电导调制

作品数：17被引量：23H指数：3
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具有可控空穴抽取路径的低损耗4H-SiC双沟槽超结IGBT
《电子元件与材料》2024年第9期1071-1080,共10页吴栋 姚登浪 郭祥 丁召 
贵州省科学技术基金(黔科合基础[2020]1Y271)。
基于TCAD设计并仿真了一种具有可控空穴抽取(CHE)路径的双沟槽超结IGBT(CHE-SJ-TIGBT)结构。该器件采用肖特基和非对称超结结构,以增强器件的导通性能和阻断能力。CHE路径由金属栅极(MES)控制。CHE-SJ-TIGBT导通时,高偏置的MES栅极电压...
关键词：阻断电压 电导调制 SiC IGBT 导通压降 关断损耗 肖特基 
非线性电导调制SiC/环氧树脂绝缘涂层热氧/湿热老化研究
《机械工程学报》2024年第6期207-215,共9页梁玉 陆国权 梅云辉 
国家自然科学基金资助项目(U1966212,51922075,51877147)。
高压电力电子器件的发展对其绝缘封装提出了更高要求。提出一种可以提升功率器件高压绝缘性能的非线性电导调制绝缘涂层,并对其性能进行研究分析。首先研究了非线性电导调制SiC/环氧树脂复合材料的制备工艺方法,并研究了材料电导率随电...
关键词：非线性电导涂层 局部放电 绝缘材料 功率器件 封装 
一种新型双Fin ESD防护单元研究
《微电子学》2023年第2期321-325,共5页成建兵 周嘉诚 刘立强 张效俊 孙旸 
国家自然科学基金资助项目(61274080)。
为满足小尺寸器件的ESD防护需求,基于Fin技术,提出了一种具有寄生SCR的STI双Fin结构。通过采用双Fin布局和深掺杂技术,减小了器件的基区宽度,避免了Fin技术中由弱电导调制导致的SCR无法开启的现象。仿真结果表明,相比于DFSD结构,新结构...
关键词：鳍式场效应晶体管 电导调制 深掺杂 静电放电 
浮空p柱结构的超结IGBT器件的设计
《半导体技术》2022年第8期606-611,共6页吴玉舟 李泽宏 禹久赢 潘嘉 陈冲 任敏 
江苏省重点研发计划项目(BE2020010)。
针对传统结构超结IGBT器件在大电流应用时的电导调制效应较弱,削弱了IGBT器件低饱和导通压降优点的问题,设计了p柱浮空的超结IGBT器件(FP-SJ-IGBT)。采用深槽刻蚀和回填工艺制备了p柱和p体区分离的超结IGBT器件。测试结果表明,该器件击...
关键词：浮空p柱 超结 IGBT 寄生双极结型晶体管 电导调制 
电导调制的相减拓扑可重构多相开关电容DC-DC被引量：1
《微电子学与计算机》2021年第7期13-17,共5页康昊鹏 王霄飞 金晶 
国家自然科学基金(61774103)。
提出了相减模式的可重构多相位开关电容DC-DC变换器,实现1/2和2/3两种转换比.在2/3模式下,利用减法拓扑降低了传统串并联架构中的寄生损耗.给出了多相位开关电容DC-DC在脉冲频率调制下的环路小信号模型;提供了开关频率和开关管尺寸在给...
关键词：开关电容 减法拓扑 可重构 脉冲频率调制 小信号模型 电导调制 
SOI-LDMOS器件改善电安全工作区后驼峰现象的研究被引量：1
《固体电子学研究与进展》2012年第3期262-268,共7页霍昌隆 刘斯扬 钱钦松 孙伟锋 
江苏省自然科学基金支持项目(BK2008287)
研究了高压SOI-LDMOS器件在引入P-sink结构改善电安全工作区(E-SOA)后I-V特性曲线呈现的驼峰现象(hump)。首先将驼峰现象出现后器件的源端总电流分成电子电流与空穴电流单独分析,确定高栅压下电子电流阶梯上升是驼峰现象产生的表面原因...
关键词：电安全工作区 驼峰现象 Kirk效应 电导调制 
微波激励PIN二极管的时频响应研究被引量：3
《微波学报》2011年第3期9-12,16,共5页杨成 万双林 刘培国 
武器装备预研基金
利用一种PIN二极管子电路模型,分析微波激励下的I区电导调制机理,通过ADS软件瞬态、谐波仿真,研究Ⅰ层厚度w和少数载流子寿命τ对PIN二极管时频响应的影响。结果表明,对于同一微波激励,w越大,尖峰泄漏功率越大,导通时隔离度越小;τ越大...
关键词：PIN二极管 电导调制 时频响应 Ⅰ层厚度 
BSIT电导调制区的收缩和偶极区的形成
《电力电子技术》2007年第7期98-100,共3页杨建红 汪再兴 张辉 闫锐 
对大注入情况下的双极型静电感应晶体管(Bipolar Static Induction Transistor,简称BSIT)的特性作了数值分析。器件尺寸为15000nm×200000nm。分析结果表明,当栅源电压大于0.5V时,在适当的漏源电压下,漏电流就会达到饱和。在大注入情况...
关键词：晶体管 电学性能/偶极区 电导调制 双极型晶体管 
局域寿命控制NPT-IGBT瞬态模型被引量：3
《Journal of Semiconductors》2006年第6期1078-1083,共6页方健 吴超 乔明 张波 李肇基 
国家军事电子预研(批准号:41308020405);武器装备预研基金(批准号:51408030404DZ0215)资助项目~~
提出了局域寿命控制下NPT IGBT的瞬态模型,并与数值分析结果进行了对比,验证了模型的正确性.该模型采用了准静态近似,将关断过程分为快速下降阶段和缓慢下降阶段分别加以求解而得到.基于该模型,详细讨论了局域低寿命区参数对关断时间的...
关键词：局域寿命控制 NPT-IGBT 关断时间 电导调制 
短漂移区肖特基-p-i-n混合整流二极管(MPS)的电学特性研究被引量：1
《兰州大学学报（自然科学版）》2006年第3期80-84,共5页韩颖晖 汪再兴 闫锐 杨建红 
肖特基-p-i-n整流二极管(MPS)的作用机制比较复杂．采用数值模拟的方法研究MPS的工作机制,清晰地给出了肖特基势垒、p-n结势垒以及两种势垒共同作用下器件内部电势、载流子浓度分布和电压-电流特性．结果表明:在MPS阳极区(p+区)注入空...
关键词：MPS P-I-N 电导调制 肖特基势垒 
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