PMOS晶体管

作品数：10被引量：6H指数：1
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：雷牡敏李铭曾绍海张海英吴秀龙更多>>
相关机构：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司英特尔公司中芯国际集成电路制造(北京)有限公司先进微装置公司更多>>
相关期刊：《微电子学》《微电子学与计算机》《电源世界》《集成电路通讯》更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
PMOS晶体管工艺参数变化对SRAM单元翻转恢复效应影响的研究被引量：4
《电子与信息学报》2017年第11期2755-2762,共8页张景波 杨志平 彭春雨 丁朋辉 吴秀龙 
国家自然科学基金(61674002;61474001;61574001)~~
基于Synopsys公司3D TCAD器件模拟,该文通过改变3种工艺参数,研究65 nm体硅CMOS工艺下PMOS晶体管工艺参数变化对静态随机存储器(Static Random Access Memory,SRAM)存储单元翻转恢复效应的影响。研究结果表明:降低PMOS晶体管的P+深阱掺...
关键词：静态随机存储器 线性能量传输值 翻转恢复时间 单粒子效应 
适用于闪存的高速灵敏放大器被引量：1
《半导体技术》2016年第8期570-574,共5页郭家荣 冉峰 
国家自然科学基金资助项目(61376028);上海市科委智能制造及先进材料领域资助项目(13111104600)
提出了一种适用于闪存的高速灵敏放大器。该灵敏放大器删除了位线嵌位电路,直接使用1.2 V电源供电的预充电路预充选定单元的位线到1.2 V电压级,与传统的通过位线嵌位电路嵌位的位线电压（0.5~0.8 V）相比,不仅节省了位线电压的稳定时间...
关键词：闪存 灵敏放大器 电流模式 高速 低压PMOS晶体管 
AMS推出可拓展的高压CMOS晶体管
《集成电路通讯》2016年第1期44-44,共1页
AMS晶圆代工事业部近日宣布进一步扩展其行业领先高压CMOS专业制程平台。基于该高压平台的先进“H35”制程工艺，使艾迈斯半导体能涵盖一整套可有效解节省空间并能提升设备性能的电压可拓展的晶体管。新的电压可拓展的高压NMOS和PMOS晶...
关键词：高压CMOS CMOS晶体管 AMS 可拓 PMOS晶体管 漏源电压 制程工艺 晶圆代工 
一种基于衬底驱动PMOS晶体管的低压共源共栅电流镜被引量：1
《电路与系统学报》2007年第2期30-33,共4页朱樟明 杨银堂 尹韬 张海军 张宝君 
国家自然科学基金(60476046);教育部博士学科点基金(20050701015);部委基金(51408010205DZ0164)
基于衬底驱动PMOS晶体管设计了低压PMOS衬底驱动CMOS共源共栅电流镜电路(BDCCM),并讨论分析了其输入阻抗、输出阻抗和频率特性。基于TSMC 0.25μm 2P4M CMOS工艺的仿真和测试结果说明,BDCCM的最低输入压降要求只有0.3V,但是其输入输出...
关键词：衬底驱动 电流镜 CMOS 低压 低功耗 
超晶格沟道减小栅极漏电流
《现代材料动态》2007年第3期11-11,共1页邓志杰（摘译） 
掺铒光纤放大器（有助于宽带因特网）的发明者Meats发现一个有趣的现象：在Si中制作超晶格可在一个方向上增强电流而在另一方向上阻断电流，这是一种新的沟道“更新”工艺——在某些方面与应变Si工艺类似，是通过掺杂改变．Si的能带结...
关键词：泄漏电流 超晶格 沟道 深亚微米器件 掺铒光纤放大器 PMOS晶体管 NMOS晶体管 工程化方法 
SOI集成中应变硅的外延工艺
《现代材料动态》2005年第5期4-6,共3页邓志杰 
在Si晶体中产生应变是提高载流迁移率的一个熟知的方法，为发挥其最佳效果，对PMOS晶体管的空穴导电，Si沟道中的应变是压缩应变，而NMOS Si沟道中是张(力)应变。由于非应变Si中空穴迁移率平均只是电子迁移率的1／3，所以开始集中努力...
关键词：外延工艺 应变硅 SOI PMOS晶体管 集成 PMOS器件 NMOS器件 电子迁移率 空穴迁移率 Si晶体 压缩应变 沟道 
东芝和索尼联手提高pMOS和nMOS性能
《电源世界》2005年第1期14-14,共1页
日本东芝与索尼公司日前联合开发出了可同时提高nMOS晶体管和pMOS晶体管的驱动能力，面向45nm工艺的应变硅技术。将晶圆在水平方向上旋转45度后，在栅极上部形成SiN膜，在通道部分施加拉伸应变就可以完成，因此，采用与普通CMOS技术几...
关键词：NMOS晶体管 PMOS晶体管 SiN膜 栅极 东芝公司 索尼公司 
PMOS晶体管确保精确的上电时序
《电子设计应用》2003年第5期96-96,共1页珊 
芯片应用
关键词：PMOS晶体管 上电时序 视频信号 LCD面板 
BF_2^+注入对PMOS晶体管开启电压的影响
《微电子学与计算机》2001年第3期46-49,共4页黄维柱 王勇 邱晓海 
文章研究了BF_2~＋注入对 PMOS晶体管开启电压的影响。试验发现，在我们的工艺条件下， BF_2~＋注入能量是影响 PMOS管开启电压的主要因素，能量高于 67.5Kev的 BF_2~＋注入可导致开启电压正漂。而退火对开启电压正漂没有影响， F离子...
关键词：BF2^+注入 PMOS晶体管 开启电压 CMOS器件 
一种1.5～2μm双掺杂多晶硅栅CMOS工艺研究
《微电子学》1999年第2期119-122,共4页谭开洲 胡永贵 张家斌 
采用常规Ｐ阱硅栅ＣＭＯＳ改进工艺，进行１．５～２μｍＣＭＯＳ工艺研究。与常规工艺相比，做出的ＰＭＯＳ管漏源击穿电压可达１８～２３Ｖ，５Ｖ工作电压下沟道调制效应较小，相应的欧拉电压可达２５～３０Ｖ，工艺特点在于采用了硼...
关键词：CMOS工艺 多晶硅栅 PMOS晶体管 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部