DOE技术在低电压CMOS晶体管中的质量控制  

The Quality Control of DOE Technology in Low Threshold Voltage CMOS Transistor

作　　者：张霞[1] 袁陈晨 郑祺[1] 徐士美 童庆强 

机构地区：[1]上海工程技术大学材料工程学院,上海201620 [2]上海贝岭股份有限公司,上海200233 [3]上海华力微电子有限公司,上海201203

出　　处：《电子器件》2014年第6期1043-1048,共6页Chinese Journal of Electron Devices

基　　金：上海高校一流学科(培育)基金项目(YLJX12-2);国家自然科学基金青年科学基金项目(61404082)

摘　　要：采用DOE(Design of Experiment)试验方法进行了CMOS晶体管工艺流片的分卡操作,研究18个样品的Vt区注入Dvt、N场注入DNF、TEMP注入DP这3种注入剂量变化的情形下阈值电压Vtn和Vtp的调控优化值。通过最大跨导法测试阈值电压Vtn和Vtp,考查3种注入剂量对Vtn和Vtp的影响趋势,发现Dvt和DNF直接决定Vtn,Dvt和DP直接决定Vtp。结果表明,Vtn为0.082 V^0.600 V,关系式为Vtn=0.15791Dvt+0.12320DNF+0.11433;Vtp为0.0535 V^0.6300 V,关系式为V2tp=-0.03077D2vt-0.01688D2P+0.71899。Based on the DOE（ Design of Experiment） method and process splits of CMOS transistor,the threshold voltages of Vtnand Vtpof 18 CMOS samples were modulated by changing the implanting doses and doping concentrations of 3 process parameters： Dvtdoses,N field implant doses DNF,and TEMP implant doses DP. Subsequently,we tested the threshold voltage Vtnand Vtpby means of maximum transconductance method,then analysed the effects of process parameters on Vtnand Vtp. It indicated that Dvtand DNFdirectly determine Vtn,Dvtand DPalso directly determine Vtp. The results showed that Vtnwas 0. 082 V - 0. 600 V,the relationship was Vtn= 0. 15791Dvt＋ 0. 12320DNF＋ 0. 11433; Vtpwas 0. 0535 V - 0. 6300 V,and V2tp=-0. 03077D2vt-0. 01688 D2P＋ 0. 71899.

关 键 词：CMOS晶体管 阈值电压 DOE 注入剂量 

分 类 号：TN386.1[电子电信—物理电子学]