SOI集成中应变硅的外延工艺  

作　　者：邓志杰 

出　　处：《现代材料动态》2005年第5期4-6,共3页Information of Advanced Materials

摘　　要：在Si晶体中产生应变是提高载流迁移率的一个熟知的方法，为发挥其最佳效果，对PMOS晶体管的空穴导电，Si沟道中的应变是压缩应变，而NMOS Si沟道中是张(力)应变。由于非应变Si中空穴迁移率平均只是电子迁移率的1／3，所以开始集中努力于提高PMOS器件中(空穴)迁移率。为保持PMOS与NMOS器件中的迁移率比(为一定值)，就必须同时提高NMOS中的迁移率。

关 键 词：外延工艺 应变硅 SOI PMOS晶体管 集成 PMOS器件 NMOS器件 电子迁移率 空穴迁移率 Si晶体 压缩应变 沟道 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学] TN305