硅工艺

作品数：131被引量：257H指数：7
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：徐明生张大成郝一龙吴亚明廖敏更多>>
相关机构：北京大学清华大学中国科学院浙江大学更多>>
相关期刊：更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家杰出青年科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
28 nm体硅工艺FPGA BRAM脉冲激光试验及翻转特性
《空间科学学报》2024年第6期1147-1154,共8页薛国凤 周昌义 安军社 吴昊 王天文 
国家重点研发计划项目资助(2022YFF0503900)。
针对SRAM型FPGA内部BRAM在轨出现翻转错误以及如何有效进行容错设计的问题,提出了测试BRAM空间单粒子效应和多位翻转图样的方法.多位翻转图样可以表征单次单粒子事件导致的BRAM中相邻单元的翻转特征,进而用于分析逻辑字内是否存在多位翻...
关键词：单粒子效应 脉冲激光 多单元翻转(MCU) BRAM翻转图样 单粒子翻转容错 
一种基于40nm CMOS体硅工艺的抗单粒子翻转触发器设计
《小型微型计算机系统》2023年第12期2851-2857,共7页王海滨 侍言 郭刚 韩光洁 
国防科工局抗辐照应用技术创新基金重点项目(KFZC2020010401)资助;航天九院772所“同芯计划”高校专项科研计划项目(TX-P21-01)资助。
随着集成电路尺寸的不断减小,触发器受到单粒子打击时,电荷共享效应会使触发器电路的多个节点同时翻转.基于此,提出了一种新的触发器结构,即Rectangle DFF,可以有效过滤输入上的单粒子瞬态、并对三节点翻转免疫.该触发器由时钟晶体管堆...
关键词：触发器设计 单粒子三节点翻转 抗辐照加固 双联锁存储单元 
MEMS“三明治”倾角传感器的仿真分析和优化设计被引量：1
《遥测遥控》2022年第5期120-126,共7页高旗 陈青松 杨挺 杨贵玉 张洪涛 张皓 
对MEMS“三明治”式倾角传感器进行结构优化设计,敏感元件采用双梁-质量块结构,其中可动质量块通过双梁和周围框架相连,可动质量块和上下盖板构成上下差分电容。外界给定某一加速度时,上下间隙此消彼长,从而导致电容量发生变化。通过建...
关键词：MEMS倾角传感器 有限元仿真 灵敏度 线性度 谐振频率 体硅工艺 
28nm体硅工艺组合逻辑电路单粒子瞬态脉冲宽度研究被引量：1
《现代应用物理》2022年第1期105-109,共5页李同德 赵元富 王亮 舒磊 苑靖爽 黄昊 王维 
国家自然科学基金资助项目(11690045,61674015,11690040)。
随着工艺的进步,由单粒子瞬态(single event transient,SET)导致的软错误占比越来越高,因此,针对SET的加固十分重要。组合逻辑电路中由辐射导致的脉冲宽度分布特征成为纳米集成电路抗辐射加固设计的主要参考参数之一。设计了一款28 nm...
关键词：28nm体硅 组合逻辑电路 辐射试验 单粒子瞬态 脉冲宽度 
激光划切硅工艺的探讨
《数字通信世界》2022年第1期29-31,共3页沈怡东 钱清友 
划切主要分为砂轮和激光划切两种,而激光划切因其相干性好、方向性强、单色性好、划切效率高的特点,被广泛应用于半导体器件的划切工艺过程中。激光划切主要有红外划切及紫外划切两种工艺,又因为紫外光波长较短,频率较高的特点,使得划...
关键词：紫光 频率 深度 宽度 功率 
台积电的硅工艺发展计划
《中国电子商情》2021年第7期25-28,共4页《中国电子商情》编辑部 
6月,台积电(TSMC)召开年度技术研讨会,介绍硅工艺技术和封装路线图的最新情况。本文回顾其硅工艺的亮点和未来发展计划。几年前,台积电定义了四个“平台”,这些平台将获得研发投资:高性能计算(HPC)、移动设备、边缘/IoT计算(超低功率/泄...
关键词：研发投资 硅工艺 移动设备 路线图 台积电 
浅谈大容量矿热炉全煤冶炼工业硅工艺被引量：3
《铁合金》2021年第2期1-6,共6页段西京 
介绍了大容量矿热炉全煤冶炼工业硅的生产工艺,提出精煤替代木炭冶炼工业硅的可行性,并在全煤冶炼工业硅电炉参数选择、操作工艺方面提出建议。
关键词：大容量矿热炉 全煤 工业硅 
RIE反应离子刻蚀氮化硅工艺的研究被引量：5
《电子测量技术》2021年第7期107-112,共6页关一浩 雷程 梁庭 白悦杭 齐蕾 武学占 
山西省自然科学基金项目(201801D221203);山西省重点研发计划项目(201903D121123);高等学校科技创新项目(1810600108MZ)资助
氮化硅在红外热电堆中既充当钝化隔离层又充当红外吸收层,其薄膜刻蚀在MEMS工艺中至关重要。采用RIE-10NR反应离子刻蚀机以SF6为主要刻蚀气体,通过改变氧气流量、射频功率、腔室压强对氮化硅薄膜进行刻蚀实验。通过台阶仪及共聚焦显微...
关键词：氮化硅 多晶硅 反应离子刻蚀 刻蚀速率 非均匀性 
一种基于MEMS体硅工艺的三维集成T/R模块被引量：13
《半导体技术》2021年第4期300-304,336,共6页王清源 吴洪江 赵宇 赵永志 
采用微电子机械系统(MEMS)体硅三维异构集成技术,设计了一种应用于雷达的四通道瓦片式三维集成T/R模块。该模块由三层硅基封装堆叠而成,每层硅基封装内部腔体异构集成多个单片微波集成电路(MMIC),内部采用硅通孔(TSV)实现互连,层间通过...
关键词：微系统 微电子机械系统(MEMS)体硅工艺 T/R前端 三维异构集成 硅通孔(TSV) 
CVD外延锗锡及其光电探测器最新研究进展被引量：1
《微纳电子与智能制造》2021年第1期129-135,共7页苗渊浩 王桂磊 孔真真 赵雪薇 芦宾 董林鹏 RADAMSON H H 
国家自然科学基金重大研究计划(92064002)重点支持;广东省科技计划(2019B090909006)项目资助。
锗锡具有吸收系数高、直接带隙发光效率高、可用CVD生长、器件制备与硅工艺兼容等优势,是非常重要的硅基光电子材料。锗锡CVD生长技术及其探测器在理论意义和长远的军民用价值,受到欧美军事部门及政府机构的广泛资助。综述了锗锡CVD生...
关键词：锗锡 CVD 探测器 硅工艺兼容 
全选清除导出
共14页<12345678910>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部