漏源电压

作品数：19被引量：23H指数：2
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基于GOOSE-VMD的GaN HEMT器件应力波检测与分析
《电子测量与仪器学报》2024年第10期78-87,共10页王洪金 常珊 何赟泽 耿学锋 邓堡元 刘松源 
国家自然科学基金面上项目(52077063);深圳市自然科学基金面上项目(JCYJ20220530160409022)资助。
第三代功率半导体器件—氮化镓高电子迁移率晶体管器件(GaN HEMT)以其耐压耐温的优异特性在电力电子与通讯电子领域广泛应用。GaN HEMT器件通常工作在高温大功率等严苛的外部条件下,为了避免其突然失效对电力电子设备的正常运行产生影响...
关键词：GaN HEMT 应力波 变分模态分解 鹅优化算法 温度 漏源电压 
漏源电压对SiC MOSFET阈值电压准确测量影响的研究被引量：1
《电源学报》2024年第3期258-263,共6页姚博均 郭春生 崔绍雄 李嘉芃 张亚民 
相较于Si器件,SiC MOSFET近界面氧化物陷阱区域更广,界面态陷阱密度高出2个数量级,大量陷阱不断俘获或释放电荷,导致阈值电压(Vth)随时间波动较大,因而Vth的准确重复测量成为难题。标准中阈值电压测量采用预处理的方法,保证每次测量时...
关键词：阈值电压 重复性 碳化硅MOSFET 栅极结构 
适用于SiC MOSFET的漏源电压积分自适应快速短路保护电路研究被引量：2
《中国电机工程学报》2024年第4期1542-1552,I0024,共12页李虹 胡肖飞 王玉婷 曾洋斌 
国家自然科学基金杰出青年基金项目(52325704);国家自然科学基金(重点项目)(52237008)。
SiC MOSFET因其高击穿电压、高开关速度、低导通损耗等性能优势而被广泛应用于各类电力电子变换器中。然而,由于其短路耐受时间仅为2~7μs,且随母线电压升高而缩短,快速可靠的短路保护电路已成为其推广应用的关键技术之一。为应对不同...
关键词：碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 短路保护 漏源电压积分 母线电压 自适应 
SiC MOSFET单粒子漏电退化的影响因素被引量：1
《半导体技术》2023年第11期972-976,984,共6页秦林生 汪波 马林东 万俊珺 
上海市自然科学基金资助项目(20ZR1435700)。
高压功率器件是未来航天器进一步发展的关键,对SiC金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)等高压大功率器件的抗辐射研究亟待突破。在不同偏置条件下对器件的单粒子效应(SEE)进行实验,结果表明,SiC MOSFET单粒子漏电退化效应与漏源电...
关键词：SiC金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET) 单粒子效应(SEE) 漏电退化 漏源电压 离子注量 
基于声发射的Cascode型GaN HEMT器件机械应力波检测与分析被引量：1
《中国电机工程学报》2023年第2期750-760,共11页何赟泽 刘松源 白芸 刘菲 耿学锋 任丹彤 唐锐洋 
国家自然科学基金(面上项目)(52077063);长沙市科技计划项目(kq2004006);电力传输与功率变换控制教育部重点实验室开放课题(2021AC06)。
近年来,以氮化镓(gallium nitride,Ga N)材料为代表的第三代功率半导体器件开始被广泛地应用于高压高温高频的工作场合。在这些环境下对器件进行及时、高效的无损检测可以防患于未然,减少或避免器件损伤带来的损失。文中基于声发射检测...
关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管 机械应力波 漏源电压 栅源电压 
基于通态漏源电压的SiC MOSFET结温估计方法被引量：3
《电力电子技术》2020年第10期17-20,共4页信金蕾 杜明星 王颖丽 
国家重点研发计划(2017YFB0102500);天津市教委科研计划(2018KJ162)。
以通态漏源电压为热敏感电参数(TSEP)来估计碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)模块的结温。首先,将SiC MOSFET模块的通态漏源电阻分为芯片通态漏源电阻和封装电路电阻两部分。当漏极电流在导通电路中流过时,相应产生芯...
关键词：金属氧化物半导体场效应晶体管 结温 通态漏源电压 
基于可变消隐时间的SiC MOSFET Uds检测法被引量：1
《电力电子技术》2019年第9期109-112,124,共5页伍思凯 刘畅 王利辉 
国家重点研发计划(2016YFC0600804);江苏省高等学校自然科学研究面上项目(18KJB470009)~~
漏源电压检测作为一种成熟的检测方法,广泛用于碳化硅金属-氧化物半导体场效应管(SiCM0SFET)短路保护。从兼容性角度考虑,为满足不同工况下的短路保护要求,检测电路内的消隐时间需从大设置,这势必会影响保护速度甚至无法有效保护器件。...
关键词：碳化硅 漏源电压 短路保护 
RCD钳位电路参数设计范围研究被引量：9
《电气自动化》2019年第4期65-67,共3页高梦莹 高小丽 
反激式开关电源变压器的原边漏感对电路性能及电路中的功率开关管有很大影响,在变压器原边添加RCD钳位电路可抑制由原边漏感产生的电压过冲。但在实际电路设计中,RCD钳位电路参数没有明确的设计范围,大多由经验获得。给出RCD钳位电路参...
关键词：RCD钳位电路 参数设计范围 反激式开关电源 漏源电压 钳位电容电压 
AMS推出可拓展的高压CMOS晶体管
《集成电路通讯》2016年第1期44-44,共1页
AMS晶圆代工事业部近日宣布进一步扩展其行业领先高压CMOS专业制程平台。基于该高压平台的先进“H35”制程工艺，使艾迈斯半导体能涵盖一整套可有效解节省空间并能提升设备性能的电压可拓展的晶体管。新的电压可拓展的高压NMOS和PMOS晶...
关键词：高压CMOS CMOS晶体管 AMS 可拓 PMOS晶体管 漏源电压 制程工艺 晶圆代工 
高效率同步整流控制器
《今日电子》2015年第12期60-60,共1页
APR343的电路配置利用外部MOSFET来增加灵活性。器件通过感测MOSFET漏源电压，在不连续传导模式下进行同步整流，当输出电压低于某个阈值，给出周期信号去驱动MOSFET。
关键词：同步整流控制器 MOSFET 电路配置 漏源电压 输出电压 周期信号 传导模 不连续 
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