体硅工艺

作品数：53被引量：142H指数：6
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相关机构：北京大学清华大学中国科学院中国电子科技集团第十三研究所更多>>
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28 nm体硅工艺FPGA BRAM脉冲激光试验及翻转特性
《空间科学学报》2024年第6期1147-1154,共8页薛国凤 周昌义 安军社 吴昊 王天文 
国家重点研发计划项目资助(2022YFF0503900)。
针对SRAM型FPGA内部BRAM在轨出现翻转错误以及如何有效进行容错设计的问题,提出了测试BRAM空间单粒子效应和多位翻转图样的方法.多位翻转图样可以表征单次单粒子事件导致的BRAM中相邻单元的翻转特征,进而用于分析逻辑字内是否存在多位翻...
关键词：单粒子效应 脉冲激光 多单元翻转(MCU) BRAM翻转图样 单粒子翻转容错 
一种基于40nm CMOS体硅工艺的抗单粒子翻转触发器设计
《小型微型计算机系统》2023年第12期2851-2857,共7页王海滨 侍言 郭刚 韩光洁 
国防科工局抗辐照应用技术创新基金重点项目(KFZC2020010401)资助;航天九院772所“同芯计划”高校专项科研计划项目(TX-P21-01)资助。
随着集成电路尺寸的不断减小,触发器受到单粒子打击时,电荷共享效应会使触发器电路的多个节点同时翻转.基于此,提出了一种新的触发器结构,即Rectangle DFF,可以有效过滤输入上的单粒子瞬态、并对三节点翻转免疫.该触发器由时钟晶体管堆...
关键词：触发器设计 单粒子三节点翻转 抗辐照加固 双联锁存储单元 
MEMS“三明治”倾角传感器的仿真分析和优化设计被引量：1
《遥测遥控》2022年第5期120-126,共7页高旗 陈青松 杨挺 杨贵玉 张洪涛 张皓 
对MEMS“三明治”式倾角传感器进行结构优化设计,敏感元件采用双梁-质量块结构,其中可动质量块通过双梁和周围框架相连,可动质量块和上下盖板构成上下差分电容。外界给定某一加速度时,上下间隙此消彼长,从而导致电容量发生变化。通过建...
关键词：MEMS倾角传感器 有限元仿真 灵敏度 线性度 谐振频率 体硅工艺 
28nm体硅工艺组合逻辑电路单粒子瞬态脉冲宽度研究被引量：1
《现代应用物理》2022年第1期105-109,共5页李同德 赵元富 王亮 舒磊 苑靖爽 黄昊 王维 
国家自然科学基金资助项目(11690045,61674015,11690040)。
随着工艺的进步,由单粒子瞬态(single event transient,SET)导致的软错误占比越来越高,因此,针对SET的加固十分重要。组合逻辑电路中由辐射导致的脉冲宽度分布特征成为纳米集成电路抗辐射加固设计的主要参考参数之一。设计了一款28 nm...
关键词：28nm体硅 组合逻辑电路 辐射试验 单粒子瞬态 脉冲宽度 
一种基于MEMS体硅工艺的三维集成T/R模块被引量：14
《半导体技术》2021年第4期300-304,336,共6页王清源 吴洪江 赵宇 赵永志 
采用微电子机械系统(MEMS)体硅三维异构集成技术,设计了一种应用于雷达的四通道瓦片式三维集成T/R模块。该模块由三层硅基封装堆叠而成,每层硅基封装内部腔体异构集成多个单片微波集成电路(MMIC),内部采用硅通孔(TSV)实现互连,层间通过...
关键词：微系统 微电子机械系统(MEMS)体硅工艺 T/R前端 三维异构集成 硅通孔(TSV) 
基于体硅工艺的大厚度硅基垂直互联结构被引量：1
《山东工业技术》2020年第1期84-87,共4页曾鸿江 
针对传统的圆柱型硅通孔(TSV)垂直互联结构的厚度薄、结构可靠性低等缺陷,本文设计了一种新型基于MEMS体硅腐蚀工艺的硅基垂直互联结构。这种新型硅基垂直互联结构具有大厚度、低成本、易于与硅基CMOS工艺兼容等优点,可运用于三维硅基...
关键词：硅基板 垂直互联结构 体硅工艺 
紫外皮秒激光刻蚀体硅工艺研究被引量：6
《应用激光》2019年第6期1002-1005,共4页骆公序 荆超 汪于涛 王丽 沈佳俊 
上海市科委资助项目(项目编号:18560730900,19511130400)。
针对体硅的加工应用,开展皮秒紫外激光三维刻蚀单晶硅工艺研究。通过工艺实验,得出在激光脉冲能量6μJ,固定XY点间距4μm,在单晶硅上刻蚀600μm×600μm方槽,单次去除的深度在1μm,单次加工用时0.5 s,加工的侧壁在14°,可以获得较好的20...
关键词：激光应用 体硅工艺 激光直接加工 紫外皮秒激光 
65 nm体硅工艺NMOS中单粒子多瞬态效应的研究被引量：3
《电子科技》2018年第1期12-15,共4页梁永生 吴郁 郑宏超 李哲 
国家自然科学基金(61176071)
针对NMOS场效应晶体管由重离子辐射诱导发生的单粒子多瞬态现象,参考65 nm体硅CMOS的单粒子瞬态效应的试验数据,采用TCAD仿真手段,搭建了65 nm体硅NMOS晶体管的TCAD模型,并进一步对无加固结构、保护环结构、保护漏结构以及保护环加保护...
关键词：单粒子效应 单粒子瞬态 电荷共享 抗辐射 
基于体硅MEMS技术的悬浮微结构加工工艺研究被引量：3
《电子与封装》2015年第7期37-40,共4页刘晓兰 朱政强 党元兰 徐亚新 
国家自然科学基金(61404119)
针对体硅MEMS加工技术的特点,确定了悬浮微结构的加工工艺流程,并对加工过程中的硅基深槽腐蚀工艺和ICP刻蚀工艺这两项关键技术及其中的重要影响因素进行了研究,得到了硅基深槽腐蚀的溶液类型、浓度和温度等工艺参数,以及ICP刻蚀工艺的...
关键词：体硅工艺 悬浮微结构 硅基深槽腐蚀 ICP刻蚀 
垂直梳齿驱动的大尺寸MOEMS扫描镜被引量：5
《光学精密工程》2013年第2期400-407,共8页刘英明 徐静 钟少龙 翟雷应 吴亚明 
国家863高技术研究发展计划资助项目(2008AA03Z406;2009AA03Z443);国家自然科学基金资助项目(60877066)
提出了一种采用垂直梳齿驱动器驱动的大尺寸、大扭转角度、低驱动电压微光机电系统(MOEMS)扫描镜。理论分析了垂直梳齿驱动器的工作原理,研究了垂直梳齿的制作工艺,采用体硅加工工艺结合硅-硅键合工艺制作了垂直梳齿驱动的MOEMS扫描镜...
关键词：微光机电系统(MOEMS) 扫描微镜 垂直梳齿驱动器 体硅工艺 
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