结终端技术

作品数：15被引量：29H指数：2
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特大功率晶闸管结终端技术对阻断电压的影响被引量：2
《电力电子技术》2022年第3期130-132,共3页陈黄鹂 王红梅 程炯 张刚琦 
国家电网有限公司总部科技项目(521999200020)。
在此通过计算机仿真方法对影响特大功率晶闸管阻断电压的结终端技术进行仿真分析,并对仿真结论进行试验验证,证实了具有双负斜角结构的特大功率晶闸管,其结终端技术的负斜角角度和造型深度对结终端空间电荷区的扩展和电场分布有重要影响...
关键词：特大功率晶闸管 结终端技术 阻断电压 
IGBT领域结终端技术申请人的专利分析被引量：2
《科学技术创新》2018年第26期44-45,共2页周天微 
结终端技术对于IGBT等高压功率半导体器件有着重要意义,本文主要从该领域的申请人以及重要申请人的技术入手,分析该领域的专利申请状况,并对一些重要技术进行了分析。
关键词：结终端 申请人 重要技术 
6500 V 15 A 4H-SiC JBS二极管的研制被引量：1
《微纳电子技术》2018年第3期161-165,177,共6页薛爱杰 黄润华 柏松 刘奥 栗锐 
基于有限元仿真的方法对6 500 V15 A4H-SiC肖特基二极管开展了材料结构、有源区结型势垒肖特基（JBS）结构和终端保护结构的优化设计。基于4英寸（1英寸=2.54 cm）n型4H-SiC导电衬底,采用厚度为55μm、杂质浓度为9×1014 cm-3的外延材料...
关键词：4H-SIC 结型势垒肖特基(JBS)二极管 结终端技术 浮空场限环 4英寸外延 
一种带埋层的新型结终端技术被引量：1
《电子元件与材料》2016年第9期37-40,共4页周嵘 张玉蒙 李泽宏 熊景枝 张金平 
国家自然科学基金项目资助(No.61474017;No.51307014)
在高压功率器件领域,常规的场限环技术由于环的个数较多,占用芯片面积较大,导致终端的效率很低。为了改善这一缺点,提出了一种带P–埋层的新型高压终端技术,有效降低了主结边缘处的电场集中,提高了击穿电压。仿真结果表明,该结构的击穿...
关键词：电场 击穿电压 终端技术 场限环 P-埋层 终端宽度 
4H-SiC肖特基势垒二极管结终端刻蚀技术研究
《智能电网》2016年第6期550-553,共4页王嘉铭 钮应喜 裴紫微 赵妙 杨霏 李俊杰 李俊峰 张静 许恒宇 金智 刘新宇 
国家电网公司科技项目(SGRI-WD-71-14-004)~~
碳化硅(SiC)材料在高温、高压、大功率等器件领域有着广阔的应用前景。结终端技术(junction terminal technology,JTT)直接影响着高压SiC肖特基势垒二极管(Schottky barrier diodes,SBD)的耐压性能,而刻蚀技术又是制备结终端结构的关键...
关键词：SIC 肖特基势垒二极管 结终端技术 耐压性能 
VDMOS结终端技术对比研究被引量：2
《半导体技术》2016年第1期46-50,共5页赵圣哲 李理 赵文魁 
垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应管(VDMOS)器件的反向耐压能力主要取决于器件结构中的特定pn结反偏击穿电压,由于pn结特性,击穿通常发生在结终端。随着结终端技术的发展,功率VDMOS器件的击穿特性有了很大的提升。主要介绍了几种目前...
关键词：结终端 场限环(FLR)技术 p+偏移技术 横向变掺杂(VLD)技术 结终端扩展(JTE)技术 RESURF技术 
一种P沟VDMOS器件的研究与实现被引量：2
《西安电子科技大学学报》2013年第6期58-61,共4页蒲石 郝跃 
国家重大科技专项资助项目(2008ZX01002-002);国家自然科学基金资助项目(61106106);中央高校基本科研业务费专项基金资助项目(K50511250008;K5051325002)
分析了P沟VDMOS器件结构中外延层参数与击穿电压、导通电阻之间的关系.采用Silvaco对该器件的元胞结构、物理参数和电学性能进行了模拟和优化,并设计了针对该器件的终端结构.完全依靠国内生产线流程成功开发出了P沟VDMOS制造工艺,并据...
关键词：P沟VDMOS 外延层优化 结终端技术 
对具有结终端保护的4H-SiC肖特基势垒二极管的研究被引量：1
《中南林业科技大学学报》2010年第5期179-183,共5页张发生 李欣然 
湖南省高等学校科学研究项目(08C942);湖南省科技厅科技项目(2008FJ3102)
在对4H—SiC高压肖特基势垒二极管进行了理论分析的基础上,利用仿真软件ISE10.0对具有结终端保护的4H—SiC高压肖特基势垒二极管耐压特性进行了模拟仿真计算,并取得了很多有价值的计算结果。利用平面制造工艺,结合仿真提取的参数,试制...
关键词：肖特基势垒二极管 结终端技术 模拟 反向耐压 工艺 
一种新型4H-SiC BJT结终端结构研究
《微纳电子技术》2010年第2期76-79,共4页刘曦麟 张波 张有润 邓小川 
设计了一种应用于4H-SiC BJT的新型结终端结构。该新型结终端结构通过对基区外围进行刻蚀形成单层刻蚀型外延终端,辅助耐压的p+环位于刻蚀型外延终端的表面,采用离子注入的方式,与基极接触的p+区同时形成。借助半导体数值分析软件SILVA...
关键词：4H-碳化硅 双极型晶体管 结终端技术 击穿电压 数值分析 
硅材料功率半导体器件结终端技术的新发展被引量：17
《电子器件》2009年第3期538-546,共9页张彦飞 吴郁 游雪兰 亢宝位 
国家自然科学基金资助(60676049)
综述了硅材料功率半导体器件常用结终端技术的新发展。介绍了场板、场限环、结终端延伸、横向变掺杂、深槽、超结器件的终端等一系列终端技术发展中出现的新结构、新原理和新数据,并对其优缺点与适用范围进行了说明。
关键词：功率器件 结终端 击穿电压 
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