赵元富

作品数：4被引量：6H指数：1
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发文主题：触发器单粒子翻转单粒子重离子体硅工艺更多>>
发文领域：电子电信核科学技术更多>>
发文期刊：《上海航天（中英文）》《现代应用物理》更多>>
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28nm体硅工艺组合逻辑电路单粒子瞬态脉冲宽度研究被引量：1
《现代应用物理》2022年第1期105-109,共5页李同德 赵元富 王亮 舒磊 苑靖爽 黄昊 王维 
国家自然科学基金资助项目(11690045,61674015,11690040)。
随着工艺的进步,由单粒子瞬态(single event transient,SET)导致的软错误占比越来越高,因此,针对SET的加固十分重要。组合逻辑电路中由辐射导致的脉冲宽度分布特征成为纳米集成电路抗辐射加固设计的主要参考参数之一。设计了一款28 nm...
关键词：28nm体硅 组合逻辑电路 辐射试验 单粒子瞬态 脉冲宽度 
28nm工艺触发器抗单粒子翻转版图加固技术被引量：1
《现代应用物理》2022年第1期110-115,共6页苑靖爽 赵元富 王亮 李同德 孙雨 朱永钦 
国家自然科学基金资助项目(11690045,61674015,11690040)。
为提高28 nm体硅工艺下的触发器的抗SEU能力,针对28 nm集成电路的版图空间布局加固技术进行了研究,基于敏感节点对分离和电荷补偿原理,设计了2种抗辐射加固触发器版图结构。同时设计了3种不同敏感节点对分离距离和采用电荷补偿原理加固...
关键词：单粒子翻转 触发器 敏感节点对 单粒子加固设计 重离子试验 
采用滤波结构的28nm触发器抗单粒子翻转研究
《现代应用物理》2022年第1期129-134,共6页孙雨 赵元富 岳素格 王亮 李同德 苑靖爽 于春青 
国家自然科学基金资助项目(11690045,61674015,11690040)。
基于28 nm体硅CMOS工艺,设计了双路滤波的触发器(flip-flop,FF)结构,在传统的双互锁存(dual interlocked cell,DICE)加固基础上,对数据、时钟及复位信号均引入双路滤波结构。为研究不同滤波宽度的加固效果,设计了不同的滤波梯度。试验...
关键词：单粒子瞬态效应 滤波梯度 触发器 单粒子翻转加固 重离子试验 
宇航抗辐射加固集成电路技术发展与思考被引量：4
《上海航天（中英文）》2021年第4期12-18,44,共8页赵元富 王亮 岳素格 隋成龙 李同德 
宇航抗辐射加固集成电路是航天工程的核心基础技术。长期以来,美欧等国家对抗辐射加固集成电路持续支持并严格禁运,宇航集成电路的发展和自主可控是我国向航天强国迈进的关键核心基础之一,受到国家的高度重视。本文总结了宇航抗辐射加...
关键词：抗辐射加固集成电路 软加固的天算芯片 高压高功率器件加固 单粒子效应仿真 
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