金属-氧化物-半导体场效应晶体管

作品数：53被引量：77H指数：4
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相关作者：徐静平张雪锋邱云贞王志亮宋安飞更多>>
相关机构：华中科技大学西安电子科技大学东南大学中国科学院更多>>
相关期刊：《半导体技术》《华南理工大学学报（自然科学版）》《电力电子》《西北大学学报（自然科学版）》更多>>
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面向后摩尔Ge-CMOS制造的超薄高介电常数LaLuO_(3)栅介质工艺研究
《物理学报》2025年第9期277-283,共7页唐晓雨 刘玉杰 花涛 
国家自然科学基金(批准号:62104102);南京工程学院引进人才基金(批准号:YKJ201827)资助的课题.
IV族元素锗材料由于具有电子和空穴迁移率高、禁带宽度小、与硅工艺相兼容等优势,在低功耗高迁移率场效应晶体管领域具有广泛的应用潜力,相应的Ge基金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)技术成为延续摩尔(more Moore)和超越摩尔(more...
关键词：Ge 基金属-氧化物-半导体场效应晶体管 栅极结构工艺 稀土氧化物 高介电常数 
基于米勒平台电压的SiC MOSFET结温监测及校正方法
《天津理工大学学报》2024年第1期52-59,共8页杨桂旭 杜明星 
天津市技术创新专项(20YDTPJC00510)。
基于导通米勒平台电压的碳化硅金属-氧化物-半导体场效应晶体管(SiC metal-oxide-semiconductor field effect transistor,SiC MOSFET)结温监测方法受到功率回路负载电流和驱动电路电阻等参数的影响,会造成很大的测量误差。文中以降压...
关键词：碳化硅金属-氧化物-半导体场效应晶体管 结温监测 米勒平台电压 校正方法 
SiC MOSFET单粒子漏电退化的影响因素被引量：1
《半导体技术》2023年第11期972-976,984,共6页秦林生 汪波 马林东 万俊珺 
上海市自然科学基金资助项目(20ZR1435700)。
高压功率器件是未来航天器进一步发展的关键,对SiC金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)等高压大功率器件的抗辐射研究亟待突破。在不同偏置条件下对器件的单粒子效应(SEE)进行实验,结果表明,SiC MOSFET单粒子漏电退化效应与漏源电...
关键词：SiC金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET) 单粒子效应(SEE) 漏电退化 漏源电压 离子注量 
碳化硅超结器件的研究进展
《机车电传动》2023年第5期36-45,共10页张金平 张琨 陈伟 汪婕 张波 
广东省基础与应用基础研究基金项目(2023A1515010068)。
碳化硅(SiC)材料由于其出色的物理和化学特性,非常适用于制造高温和大功率半导体器件。虽然SiC功率二极管和金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)展示了出色的器件性能,并获得广泛的应用,但是其单极型器件的一维理论极限仍限制了传...
关键词：碳化硅 超结 二极管 金属-氧化物-半导体场效应晶体管 研究进展 
SiC芯片微型化及发展趋势被引量：1
《机车电传动》2023年第5期46-62,共17页张园览 张清纯 
国家自然科学基金项目(62150710546)。
新能源汽车与光伏作为SiC器件发展的重要推手,促进国内碳化硅产业链日趋完善,设计和制造进展快速,部分制造商器件特性已达到或接近国际领先水平。然而,由于SiC器件价格偏高,器件成本成为限制SiC器件进一步渗透市场的最主要因素。SiC芯...
关键词：碳化硅 宽禁带半导体 功率器件 微型化 金属-氧化物-半导体场效应晶体管 
TPAK SiC车用电机控制器功率单元的并联均流设计与实现
《半导体技术》2023年第9期755-763,共9页张泽 谭会生 戴小平 张驾祥 严舒琪 
湖南省学位与研究生教学改革研究项目(2022JGYB183)。
SiC金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)作为车用电机控制器功率单元的核心器件,其并联不均流问题是影响电机控制器安全稳定运行的关键因素。对于热增强塑料封装(TPAK)SiC MOSFET功率模块实际应用中的不均流问题,首先通过理论推导...
关键词：热增强塑料封装(TPAK) SiC金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET) 电机控制器 寄生参数 并联均流 
一种新型SiC MOSFET驱动电路的设计被引量：4
《电力电子技术》2023年第2期125-128,共4页王树增 张一鸣 王旭红 张栋 
地球深部探测技术攻关专项(Z181100005718001)。
与传统硅基器件相比,碳化硅(SiC)器件的开关速度得到大幅改善,提高了变换器的功率密度与效率。然而过大的开关频率引起更为严重的栅极串扰问题,造成器件失效。分析了SiC金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)的开关过程与串扰产生原理...
关键词：金属-氧化物-半导体场效应晶体管 串扰 驱动电路 
6.5 kV SiC MOSFET的优化及开关特性
《半导体技术》2022年第8期612-620,共9页魏晓光 张文婷 申占伟 田丽欣 孙国胜 杨霏 
国家电网公司总部科技项目(5500-202058402A-0-0-00)。
优化设计了电力系统用6.5 kV SiC MOSFET,测得该器件的导通电流为25 A,阻断电压为6800 V,器件的巴利加优值(BFOM)达到925 MW/cm^(2)。基于感性负载测试电路测试了器件的高压开关瞬态波形。在此基础上,借助仿真软件构建6.5 kV SiC MOSFE...
关键词：碳化硅(SiC) 金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET) 开关瞬态 栅电荷 栅极电压振荡 
高温对MOSFET ESD防护器件维持特性的影响
《物理学报》2022年第12期489-496,共8页李明珠 蔡小五 曾传滨 李晓静 李多力 倪涛 王娟娟 韩郑生 赵发展 
国家自然科学基金(批准号:61804168)资助的课题。
静电放电(electro-static discharge,ESD)防护结构的维持电压是决定器件抗闩锁性能的关键参数,但ESD器件参数的热致变化使得防护器件在高温环境中有闩锁风险.本文研究了ESD防护结构N沟道金属-氧化物-半导体(N-channel metal oxide semic...
关键词：静电放电 金属-氧化物-半导体场效应晶体管 维持电压 高温 
SiC电力电子学产业化技术的创新发展(续)被引量：1
《半导体技术》2022年第4期249-265,287,共18页赵正平 
进入21世纪后,宽禁带半导体SiC电力电子学发展迅速,SiC二极管和SiC金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)先后进入商品化,在电动汽车等绿色能源的应用发展的带动下,SiC电力电子学进入产业化快速发展阶段。介绍了SiC电力电子学在大尺寸...
关键词：SIC单晶 SiC二极管 SiC金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET) SiC绝缘栅双极晶体管(IGBT) SiC门极关断晶闸管(GTO) SiC功率模块 
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