超晶格沟道能够降低栅极泄漏  

作　　者：Peter Singer 

机构地区：[1]Semiconductor International

出　　处：《集成电路应用》2007年第3期38-38,共1页Application of IC

摘　　要：Robert J．Mears是用于宽带互联网的铒掺杂光纤放大器（EDFA）的发明者。他在寻找将光器件和波导结合到硅中的方法时．发现了一个有趣的结果：一种特殊的硅超晶格结构可以加速某一个方向上电子的定向运动（电流）．而阻碍其它方向上的电流。该结果衍生出一种新的沟道替代技术，这种技术在某些方面与应变硅技术类似．即通过将杂质加入沟道中来修改硅的能带结构。在这种情况下．水平方向的电流（漏极电流）增大了．而垂直方向的泄漏电流却变小了。在保持甚至增大驱动电流的条件下，对于各种深亚微米制程，使用重构的沟道都能使NMOS的栅极泄漏电流降低60％．而PMOS则降低了80％。

关 键 词：泄漏电流 超晶格结构 沟道 栅极 应变硅技术 铒掺杂光纤放大器 Robert 宽带互联网 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]