王亮

作品数：1被引量：1H指数：1
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发文主题：脉冲宽度组合逻辑电路体硅工艺体硅加固技术更多>>
发文领域：核科学技术电子电信航空宇航科学技术更多>>
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28nm体硅工艺组合逻辑电路单粒子瞬态脉冲宽度研究被引量：1
《现代应用物理》2022年第1期105-109,共5页李同德 赵元富 王亮 舒磊 苑靖爽 黄昊 王维 
国家自然科学基金资助项目(11690045,61674015,11690040)。
随着工艺的进步,由单粒子瞬态(single event transient,SET)导致的软错误占比越来越高,因此,针对SET的加固十分重要。组合逻辑电路中由辐射导致的脉冲宽度分布特征成为纳米集成电路抗辐射加固设计的主要参考参数之一。设计了一款28 nm...
关键词：28nm体硅 组合逻辑电路 辐射试验 单粒子瞬态 脉冲宽度 
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