应变硅技术

作品数：18被引量：22H指数：3
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新型应变SGOI/SOI/MOSFET器件结构及物理模型分析
《中国科技信息》2017年第13期71-72,共2页赵智超 吴铁峰 
“佳木斯大学博士基金项目”(项目编号:22Zb201516)的研究成果
SOI技术和应变硅技术的广泛应用和融合大大提升了新型应变硅器件的发展，通过对新型应变器件结构及物理模型的深入分析和研究，有效改善了传统MOSFET器件因结构尺寸小的限制。同时，沟道掺杂工程在晶体器件中的广泛引入，使得新型应变So...
关键词：MOSFET器件 应变硅技术 SOI技术 物理模型 器件结构 结构尺寸 晶体器件 沟道掺杂 
应变硅技术在纳米CMOS中的应用被引量：1
《电子与封装》2012年第1期31-36,共6页刘国柱 姚飞 王树杰 林丽 
应变硅技术具有迁移率高、能带结构可调的优点,且与传统的体硅工艺相兼容,在CMOS工艺中得到广泛地应用,尤其是MOS器件的尺寸进入纳米节点。文章综述了应变硅技术对载流子迁移率影响的机理,并从全局应变和局部应变两个方面介绍了应变硅在...
关键词：应变硅 CMOS 全局应变 局部应变 
延伸摩尔定律的应变硅技术被引量：4
《微电子学》2008年第1期50-56,共7页王敬 
应变硅已成为延伸摩尔定律(Moore’s Law)的重要技术手段之一。综述了应变硅技术的发展及趋势。首先,从物理理论上分析了应变对硅沟道迁移率的影响;然后介绍了现有的各种应变硅技术;最后,分析了应变硅技术的发展趋势。
关键词：CMOS 应变硅 迁移率增强 源/漏工程 应力帽层 绝缘体上应变硅 
45nm工艺与关键技术被引量：4
《微纳电子技术》2007年第9期863-867,共5页翁寿松 
介绍了45 nm芯片所采用的关键工艺技术:193 nm ArF干法/浸没式光刻技术、低k电介质技术、高k电介质技术和应变硅技术等。英特尔45 nm全功能153 MB SRAM芯片与65 nm芯片相比,晶体管密度提高了2倍,晶体管开关速度提高20%以上,晶体管漏电...
关键词：45 nm工艺 193 NM ArF光刻技术 低k电介质技术 高k电介质技术 应变硅技术 
超晶格沟道能够降低栅极泄漏
《集成电路应用》2007年第3期38-38,共1页Peter Singer 
Robert J．Mears是用于宽带互联网的铒掺杂光纤放大器（EDFA）的发明者。他在寻找将光器件和波导结合到硅中的方法时．发现了一个有趣的结果：一种特殊的硅超晶格结构可以加速某一个方向上电子的定向运动（电流）．而阻碍其它方向上的...
关键词：泄漏电流 超晶格结构 沟道 栅极 应变硅技术 铒掺杂光纤放大器 Robert 宽带互联网 
45nm工艺及材料的最新动态被引量：1
《电子工业专用设备》2006年第11期9-12,共4页翁寿松 
介绍了45nm芯片、工艺和设备的最新动态。英特尔、TI、IBM、特许、英飞凌和三星都推出了45nm功能芯片。45nm主要工艺包括光刻、应变硅、低k电介质、Cu互连、高k电介质和离子注入等。光刻工艺采用193nmArF/浸没式光刻机。45nm工艺中应变...
关键词：45 nm芯片 45 nm工艺 45 nm设备 应变硅技术 
日本开发用于45nm工艺LSI的高性能化技术
《现代材料动态》2006年第7期11-11,共1页杨晓婵（摘译） 
日本东芝和索尼公司开发出用于45nm高性能LSI的元件高速化技术和配线加工技术。这次开发的技术是利用晶格畸变，使晶体管元件电流驱动能力提高的“应变硅”技术和多层配线层间使用的低介电常数绝缘膜相关技术。在应变硅技术中，通过对...
关键词：加工技术 LSI 开发 高性能化 工艺 日本 元件结构 应变硅技术 能力提高 电流驱动 
用于应变硅技术的高应力SiN薄膜的开发
《集成电路应用》2006年第5期36-39,共4页Bhadri Varadarajan Jim Sims Akhil Singhal Mike Christensen Gengwei Jiang Kevin Ilcisin Krishnan Shrinivasan Mohamad Ayoub Vineet Dharmadhikari Ming Xi 
在高级CMOS器件中，高应力氮化硅（SiN）薄膜是增强应变的主要方法，如果要改善PMOS或NMOS器件性能，则分别需要采用具有压应力和张应力的氮化硅薄膜。我们对相关机理进行了回顾。根据不同的淀积和工艺处理条件的组合，从而得刭了张应...
关键词：SiN薄膜 应变硅技术 高应力 氮化硅薄膜 开发 CMOS器件 器件性能 NMOS PMOS 处理条件 
AMD和IBM开发出提高晶体管速度的应变硅技术
《半导体信息》2006年第2期14-14,共1页陈裕权 
关键词：AMD IBM 半导体晶体 硅原子 半导体业 常规材料 能将 硅工艺 器件尺寸 批量生产 
双内核处理器王者——AMD Athlon 64 X2 4800+处理器
《电子与电脑》2005年第8期48-49,共2页homey 
关键词：处理器 ATHLON AMD 双内核 SSE3指令集 2.4GHz SOI技术 应变硅技术 工艺制造 
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