用于应变硅技术的高应力SiN薄膜的开发  

作　　者：Bhadri Varadarajan Jim Sims Akhil Singhal Mike Christensen Gengwei Jiang Kevin Ilcisin Krishnan Shrinivasan Mohamad Ayoub Vineet Dharmadhikari Ming Xi 

机构地区：[1]诺发系统公司

出　　处：《集成电路应用》2006年第5期36-39,共4页Application of IC

摘　　要：在高级CMOS器件中，高应力氮化硅（SiN）薄膜是增强应变的主要方法，如果要改善PMOS或NMOS器件性能，则分别需要采用具有压应力和张应力的氮化硅薄膜。我们对相关机理进行了回顾。根据不同的淀积和工艺处理条件的组合，从而得刭了张应力大于1．6GPa和压应力大于2．9GPa的氮化硅薄膜覆盖。

关 键 词：SiN薄膜 应变硅技术 高应力 氮化硅薄膜 开发 CMOS器件 器件性能 NMOS PMOS 处理条件 

分 类 号：TN304.055[电子电信—物理电子学] TP368.3