王建安

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供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
发文主题：场效应管ESD防护ESDVDMOS压控更多>>
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具有ESD防护及过流保护功能的VDMOS设计
《半导体技术》2012年第8期612-616,共5页何建 谭开洲 陈光炳 徐学良 王建安 谢家雄 任敏 李泽宏 张金平 
提出了一种芯片集成实现ESD防护及过流保护功能的VDMOS器件设计。在对电流采样原理分析的基础上,提出了一种适用于功率器件的局域电流采样方法及对应的过流保护电路结构,该方案具有结构简单、低功耗的特点。利用反向串联多晶硅二极管实...
关键词：垂直导电双扩散场效应晶体管(VDMOS) 过流保护 静电放电(ESD) 功率器件 可靠性 
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