CMOS晶体管

作品数：33被引量：15H指数：2
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相关机构：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司英特尔公司中芯国际集成电路制造(北京)有限公司国际商业机器公司更多>>
相关期刊：《中国科学：化学》《今日电子》《电子产品世界》《高性能计算技术》更多>>
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基于忆阻器-CMOS晶体管的逻辑电路及其应用
《半导体技术》2024年第3期279-284,共6页陈鑫辉 吕秀珠 管越 刘子坚 姚君浩 
国家自然科学基金资助项目(61871244);浙江省教育厅科研资助项目(Y202353001);金华市重大(重点)科学技术研究计划项目(2021-1-014);金华市科技局公益性技术研究计划项目(2023-4-039);金华市科协重点学术研究项目(2022-7)。
针对传统组合逻辑电路存在的硬件资源利用率低和功耗高等问题,提出了一种基于忆阻器和CMOS晶体管的存算一体化组合逻辑电路设计方案。利用忆阻器存算一体、结构简单、与CMOS器件兼容等特性,减少了电路元器件数量。首先利用忆阻器的非易...
关键词：忆阻器 CMOS 基本逻辑门 乘法器 图像加密 
模拟电子技术发展的新趋势被引量：2
《微电子学》2021年第6期773-777,共5页于晓权 赖凡 付晓君 
模拟集成电路国家级重点实验室基金资助项目(614280201140117)。
半导体科技是未来信息和通信技术发展的主要推动力,模拟电子技术是半导体科技的不可或缺的组成部分。文章阐述了受未来信息系统更大处理能力、更高传输能力、更低延时感知等需求的拉动,模拟电子技术在智能化感知和执行、新计算处理架构...
关键词：模拟电子 半导体 信息和通信技术 智能化感知和执行 模拟生物启发学习 模拟ML架构 能量效率 硅突触晶体管 太赫兹CMOS晶体管 FPAA 神经形态ADC/DAC 异构集成 整体协同开发 
碳基CMOS集成电路技术:发展现状与未来挑战被引量：4
《中国科学：化学》2021年第11期1457-1473,共17页刘晨晨 张志勇 
国家重点研发计划纳米专项(资助号:2016YFA0201901)资助项目。
碳纳米管凭借其优良的电学性质、准一维尺寸以及稳定的结构成为后摩尔时代最理想的半导体材料.目前碳基电子学已经取得很大进展,例如可以在4寸晶圆上得到高半导体纯度(超过99.9999%)的密排(100~200 CNTs/μm)阵列碳纳米管,晶体管栅长可...
关键词：碳纳米管 CMOS晶体管 集成电路 纳米电子学 
基于CMOS晶体管的太赫兹探测器研究进展
《云南民族大学学报（自然科学版）》2019年第2期203-208,共6页付元旭 梁志茂 范菁 张广求 赵波 
国家自然科学基金(6154063);云南省应用基础研究计划项目(2018FDO55)
随着太赫兹波的广泛应用,太赫兹探测技术成为研究的热点,探测器件主要以肖特基二极管,量子阱二极管,CMOS晶体管为主,CMOS晶体管探测器件具有响应度高,信噪比好,等效功率高等优点.首先介绍了太赫兹探测器的技术指标,接着从结构及材料两...
关键词：太赫兹探测器 CMOS晶体管 器件响应度 等效噪声功率 
CMOS晶体管漏电流分析
《机电信息》2018年第21期114-115,117,共3页王旭 
随着微电子技术的发展,晶体管工艺尺寸逐渐缩小、集成度不断提高,较好地满足了用户对IC成本和性能的需求。然而,集成度的提高却带来了单位密度的功耗大幅增加,并由此带来了可靠性下降、使用寿命变短等问题。鉴于此,在参照大尺寸晶体管...
关键词：低功耗 亚阈值电流 栅电流 势垒下降效应 热载流子注射效应 
无掺杂制备新技术：中国碳基电子器件研究“换道超车”
《前沿科学》2018年第3期54-56,共3页彭练矛 
芯片是信息科技的基础与推动力。然而，现有的硅基芯片制造技术即将触碰其极限，碳纳米管技术被认为是后摩尔技术的重要选项。相对于传统的硅基CMOS晶体管，碳纳米管晶体管具有明显的速度和功耗综合优势。
关键词：新技术 电子器件 CMOS晶体管 芯片制造技术 超车 碳基 中国 制备 
CMOS晶体管宽长比计算一题多解探讨
《科技风》2018年第7期14-15,共2页王晓华 赵倩 
上海电力学院本科生教育教学改革(核心课程建设)项目
CMOS晶体管的宽长比是集成电路设计中非常重要的一个参数。《集成电路设计基础》课程教学中分析了经典CMOS电路中设计宽长比计算的基本原理。本文运用黑盒子法分析计算CMOS电路中晶体管的宽长比,提出支路分析法,并对两种分析方法进行对...
关键词：宽长比 黑盒子法 支路法 
基于FinFET的IC产品的设计和测试被引量：1
《中国集成电路》2016年第8期37-37,80,共2页Carey Robertson Steve Pateras 
FinFET晶体管的兴起对IC物理设计和可测试性设计流程具有显著影响。引入FinFET意味着在IC设计流程中，CMOS晶体管必须建模为三维（3D）器件，
关键词：FINFET IC产品 设计流程 可测试性 CMOS晶体管 物理设计 器件 
AMS推出可拓展的高压CMOS晶体管
《集成电路通讯》2016年第1期44-44,共1页
AMS晶圆代工事业部近日宣布进一步扩展其行业领先高压CMOS专业制程平台。基于该高压平台的先进“H35”制程工艺，使艾迈斯半导体能涵盖一整套可有效解节省空间并能提升设备性能的电压可拓展的晶体管。新的电压可拓展的高压NMOS和PMOS晶...
关键词：高压CMOS CMOS晶体管 AMS 可拓 PMOS晶体管 漏源电压 制程工艺 晶圆代工 
DOE技术在低电压CMOS晶体管中的质量控制被引量：1
《电子器件》2014年第6期1043-1048,共6页张霞 袁陈晨 郑祺 徐士美 童庆强 
上海高校一流学科(培育)基金项目(YLJX12-2);国家自然科学基金青年科学基金项目(61404082)
采用DOE(Design of Experiment)试验方法进行了CMOS晶体管工艺流片的分卡操作,研究18个样品的Vt区注入Dvt、N场注入DNF、TEMP注入DP这3种注入剂量变化的情形下阈值电压Vtn和Vtp的调控优化值。通过最大跨导法测试阈值电压Vtn和Vtp,考查3...
关键词：CMOS晶体管 阈值电压 DOE 注入剂量 
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