速低功耗比较器技术、高速旁路SAR逻辑技术,以及相...
关键词：SAR结构A/D转换器 低功耗 高性能 
多晶硅发射极NPN管的辐射效应研究被引量：3
《微电子学》2018年第4期520-523,528,共5页陈光炳 张培健 谭开洲 
模拟集成电路重点实验室基金资助项目(0C09YJTJ1503)
为了研究多晶硅发射极双极晶体管的辐射可靠性,对多晶硅发射极NPN管进行了不同偏置条件下^(60)Coγ射线的高剂量率辐照试验和室温退火试验。试验结果表明,辐射后,基极电流I_B显著增大,而集电极电流I_C变化不大;反偏偏置条件下,I_B的辐...
关键词：多晶硅发射极 NPN管 辐照偏置 60Coγ射线 辐射损伤 
一种基于电容匹配算法的低噪声SAR ADC设计被引量：2
《微电子学》2014年第5期573-577,共5页徐代果 陈光炳 刘涛 
设计了一个12位,采样速率为120kS/s的SAR ADC。提出了一种12位精度下,能在电容面积和精度之间进行折中的算法,使得电容的整体面积、速度和功耗达到优化。通过对比较器的设计,解决了在噪声环境下,影响比较器性能的电荷注入、带宽、转换...
关键词：SAR ADC 电容匹配 低噪声比较器 
半导体器件的长期贮存失效机理及加速模型被引量：6
《微电子学》2013年第4期558-563,571,共7页罗俊 向培胜 赵胜雷 王毅 刘涛 陈光炳 
模拟集成电路重点实验室基金资助项目(9140C090406120C09037)
加速应力试验是评价长期贮存一次性使用半导体器件贮存可靠性的最重要途径之一。针对半导体器件不同的失效机理,选择合理、准确的加速应力模型,是定量分析半导体器件贮存寿命的基础。介绍了半导体器件在长期贮存时的主要失效机理及其加...
关键词：半导体器件 长期贮存 失效机理 加速应力模型 
具有ESD防护及过流保护功能的VDMOS设计
《半导体技术》2012年第8期612-616,共5页何建 谭开洲 陈光炳 徐学良 王建安 谢家雄 任敏 李泽宏 张金平 
提出了一种芯片集成实现ESD防护及过流保护功能的VDMOS器件设计。在对电流采样原理分析的基础上,提出了一种适用于功率器件的局域电流采样方法及对应的过流保护电路结构,该方案具有结构简单、低功耗的特点。利用反向串联多晶硅二极管实...
关键词：垂直导电双扩散场效应晶体管(VDMOS) 过流保护 静电放电(ESD) 功率器件 可靠性 
VDMOS过温保护功能的实现被引量：1
《微电子学》2012年第3期352-355,共4页何建 谭开洲 徐学良 王健安 陈光炳 刘小龙 任敏 李泽宏 张金平 
提出一种内部集成过温保护功能的VDMOS器件。对传统过温保护原理进行了分析,在此基础上,提出了一种适用于功率器件过温保护的改进电路结构。仿真结果表明,该器件在温度超过174℃时实现自关断,在温度降回142℃时实现自重启。该温度迟滞...
关键词：VDMOS 过热保护 可靠性 热滞回 
特种器件厚外延前后图形转移方法研究
《微电子学》2011年第6期914-917,共4页唐昭焕 任芳 谭开洲 杨发顺 王斌 刘勇 陈光炳 
国家重大基础研究基金资助项目(Y61398)
提出了一种特种器件厚外延前后图形的转移方法。通过设计一块带外延前图形层的对位标记和投影光刻机识别标记的掩膜版,解决了厚外延之前图形的精确套准和厚外延之后投影光刻的难题,实现了厚外延前后的套刻精度高于0.5μm。该方法可广泛...
关键词：特种器件 厚外延 图形转移 VDMOS 超结 
SiGe HBT高频噪声特性研究被引量：2
《半导体技术》2007年第5期394-396,405,共4页高攀 张万荣 谢红云 邱建军 沙永萍 金冬月 张静 张正元 刘道广 王健安 徐学良 陈光炳 
国家自然科学基金项目(60376033);北京市教委科技发展计划项目(KM200710005015);模拟集成电路国家重点实验室基金项目(51439010804QT0101)
对SiGe HBT的高频噪声进行了模拟。频率f、载流子正向延迟时间τF、集电极电流等因素都对高频噪声有影响。当频率高于高频转角频率时,最小噪声系数NFmin随着频率的增大而线性增大,而不是与f2成正比关系,且NFmin随着集电极电流的增大先...
关键词：硅锗 异质结双极型晶体管 高频噪声 
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