应变硅

作品数：86被引量：108H指数：4
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可变高应力氮化硅薄膜的内应力研究
《电子与封装》2022年第7期53-56,共4页孙建洁 张可可 陈全胜 
以互补金属氧化物半导体(CMOS)器件等比例缩小为动力的硅集成电路技术已迈入纳米级尺寸,并将继续保持对摩尔定律的追求,进一步缩小器件尺寸,以满足芯片高度集成化的要求。目前基于CMOS工艺的应变硅技术受到越来越广泛的应用。氮化硅致...
关键词：应变硅 氮化硅 压应力 张应力 
SOI抗辐射先进技术研究
《微处理机》2020年第3期5-9,共5页藏鑫 纪旭明 谢儒彬 
SOI以其独特的隔离埋层结构实现了器件、电路的全介质隔离,因此具有漏电小、电容小、免疫闩锁、响应快、功耗低等优点,在快速数字电路、抗辐射领域具有良好的应用基础。基于对SOI技术发展的前沿方案的介绍,探讨沟道应变技术以及薄埋层...
关键词：SOI辐射 单粒子 总剂量 应变硅 
一种非对称双栅应变硅HALO掺杂沟道MOSFET阈值电压解析模型被引量：1
《电子学报》2019年第11期2432-2437,共6页辛艳辉 段美霞 
河南省科技公关项目(No.172102210367,No.192102210241);华北水利水电大学高层次人才科研启动项目
提出了一种非对称双栅应变硅HALO掺杂沟道金属氧化物半导体场效应管结构.该器件前栅和背栅由两种不同功函数的金属构成,沟道为应变硅HALO掺杂沟道,靠近源区为低掺杂区域,靠近漏区为高掺杂区域.采用分区的抛物线电势近似法和通用边界条...
关键词：应变硅 HALO掺杂沟道 非对称双栅 短沟道效应 
弹性应变工程被引量：4
《中国材料进展》2018年第12期941-948,993,共9页李巨 单智伟 马恩 
国家自然科学基金群体项目(51621063);国家重点研发计划项目(2017YFB0702001)
弹性应变工程是指通过改变材料弹性应变的大小来调控和优化其物化性能的技术。人们早在1950年左右就发现弹性应变可以大幅提高单晶硅中载流子的迁移率,并在20世纪90年代后期将其应用在CMOS工业中,产生了数百亿美金的效益。但由于当时大...
关键词：越小越强 超强材料 应变工程 应变硅 纳米材料 带隙 激子 催化 
对称三材料双栅应变硅MOSFET亚阈值电流与亚阈值斜率解析模型被引量：1
《电子学报》2018年第11期2768-2772,共5页辛艳辉 袁合才 辛洋 
河南省科技公关项目(No.172102210367);华北水利水电大学高层次人才科研启动项目(No.40436)
基于泊松方程和边界条件,推导了对称三材料双栅应变硅金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET:metal oxide semiconductor field effect transistor)的表面势解析解.利用扩散-漂移理论,在亚阈值区电流密度方程的基础上,提出了亚阈值电流...
关键词：亚阈值电流 亚阈值斜率 三材料双栅 应变硅 
新型应变SGOI/SOI/MOSFET器件结构及物理模型分析
《中国科技信息》2017年第13期71-72,共2页赵智超 吴铁峰 
“佳木斯大学博士基金项目”(项目编号:22Zb201516)的研究成果
SOI技术和应变硅技术的广泛应用和融合大大提升了新型应变硅器件的发展，通过对新型应变器件结构及物理模型的深入分析和研究，有效改善了传统MOSFET器件因结构尺寸小的限制。同时，沟道掺杂工程在晶体器件中的广泛引入，使得新型应变So...
关键词：MOSFET器件 应变硅技术 SOI技术 物理模型 器件结构 结构尺寸 晶体器件 沟道掺杂 
锗硅缓冲双轴应变硅材料ε-Si/Ge_(0.3)Si_(0.7)/Ge_xSi_(1-x)/C-Si内部残余应力的显微拉曼实验分析被引量：1
《实验力学》2016年第3期306-314,共9页马路路 程翠丽 雷振坤 赵煜乘 仇巍 
国家重点基础研究发展计划(2012CB937500);国家自然科学基金(11422219;11227202;11272232和11172054);2013教育部新世纪优秀人才支持计划资助
应变硅技术是一种被称为延续摩尔定律的技术,是集成微电子技术的热点之一。本文以锗硅缓冲双轴应变硅材料(ε-Si/Ge_(0.3)Si_(0.7)/Ge_xSi_(1-x)/C-Si)为研究对象,采用显微拉曼光谱技术,开展了该多层半导体异质结构内部残余应力的实验...
关键词：应变硅 半导体多层异质结构 横截面样品 显微拉曼光谱 残余应力 
沟道和漏极散射机制对短沟道应变硅二极管性能的影响
《材料导报（纳米与新材料专辑）》2015年第1期106-110,117,共6页亚森江.吾甫尔 买买提明.艾尼 买买提热夏提.买买提 阿布都克力木.阿布都热合曼 
国家自然科学基金(61366001;61464010)
新材料应变硅已成为目前高性能小尺寸半导体器件的研究热点,研究应变硅器件散射机制有利于理解载流子输运特性的物理机制。因此沟道和漏极区域分别建立了应变模型和散射模型,采用数值模拟方法对比研究了短沟道应变硅二极管中电子的输运...
关键词：应变 散射 沟道和漏极区域 硅二极管 蒙特卡洛模拟方法 
隧穿电流影响下的小尺寸电路设计
《佳木斯大学学报（自然科学版）》2014年第6期901-904,907,共5页吴铁峰 赵智超 王安 丁晓迪 
黑龙江省教育厅科学技术研究项目(12523055)
对于具有超薄的氧化层的小尺寸MOSFET器件,静态栅隧穿漏电流的存在严重地影响了器件的正常工作,基于新型应变硅材料所构成的MOSFET器件也存在同样的问题.为了说明漏电流对新型器件性能的影响,利用双重积分方法提出了小尺寸应变硅MOSFET...
关键词：应变硅 栅隧穿电流 预测模型 推挽电路 
对称三材料双栅应变硅金属氧化物半导体场效应晶体管二维解析模型被引量：3
《物理学报》2014年第14期389-394,共6页辛艳辉 刘红侠 王树龙 范小娇 
国家自然科学基金(批准号:61376099;11235008);教育部博士点基金(批准号:20130203130002;20110203110012)资助的课题~~
提出了对称三材料双栅应变硅金属氧化物半导体场效应晶体管器件结构,为该器件结构建立了全耗尽条件下的表面势模型、表面场强和阈值电压解析模型,并分析了应变对表面势、表面场强和阈值电压的影响,讨论了三栅长度比率对阈值电压和漏致...
关键词：应变硅 金属氧化物半导体场效应晶体管 表面势 阈值电压 
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