云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 成建兵

成建兵: 作品数：19被引量：46H指数：3; 导出分析报告; 供职机构：南京邮电大学更多>>; 发文主题：击穿电压触发埋氧层重掺杂漂移区更多>>; 发文领域：电子电信文化科学自动化与计算机技术更多>>; 发文期刊：《微电子学》《固体电子学研究与进展》《中国科学：信息科学》《Journal of Semiconductors》更多>>; 所获基金：国家自然科学基金江苏省自然科学基金中国博士后科学基金江苏省高等教育教改立项研究课题更多>>

一种具有高ESD泄放电流的AlGaN/GaN HEMT器件: 《固体电子学研究与进展》2024年第4期289-294,共6页吴家旭成建兵孙旸周成龙姜圣杰; 国家自然科学基金资助项目(61274080)。; 为满足AlGaN/GaN HEMT器件的高静电放电(Electrostatic discharge, ESD)防护需求,提出了一种用于泄放静电电荷的具有掺杂沟槽的GaN HEMT防护结构。通过在沟道层下方引入沟槽,提高了GaN HEMT在面对ESD事件时的电流泄放能力,同时将沟槽设...; 关键词：高电子迁移率晶体管静电放电高泄放电流沟槽

基于UTB-SOI技术的双辅助触发SCR ESD防护器件研究: 《微电子学》2023年第6期1109-1113,共5页张效俊成建兵李瑛楠孙旸吴家旭; 国家自然科学基金资助项目(61274080); 为了提高FDSOI ESD防护器件的二次击穿电流,基于UTB-SOI技术,提出了一种SOI gg-NMOS和寄生体硅PNP晶体管双辅助触发SCR器件。通过gg-NMOS源区的电子注入和寄生PNP晶体管的开启,共同辅助触发主泄放路径SCR,快速泄放ESD电流。TCAD仿真结...; 关键词：全耗尽绝缘体上硅静电放电双辅助触发二次击穿电流

一种新型小电容ESD箝位电路: 《微电子学》2023年第5期827-833,共7页李瑛楠成建兵张效俊吴家旭孙旸; 国家自然科学基金资助项目(61274080); 为了解决RC触发机制在小电容条件下开启时间不足的问题,设计了一种新型ESD箝位电路。电路采用反馈和分流机制与电容组合的方法,将小电容与一个受反馈nMOS控制的分流nMOS并联。分流nMOS分流了电容的充电电流,从而延长了电路的开启时间。...; 关键词：ESD 小电容开启时间最小开启电压误触发

一种新型双Fin ESD防护单元研究: 《微电子学》2023年第2期321-325,共5页成建兵周嘉诚刘立强张效俊孙旸; 国家自然科学基金资助项目(61274080)。; 为满足小尺寸器件的ESD防护需求,基于Fin技术,提出了一种具有寄生SCR的STI双Fin结构。通过采用双Fin布局和深掺杂技术,减小了器件的基区宽度,避免了Fin技术中由弱电导调制导致的SCR无法开启的现象。仿真结果表明,相比于DFSD结构,新结构...; 关键词：鳍式场效应晶体管电导调制深掺杂静电放电

大国工匠精神的培养——以微电子器件设计课程教学为例被引量：2: 《中国现代教育装备》2022年第21期123-125,共3页成建兵于舒娟陈德媛许杰刘蕾蕾; 教育部电子信息类专业教学指导委员会教学改革研究项目“新工科背景下电子信息类一流专业建设的探索与研究”(编号:2021-JG-28);江苏省高等教育教学改革研究课题《“双一流背景下电子信息类一流专业建设的研究与实践”》(编号:2021JSJG701);南京邮电大学教学改革项目“《微电子器件设计》教学改革对微电子专业可持续发展的推进研究”(编号:JG10619JX13);南京邮电大学教学改革项目“双一流背景下电子信息类一流专业建设的探索与研究”(编号:JG10621JX04);南京邮电大学通达学院教学改革项目“‘互联网+’背景下独立学院《电路分析基础》教学改革与实践”(编号:JG30318001)。; 目前,我国微电子相关产业的人才缺口高达几十万。随着集成电路产业向纵深发展,对微电子相关的教育工作者提出了更多量、更高质的人才培养要求。在当前国内外形势下,培养贴合产业需要、支撑集成电路产业发展的大国工匠已成为高校微电子...; 关键词：大国工匠工匠精神集成电路微电子电子器件

一种具有低EMI噪声的低阻空穴路径IGBT被引量：2: 《固体电子学研究与进展》2022年第5期347-351,共5页成建兵刘立强周嘉诚吴家旭李瑛楠; 国家自然科学基金资助项目(61274080)。; 为了解决浮空P区IGBT器件在小电流开启时存在较大EMI噪声的问题,提出了一种低阻空穴路径结构的IGBT。新结构在浮空P区中引入P+层以形成高低结,在开启过程中,较低电势的P+层加强了浮空P区空穴沿空穴路径地流出,呈现出低阻空穴路径,从而...; 关键词：绝缘栅双极晶体管浮空P区小电流开启电磁干扰噪声

一种集成RC吸收器的低EMI分离栅VDMOS被引量：3: 《微电子学》2020年第5期720-725,共6页王玲成建兵陈明张才荣邓志豪; 国家自然科学基金资助项目(61274080)。; 为满足高速、高集成度和低EMI的要求,提出了一种分离栅VDMOS器件。通过在JFET区集成梳状MOS电容、漂移区电阻,构成内部集成RC吸收器,减小了器件关断过程中漏端电压斜率dVds/dt和电流斜率dId/dt。仿真结果表明,相比于常规VDMOS,该VDMOS...; 关键词：VDMOS 分离栅 RC吸收器 EMI

基于阳极弱反型层消除负阻效应的新型SOI LIGBT: 《微电子学》2017年第5期714-717,共4页周骏成建兵袁晴雯陈珊珊吴宇芳王勃; 国家自然科学基金资助项目(61274080); 在SOI衬底上,制作了一种基于阳极弱反型层消除负阻效应的新型横向绝缘栅双极晶体管(SOI AWIL-LIGBT)。利用反型所形成的高阻值电阻来使PN结阳极快速导通,阳极P+区中的空穴可以更快地注入漂移区,从而消除负阻效应。仿真结果表明,该新型LT...; 关键词：阳极短路横向绝缘栅双极晶体管击穿电压反型层负微分电阻效应

阶梯掺杂P柱区二维类超结LDMOS的研究: 《微电子学》2017年第4期576-580,共5页袁晴雯成建兵周骏陈珊珊吴宇芳王勃; 国家自然科学基金资助项目(61274080); 提出了一种阶梯掺杂P柱区二维类超结LDMOS结构。漂移区采用P/N柱交替掺杂的方式形成纵向类超结。漂移区的P柱采用掺杂浓度从源端到漏端逐渐变低的变掺杂结构。这种变掺杂P柱区的引入对衬底辅助耗尽效应所带来的电荷不平衡问题进行了调制...; 关键词：类超结阶梯掺杂击穿电压导通电阻

基于40nm超大规模SoC芯片存储器测试电路设计与实现被引量：3: 《电子器件》2017年第4期813-818,共6页陈冬明成建兵蔡志匡; 针对超大规模SoC(System on Chip)芯片中存储器的测试需求,首先分析存储器测试中存在的主要问题,包括新故障模型和新算法的需求、对电路性能的影响、以及测试成本的增加等。针对上述问题,存储器测试电路设计中,综合考虑PPA(Power Perfor...; 关键词：可测性设计存储器测试内建自测试故障模型测试算法

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