阻断电压

作品数：58被引量：45H指数：3
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具有可控空穴抽取路径的低损耗4H-SiC双沟槽超结IGBT
《电子元件与材料》2024年第9期1071-1080,共10页吴栋 姚登浪 郭祥 丁召 
贵州省科学技术基金(黔科合基础[2020]1Y271)。
基于TCAD设计并仿真了一种具有可控空穴抽取(CHE)路径的双沟槽超结IGBT(CHE-SJ-TIGBT)结构。该器件采用肖特基和非对称超结结构,以增强器件的导通性能和阻断能力。CHE路径由金属栅极(MES)控制。CHE-SJ-TIGBT导通时,高偏置的MES栅极电压...
关键词：阻断电压 电导调制 SiC IGBT 导通压降 关断损耗 肖特基 
光刻ME工艺显影后掉胶丝问题的研究
《内江科技》2024年第8期77-78,共2页赵田 
晶闸管作为一种半导体核心器件被广泛应用于发电、输配电、电能变换、储能、节能环保等装备。在生产过程中,工艺程序复杂、工艺要求严格,任何一道工序直接影响着晶闸管的参数特性,特别是光刻ME工艺,直接影响着芯片台面阻断电压。这就要...
关键词：阻断电压 晶闸管 光刻 半导体 参数特性 工艺程序 输配电 电能变换 
高电压芯片级串联SiC MOSFET模块的封装设计
《电子与封装》2023年第11期108-108,共1页尚海 梁琳 刘彤 
随着智能电网、新能源发电技术和轨道交通的发展,中压和高压电力电子设备是必然的发展趋势,因此需要越来越多的高压功率半导体模块来降低拓扑和控制系统的复杂性。在应用时,单芯片高压SiC MOSFET与串联低压SiC MOSFET相互竞争。前者由...
关键词：芯片级 阻断电压 寄生电感 电力电子设备 封装设计 MOSFET 串联方式 成本效益 
低导通压降MOS控制晶闸管的研制
《半导体技术》2023年第6期476-481,487,共7页刘中梦雪 黄伟 刘垚 张海峰 段懿晨 丁继洪 赵建强 
基于6英寸(1英寸≈2.54 cm)半导体工艺平台研制了一款低导通压降的MOS控制晶闸管(MCT)。通过对MCT正向阻断状态和导通状态的理论分析,阐述p基区结构参数影响正向阻断特性和导通特性的机理。采用Silvaco TCAD软件建立静态特性模型并进行...
关键词：MOS控制晶闸管(MCT) 导通压降 正向阻断电压 p基区 静态特性 
特大功率晶闸管结终端技术对阻断电压的影响被引量：2
《电力电子技术》2022年第3期130-132,共3页陈黄鹂 王红梅 程炯 张刚琦 
国家电网有限公司总部科技项目(521999200020)。
在此通过计算机仿真方法对影响特大功率晶闸管阻断电压的结终端技术进行仿真分析,并对仿真结论进行试验验证,证实了具有双负斜角结构的特大功率晶闸管,其结终端技术的负斜角角度和造型深度对结终端空间电荷区的扩展和电场分布有重要影响...
关键词：特大功率晶闸管 结终端技术 阻断电压 
阻态下晶闸管的温度场模型计算及热失效分析被引量：2
《电力电子技术》2021年第12期51-54,共4页马宁强 陈黄鹂 乔旭 何舜晗 
陕西省重点研发计划(2018ZDCXL-GY-07-01)。
阻断状态下的晶闸管会产生耐压PN结反向漏电流,PN结反向漏电流主要由3部分组成,其中表面漏电流是大功率晶闸管产生热损耗的主要原因。为证实并研究表面漏电流对大功率晶闸管热损耗的影响,降低器件热击穿风险,提高制造水平和器件可靠性,...
关键词：晶闸管 漏电流 有限元 阻断电压 结终端 
一种基于神经网络优化预测模型的SiC MOSFET阻断电压确定方法被引量：1
《机车电传动》2021年第5期150-155,共6页沈俊 刘东 唐茂森 葛兴来 叶峻涵 周荣斌 
功率器件设计者常需要通过器件仿真进行器件的设计与优化,但由于仿真结果的未知性,设计者需要逐步调整相关参数,使仿真结果不断逼近目标值,这需要耗费大量的时间,而目前又没有有效的解决办法。为解决这个问题,提出了一种基于神经网络的...
关键词：阻断电压 SiC MOSFET 场限环 神经网络 预测模型 仿真 
8.5kV特高压晶闸管低占比终端结构设计与研究被引量：1
《机车电传动》2021年第5期71-76,共6页张晨 刘东 唐茂森 吴泽宇 周宗耀 葛兴来 
高铁联合基金重点项目(U1934204)。
作为能量变换和传输的重要器件,大功率晶闸管在诸如高压直流输电等领域得到广泛应用。随着电网对输电功率容量的要求越来越高,提高晶闸管导通容量备受关注。但是,随着容量的提升,传统的直线斜角造型技术在保证角度足够小的同时,会减少...
关键词：特高压 晶闸管 Silvaco TCAD 低占比 终端结构 阻断电压 
ST MASTERGAN4系统级封装(SiP)650V GaN驱动方案
《世界电子元器件》2021年第9期45-50,共6页
ST公司的MASTERGAN4是先进功率系统级封装(SiP),集成了栅极驱动器和两个半桥配置的增强模式GaN功率晶体管.集成的功率GaN有650V漏极-源极阻断电压,RDS(ON)为225 mΩ.而高边嵌入栅极驱动器能很容易由集成的阴极负载二极管供电.
关键词：功率晶体管 栅极驱动器 阻断电压 GAN 漏极 源极 驱动方案 MASTER 
15 kV/10 A SiC功率MOSFET器件设计及制备被引量：3
《固体电子学研究与进展》2021年第2期93-97,共5页李士颜 杨晓磊 黄润华 汤伟 赵志飞 柏松 
江苏省青年基金资助项目(SBK2021030242)。
报道了在150μm厚、掺杂浓度5.0×10^(14)cm^(-3)的外延层上制备15 kV/10 A超高压SiC功率MOSFET器件的研究结果。对器件原胞结构开展了仿真优化,基于材料结构、JFET区宽度和JFET区注入掺杂等条件优化,有效地提升了器件的导通能力,器件...
关键词：SiC功率MOSFET 阻断电压 15 kV 比导通电阻 动态特性 
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