新型应变SGOI/SOI/MOSFET器件结构及物理模型分析  

作　　者：赵智超[1] 吴铁峰[1] 

机构地区：[1]佳木斯大学

出　　处：《中国科技信息》2017年第13期71-72,共2页China Science and Technology Information

基　　金：“佳木斯大学博士基金项目”(项目编号:22Zb201516)的研究成果

摘　　要：SOI技术和应变硅技术的广泛应用和融合大大提升了新型应变硅器件的发展，通过对新型应变器件结构及物理模型的深入分析和研究，有效改善了传统MOSFET器件因结构尺寸小的限制。同时，沟道掺杂工程在晶体器件中的广泛引入，使得新型应变SolMOSFET器件得到了飞速的发展，在未来的社会发展中有着广泛的应用前景。

关 键 词：MOSFET器件 应变硅技术 SOI技术 物理模型 器件结构 结构尺寸 晶体器件 沟道掺杂 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]