SOI技术

作品数：107被引量：81H指数：5
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基于UTB-SOI技术的双辅助触发SCR ESD防护器件研究
《微电子学》2023年第6期1109-1113,共5页张效俊 成建兵 李瑛楠 孙旸 吴家旭 
国家自然科学基金资助项目(61274080)
为了提高FDSOI ESD防护器件的二次击穿电流,基于UTB-SOI技术,提出了一种SOI gg-NMOS和寄生体硅PNP晶体管双辅助触发SCR器件。通过gg-NMOS源区的电子注入和寄生PNP晶体管的开启,共同辅助触发主泄放路径SCR,快速泄放ESD电流。TCAD仿真结...
关键词：全耗尽绝缘体上硅 静电放电 双辅助触发 二次击穿电流 
高温SOI技术的发展现状和前景被引量：3
《电子与封装》2022年第12期85-93,共9页罗宁胜 曹建武 
高温绝缘层上硅(SOI)技术突破了体硅半导体器件的高温困境,已被广泛应用于石油天然气钻探、航空航天和国防装备等尖端领域。近年来,第三代宽禁带半导体功率器件已日趋成熟和普及,其中SiC器件以其先天的耐高压、耐高温等特性,与高温SOI...
关键词：体硅 绝缘层上硅 SIC 高温SOI技术 
CEA、Soitec、格芯和ST合力推进下一代 FD SOI技术发展规划
《单片机与嵌入式系统应用》2022年第6期32-32,共1页
CEA、Soitec、格芯 (GlobalFoundries) 和意法半导体(ST)宣布一项新的合作协议,四家公司计划联合制定行业的下一代 FD SOI(全耗尽型绝缘体上硅)技术发展规划。半导体器件和 FD SOI技术创新对法国和欧盟以及全球客户具有战略价值。FD SOI...
关键词：SOI技术 绝缘体上硅 半导体器件 移动应用 技术发展规划 意法半导体 通信连接 物联网 
微小量程联动薄膜压力敏感芯片仿真分析
《微处理机》2021年第4期29-32,共4页任治凯 揣荣岩 张冰 杨宇新 
为顺应MEMS技术发展趋势、满足微小压力测量需求,基于SOI技术设计一种联动薄膜压力敏感结构。通过有限元软件COMSOL Multiphysics对结构进行建模仿真分析,按照仿真结果设计优化方案,确定新改进的结构参数。仿真给出所设计芯片的线性响...
关键词：微机电系统 压力敏感结构 微小量程 联动薄膜 SOI技术 非线性 
压阻式小量程SOI加速度敏感芯片设计与分析被引量：1
《仪表技术与传感器》2021年第2期28-31,40,共5页杨宇新 揣荣岩 张冰 李新 张贺 
国家自然科学基金项目(61372019);辽宁省高等学校基本科研项目(LFGD2017015)。
为满足建筑物振动监测等应用对小加速度信号测量的需求,采用带有微梁和支撑梁的敏感结构设计了一种压阻式小量程加速度传感器芯片,为弥补压阻式传感器测量小信号精度低这一不足,基于SOI技术设计了单晶硅应变电阻。利用有限元法对敏感芯...
关键词：加速度传感器 小量程 敏感微梁 过载能力 应变电阻 SOI技术 
Lattice CrossLink-NX系列低功耗FPGA开发方案
《世界电子元器件》2021年第2期39-45,共7页
Lattice公司的Cross Link-NX系列是有各种应用的低功耗FPGA,支持各种高带宽传感器和显示器接口,视频处理和机器学习推理.采用低功耗28nm FD-SOI技术,基于Lattice Nexus FPGA平台. Cross Link-NX系列组合了极为灵活的FPGA和低功耗以及高...
关键词：占位面积 机器学习 SOI技术 视频处理 FPGA平台 LATTICE Link LVDS 
Lattice CrossLink-NX低功耗FPGA嵌入可视和AI应用方案
《世界电子元器件》2020年第10期49-53,共5页
lattice公司的Cross Link-NX系列是低功耗FPGA,支持各种多种高带宽传感器和显示器接口,视频处理和机器学习推理.采用Lattice公司的Nexus FPGA平台,低功耗28nm FD-SOI技术,组合了极为灵活的FPGA和低功耗以及FD-SOI技术的高可靠性(由于极...
关键词：SOI技术 占位面积 视频处理 机器学习 FPGA平台 Link 低功耗 应用方案 
迎接5G产业机遇——2019国际RF-SOI研讨会上海召开
《中国集成电路》2019年第10期27-28,39,共3页黄友庚 
9月17日,由SOI产业联盟、上海新傲科技、芯原微电子、硅产业集团和中国科学院上海微系统与信息技术研究所(SIMIT)共同组织的“2019国际RF-SOI研讨会”在上海隆重召开。来自全球400多位RF-SOI领域的行业领袖和技术专家齐聚一起,共同探讨R...
关键词：产业联盟 上海 SOI技术 5G 中国科学院 信息技术 产业集团 技术专家 
FD-SOI技术产业链及市场简析被引量：2
《中国集成电路》2019年第10期29-32,共4页朱雷 
超薄基体埋氧全耗尽绝缘层基硅(Ultra Thin body and BOX- Fully Depleted - silicon on insulator,UTBB-FD-SOI,以下简称FD-SOI),是一种基于两大创新来实现平面晶体管结构的工艺技术:一是,在体硅中引入了超薄的埋氧(BOX)层,作为绝缘层...
关键词：SOI技术 产业链 市场 晶体管 设备结构 芯片面积 摩尔定律 生产流程 
压阻式小量程SOI压力敏感结构仿真分析被引量：2
《仪表技术与传感器》2019年第2期14-17,共4页揣荣岩 吕品 杨宇新 张冰 
国家自然科学基金项目(61372019)
针对小量程MEMS压力传感器存在提高灵敏度与降低非线性相互制约的问题,利用板壳理论对小量程压力敏感结构进行了仿真分析,给出了兼顾这两个相互制约技术指标的设计方法。基于SOI技术设计了小量程压力敏感结构,通过感压膜片断裂前与衬底...
关键词：压力敏感结构 小量程 灵敏度 非线性 过载 SOI技术 
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