张金平

作品数：23被引量：57H指数：5
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发文主题：导通压降功率半导体器件关断损耗槽栅半导体功率器件更多>>
发文领域：电子电信一般工业技术电气工程金属学及工艺更多>>
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碳化硅超结器件的研究进展
《机车电传动》2023年第5期36-45,共10页张金平 张琨 陈伟 汪婕 张波 
广东省基础与应用基础研究基金项目(2023A1515010068)。
碳化硅(SiC)材料由于其出色的物理和化学特性,非常适用于制造高温和大功率半导体器件。虽然SiC功率二极管和金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)展示了出色的器件性能,并获得广泛的应用,但是其单极型器件的一维理论极限仍限制了传...
关键词：碳化硅 超结 二极管 金属-氧化物-半导体场效应晶体管 研究进展 
超结IGBT的结构特点及研究进展被引量：1
《机车电传动》2021年第5期12-20,共9页张金平 肖翔 张波 
国家重点研发计划项目(2018YFB1201802);中国博士后科学基金项目(2020M682607)。
随着绝缘栅双极型晶体管(IGBT)技术的发展,目前主流的场截止型结构越来越接近其理论极限。超结被誉为"功率MOS的里程碑",近年来也被引入IGBT以进一步提升器件性能。超结IGBT结合了场截止型IGBT和超结结构的优点,可在更短漂移区长度下实...
关键词：超结 绝缘栅双极型晶体管 结构特点 研究进展 
功率VDMOS器件封装热阻及热传导过程分析被引量：5
《电子元件与材料》2018年第7期29-34,共6页高巍 殷鹏飞 李泽宏 张金平 任敏 
国家自然科学基金项目(61404023;61474017)
热阻是反映电子器件结温的关键热参数,也是指导用户在复杂应用环境中设计热特性的关键参数。本文研究了ITO-220AB封装器件由内至外不同分层材料特性对于器件热阻及热传导的影响。通过测量四种规格VDM OS器件结到环境热阻(R_(thj-a))及...
关键词：热阻 结温 VDMOS ITO-220AB 热传导 焊锡 
同步整流功率MOSFET特性及研究现状被引量：7
《微电子学》2018年第3期390-394,共5页任敏 谢驰 李佳驹 李泽宏 高巍 张金平 张波 
国家自然科学基金资助项目(51307014)
为了降低开关电源的功率损耗,同步整流技术采用功率MOSFET替代肖特基二极管,实现了更高的整流效率。简要介绍了同步整流技术的原理,并结合原理,深入分析了应用于同步整流的功率MOSFET与常规功率MOSFET在电学特性上的差异。总结了近年来...
关键词：同步整流 功率MOSFET 功率损耗 导通电阻 体二极管 
IGBT新技术及发展趋势被引量：6
《大功率变流技术》2017年第5期21-28,41,共9页张金平 赵倩 高巍 李泽宏 任敏 张波 
国家自然科学基金项目(61404023);国家能源应用技术研究及工程示范项目(NY20150703)
目前,采用精细化沟槽栅技术、薄片加工技术、场阻技术和发射极载流子浓度增强技术的器件结构已成为绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的主流结构,同时新的器件结构技术、封装技术和新材料技术也成为业界研究的重点。文章针对近年来有关IGBT所取...
关键词：绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 功率开关 器件结构 封装技术 新材料 
一种带埋层的新型结终端技术被引量：1
《电子元件与材料》2016年第9期37-40,共4页周嵘 张玉蒙 李泽宏 熊景枝 张金平 
国家自然科学基金项目资助(No.61474017;No.51307014)
在高压功率器件领域,常规的场限环技术由于环的个数较多,占用芯片面积较大,导致终端的效率很低。为了改善这一缺点,提出了一种带P–埋层的新型高压终端技术,有效降低了主结边缘处的电场集中,提高了击穿电压。仿真结果表明,该结构的击穿...
关键词：电场 击穿电压 终端技术 场限环 P-埋层 终端宽度 
绝缘栅双极型晶体管的研究进展被引量：7
《中国电子科学研究院学报》2014年第2期111-119,共9页张金平 李泽宏 任敏 陈万军 张波 
国家科技重大专项(2011ZX02504-003);中央高校基本科研业务费项目(ZYGX2011J024)资助
作为一种新型的功率半导体器件,绝缘栅双极型晶体管(IGBT)以其优越的性能,成为中高功率电力电子领域的主流功率开关器件,被广泛应用于智能电网、新能源、高速铁路、工业控制、汽车电子、家电产品、消费电子等领域。概述了IGBT的演变历...
关键词：功率半导体器件 绝缘栅双极型晶体管 研究进展 
具有ESD防护及过流保护功能的VDMOS设计
《半导体技术》2012年第8期612-616,共5页何建 谭开洲 陈光炳 徐学良 王建安 谢家雄 任敏 李泽宏 张金平 
提出了一种芯片集成实现ESD防护及过流保护功能的VDMOS器件设计。在对电流采样原理分析的基础上,提出了一种适用于功率器件的局域电流采样方法及对应的过流保护电路结构,该方案具有结构简单、低功耗的特点。利用反向串联多晶硅二极管实...
关键词：垂直导电双扩散场效应晶体管(VDMOS) 过流保护 静电放电(ESD) 功率器件 可靠性 
VDMOS过温保护功能的实现被引量：1
《微电子学》2012年第3期352-355,共4页何建 谭开洲 徐学良 王健安 陈光炳 刘小龙 任敏 李泽宏 张金平 
提出一种内部集成过温保护功能的VDMOS器件。对传统过温保护原理进行了分析,在此基础上,提出了一种适用于功率器件过温保护的改进电路结构。仿真结果表明,该器件在温度超过174℃时实现自关断,在温度降回142℃时实现自重启。该温度迟滞...
关键词：VDMOS 过热保护 可靠性 热滞回 
双极型晶体管电流增益的温度特性研究被引量：5
《微电子学》2012年第2期270-272,276,共4页何建 徐学良 王健安 李吉 李泽宏 张金平 任敏 
分析了大注入效应对双极型晶体管电流增益温度特性的影响,建立了双极型晶体管电流增益温度解析模型。选取产品3DD167来进行不同温度不同工作条件下的测试分析。实验结果表明,在特定工作条件下,该器件在不同温度时其电流增益都有一个零...
关键词：双极晶体管 正温度系数 大注入 电流增益 
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