4H-碳化硅

作品数：12被引量：14H指数：2
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4H-SiC平面型和沟槽型MOSFET高低温下的特性被引量：1
《微纳电子技术》2020年第8期609-616,共8页祁金伟 田凯 张勇 张安平 
National Key Research and Development Program(2017YFB1200902-09);Dongguan Introduction Program of Leading Innovative and Entrepreneurial Talents。
采用自对准工艺制备了1.2 kV4H-SiC平面型和沟槽型MOSFET器件,并在90~490 K的温度范围内对4H-SiC MOSFET器件的静态和动态特性与商用1.2 kV Si IGBT器件的性能进行了对比研究。4H-SiC MOSFET器件的静态特性包括导通电阻(Ron)和阈值电压(...
关键词：4H-碳化硅(SiC) 平面型MOSFET 沟槽型MOSFET 温度效应 动态导通电阻退化 
一维4H-碳化硅光栅红外光学特性及红外尺应用被引量：2
《红外与毫米波学报》2020年第2期221-227,共7页买尔旦·吐合达洪 樊晨芳 李晓温 石卉 刘锋 
上海市科学委项目(19590746000,18590780100,17142200100);上海市教委科研创新计划(2019-01-07-00-02-E00032);国家自然科学基金联合基金项目(U1931205)。
从理论和实验上对极化材料4H-SiC一维光栅的光学特性进行了研究。发现该结构中存在四种光学模式:传播表面声子极化激元、偶极子天线、局域表面声子极化激元和准静态表面声子极化激元。进一步利用传播表面声子极化激元对于光栅结构参数...
关键词：4H-SIC 表面声子极化激元 纳米尺 
不同温度下的表面粗糙度对4H-SiC MOSFETs迁移率的影响(英文)被引量：1
《固体电子学研究与进展》2014年第5期415-419,449,共6页周郁明 陈伟伟 
国家自然科学基金资助项目(51177003)
在制造4H-SiC MOSFETs过程中,超过1 500℃的高温退火用来激活被注入的离子。经常在4H-SiC表面会涂上一层碳膜来进行保护,以此期待4H-SiC MOSFETs取得好的电特性。基于前期4H-SiC MOS电容的实验结果,采用计算机模拟研究了不同温度条件下...
关键词：4H-碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 表面粗糙度 温度依赖 场效应迁移率 计算机模拟 
新型4H-SiC射频功率MESFET大信号经验电容模型
《微波学报》2010年第S1期424-426,共3页刘莹 国云川 黄文 
基于4H-SiC射频功率MESFET器件的工作机理,提出了一种新型的大信号经验电容模型。针对此模型参数的提取采用最小二乘法和遗传算法,算法用MATLAB语言实现,与传统算法相比,经验电容模型参数的初值估计和优化更为简单准确。提取的模型重要...
关键词：4H-碳化硅 金属半导体场效应晶体管 大信号模型 经验电容模型 遗传算法 
一种新型4H-SiC BJT结终端结构研究
《微纳电子技术》2010年第2期76-79,共4页刘曦麟 张波 张有润 邓小川 
设计了一种应用于4H-SiC BJT的新型结终端结构。该新型结终端结构通过对基区外围进行刻蚀形成单层刻蚀型外延终端,辅助耐压的p+环位于刻蚀型外延终端的表面,采用离子注入的方式,与基极接触的p+区同时形成。借助半导体数值分析软件SILVA...
关键词：4H-碳化硅 双极型晶体管 结终端技术 击穿电压 数值分析 
高频4H-SiC双极晶体管的研制被引量：2
《半导体技术》2009年第1期58-61,共4页田爱华 崔占东 赵彤 刘英坤 
国家重点基础研究发展规划资助项目(2002CB311904)
研制出国内第一个高频4H-SiC双极晶体管。该器件采用了双台面结构和叉指结构,室温下的最大直流电流增益(β)为3.25,集电结击穿电压BVCBO达200 V。器件的β随温度的升高而降低,具有负的温度系数,这种特性使该器件容易并联,避免出现热失...
关键词：4H-碳化硅 双极晶体管 电流增益 截止频率 
用XPS法研究SiO_2/4H-SiC界面的组成被引量：4
《半导体技术》2008年第2期121-125,共5页赵亮 王德君 马继开 陈素华 王海波 
国家"973"资助项目(2005CCA00100)
利用X射线光电子谱（XPS）研究了高温氧化形成的Si02／4H．SiC界面的化学组成。获取低浓度HF酸刻蚀速度基础上制备出超薄氧化膜（1～1．5nm）样品，并借助标准物对照法辅助谱峰分析。结果表明，高温氧化Si02／4H．SiC界面，类石墨碳较...
关键词：二氧化硅/碳化硅 4H-碳化硅 X射线光电子谱 超薄氧化膜 
4H-SiC MESFET直流I-V特性解析模型被引量：1
《半导体技术》2008年第2期129-132,共4页任学峰 杨银堂 贾护军 
国家部委预研资助项目(51308030201)
提出了一种改进的4H-SiC MESFET非线性直流解析模型,基于栅下电荷的二维分布,对该模型进行了分析,采用多参数迁移率模型描述速场关系。在分析了电流速度饱和的基础上,考虑沟道长度调制效应对饱和区漏电流的影响,建立了基于物理的沟道长...
关键词：4H-碳化硅 射频功率金属半导体场效应晶体管 Ⅰ-Ⅴ特性 解析模型 
6H-和4H-SiC功率VDMOS的比较与分析
《半导体技术》2008年第2期133-136,共4页张娟 柴常春 杨银堂 徐俊平 
西安应用材料创新资助项目(XA-AM200502)
采用二维器件模拟器ISE TCAD 7.0,对比研究了6H-SiC和4H-SiC VDMOS的基本特性。结果表明,在Vgs为8 V时,4H-SiC VDMOS的漏极电流比6H-SiC高约1.5倍,证实了4H-SiC具有较高的体迁移率,且受准饱和效应的影响较小,因此比6H-SiC器件具有更高...
关键词：6H-碳化硅 4H-碳化硅 功率纵向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管 
4H-SiC MESFET的新型经验电容模型被引量：1
《固体电子学研究与进展》2008年第1期33-37,共5页曹全君 张义门 张玉明 汤晓燕 吕红亮 王悦湖 
国家973项目的资助(编号为No.51327010101)
基于器件工作机理,提出了一种新型的4H-SiC MESFET经验大信号电容模型。模型参数提取采用Lev-enberg-Marquardt优化算法,提取的模型主要参数具有一定物理意义。C-V特性的模型模拟结果与实验数据的比较表明两者符合良好。该模型还与CAD...
关键词：4H-碳化硅 金属半导体场效应晶体管 大信号电容 经验模型 Levenberg-Marquardt方法 
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