马路路

作品数：3被引量：1H指数：1
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供职机构：天津大学机械工程学院力学系更多>>
发文主题：显微拉曼光谱C-SI高分辨透射电镜转角XSI更多>>
发文领域：理学一般工业技术机械工程更多>>
发文期刊：《实验力学》更多>>
所获基金：国家自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家重点基础研究发展计划更多>>
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基于斜向背散射偏振拉曼光谱的{100}c-Si面内应力分析
《实验力学》2020年第2期183-189,共7页孟田 柴俊杰 马路路 常颖 曲传咏 仇巍 
国家自然科学基金(11827802,11890682,11772223)资助。
复杂应力状态下应力分量的解耦分析对半导体的设计和制造具有重要意义。本文开展了方法学研究,首先建立了{100}晶面族单晶硅面内应力分量解耦分析模型,基于该模型,通过改变入射光和散射光的几何构型和偏振构型,可得到单晶硅拉曼频移与...
关键词：{100}晶面族单晶硅 斜向背散射 显微拉曼光谱 面内应力 几何与偏振构型 
基于透射电镜晶格图像数字云纹的应变测量方法
《实验力学》2019年第2期191-199,共9页高智逊 马路路 邢华丹 赵煜乘 仇巍 
国家自然科学基金(11772223;11772227;61727810)资助
提出一种通过量化几何转角实现应变测量的数字云纹新方法。该方法以高分辨透射电镜(TEM)获取的晶格图像为基础,通过傅立叶变换-反傅里叶变换,将TEM晶格图像生成三个不同倾角的栅线图。以已知应变状态位置获取的TEM栅线图为参考栅,以所...
关键词：晶格图像 高分辨透射电镜(TEM) 数字云纹 应变测量 栅线转角 条纹倾角 
锗硅缓冲双轴应变硅材料ε-Si/Ge_(0.3)Si_(0.7)/Ge_xSi_(1-x)/C-Si内部残余应力的显微拉曼实验分析被引量：1
《实验力学》2016年第3期306-314,共9页马路路 程翠丽 雷振坤 赵煜乘 仇巍 
国家重点基础研究发展计划(2012CB937500);国家自然科学基金(11422219;11227202;11272232和11172054);2013教育部新世纪优秀人才支持计划资助
应变硅技术是一种被称为延续摩尔定律的技术,是集成微电子技术的热点之一。本文以锗硅缓冲双轴应变硅材料(ε-Si/Ge_(0.3)Si_(0.7)/Ge_xSi_(1-x)/C-Si)为研究对象,采用显微拉曼光谱技术,开展了该多层半导体异质结构内部残余应力的实验...
关键词：应变硅 半导体多层异质结构 横截面样品 显微拉曼光谱 残余应力 
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