BF2^+注入

作品数：3被引量：2H指数：1
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BF_2^+注入对PMOS晶体管开启电压的影响
《微电子学与计算机》2001年第3期46-49,共4页黄维柱 王勇 邱晓海 
文章研究了BF_2~＋注入对 PMOS晶体管开启电压的影响。试验发现，在我们的工艺条件下， BF_2~＋注入能量是影响 PMOS管开启电压的主要因素，能量高于 67.5Kev的 BF_2~＋注入可导致开启电压正漂。而退火对开启电压正漂没有影响， F离子...
关键词：BF2^+注入 PMOS晶体管 开启电压 CMOS器件 
BF2^＋注入硅栅PMOSFETγ辐照效应被引量：2
《电子学报》1995年第2期88-91,共4页张廷庆 刘家璐 张正选 赵元富 
国家自然科学基金
本文系统地研究了ＢＦ２＾＋注入硅栅ＰＭＯＳＦＥＴ阈值电压漂移与γ辐照总剂量之间的关系，深入地探讨了ＢＦ２＾＋注入抗γ辐照加固的机理。结果表明，ＢＦ２＾＋注入是一种抗γ辐照加固的新方法。
关键词：二氟化硼 离子注入 Γ辐照 硅栅PMOSFET 
BF2^＋注入硅分子效应的椭偏谱多层分析
《科技通讯（上海）》1992年第2期36-43,共8页朱文玉 
关键词：硅 离子注入 分子效应 椭偏谱 
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