日本开发用于45nm工艺LSI的高性能化技术  

作　　者：杨晓婵（摘译） 

出　　处：《现代材料动态》2006年第7期11-11,共1页Information of Advanced Materials

摘　　要：日本东芝和索尼公司开发出用于45nm高性能LSI的元件高速化技术和配线加工技术。这次开发的技术是利用晶格畸变，使晶体管元件电流驱动能力提高的“应变硅”技术和多层配线层间使用的低介电常数绝缘膜相关技术。在应变硅技术中，通过对晶体管元件施加应力（局部应变）时，对应力和膜厚条件等进行优化，使开发的晶体管元件的电流驱动能力提高40％。另外，即使使用应力层埋在下面的基板，通过开发简单、低成本的结晶方向选择工艺及新的晶体管元件结构，也可使电流驱动能力提高20％。

关 键 词：加工技术 LSI 开发 高性能化 工艺 日本 元件结构 应变硅技术 能力提高 电流驱动 

分 类 号：TN47[电子电信—微电子学与固体电子学] TQ325.14[化学工程—合成树脂塑料工业]