周郁明

作品数：15被引量：15H指数：2
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供职机构：安徽工业大学更多>>
发文主题：导电类型掺杂电中性半绝缘离子注入工艺更多>>
发文领域：电子电信电气工程自动化与计算机技术理学更多>>
发文期刊：《安徽工业大学学报（社会科学版）》《西安电子科技大学学报》《电子科技大学学报》《电子学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金安徽省高校省级自然科学研究项目安徽省高等学校优秀青年人才基金更多>>
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基于UIS测试的Si/SiC级联器件雪崩特性分析
《高压电器》2024年第12期113-121,131,共10页周郁明 王倩 张秋生 刘航志 
安徽省自然科学基金资助项目(2008085ME157)。
与机械式断路器相比,使用半导体功率器件构成的直流固态断路器在响应时间方面有较大的优势。由低压硅金属—氧化物—半导体场效应晶体管(Si MOSFET)和高压碳化硅结型场效应晶体管(SiC JFET)构成的Si/SiC级联型器件具有优异的开断特性。...
关键词：固态断路器 Si/SiC级联器件 雪崩特性 电—热耦合仿真 
宽电压输入电流馈电全桥升压DC/DC LCL谐振变换器
《电力电子技术》2024年第12期115-118,124,共5页张卫丰 周郁明 
广东省普通高校重点领域项目(2024ZDZX1055);广东省普通高校青年创新人才类项目(2024KQNCX172)。
针对新能源领域宽电压输入应用,此处提出一种新型宽电压输入电流馈电全桥升压DC/DC LCL谐振变换器。给出了变换器的拓扑结构,分析了其工作原理。变换器的工作模式可以分为两种,当变换器工作在最优工作模式下时,变换器可以实现零电压导...
关键词：谐振变换器 电流馈电 宽电压输入 
低压Si MOSFETs对SiC/Si级联器件短路特性的影响
《电子科技大学学报》2024年第2期174-179,共6页周郁明 楚金坤 周伽慧 
安徽省自然科学基金(2008085ME157);安徽高校自然科学研究项目(KJ2020A0247)。
由低压硅金属-氧化物-半导体场效应晶体管(Silicon Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, Si MOSFET)和碳化硅结型场效应晶体管(Silicon Carbon Junction Field-Effect Transistor, SiC JFET)构成的SiC/Si级联(Cascode)...
关键词：泄漏电流 SiC/Si级联器件 SiC JFET 短路失效 
大气压脉冲微波Ar/N_(2)等离子体射流的时空特性研究
《中国科学：物理学、力学、天文学》2024年第3期158-171,共14页陈兆权 王伟业 陈思乐 王超 徐笑娟 王兵 周郁明 卢新培 
国家自然科学基金(编号:52177126,52207147);安徽省高校优秀青年基金(编号:gxyqZD2021104);安徽高校协同创新项目(编号:GXXT-2022-024)资助。
在空气环境中,很难形成特定形貌的微波等离子体射流.本文构建了双气体通道同轴谐振放电装置,在空气环境中产生了脉冲微波Ar/N_(2)双层等离子体射流.实验测量了Ar/N_(2)等离子体射流电离发展的时空演变过程:(1)使用高速相机测量等离子体...
关键词：微波放电 电离机理 等离子体射流 电磁模拟 
大气压脉冲调制微波发卡氩等离子体射流的电离行为研究被引量：2
《中国科学：物理学、力学、天文学》2022年第9期100-112,共13页陈兆权 杨洁 陈思乐 徐笑娟 罗进 王兵 周郁明 卢新培 
国家自然科学基金(编号:52177126);安徽省高校优秀青年基金(编号:gxyqZD2021104);安徽省高校自然科学研究项目(编号:KJ2020A0246)资助。
大气压微波等离子体射流具有高密度、高活性的优点,但是难以调制出特定需求的等离子体射流形貌,从而限制了微波等离子体射流的应用范围.本文构建了脉冲微波发卡谐振放电装置,产生了大气压脉冲调制微波氩等离子体射流.实验表明,脉冲调制...
关键词：微波放电 等离子体射流 电离特性 电磁模拟 
SiC/SiO2界面态电荷对SiC MOSFET短路特性影响的研究被引量：4
《电子科技大学学报》2019年第6期947-953,共7页周郁明 穆世路 蒋保国 王兵 陈兆权 
国家自然科学基金(11575003)
碳化硅/二氧化硅(SiC/SiO2)界面态电荷数量的减少有利于降低碳化硅金属-氧化物-半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)的通态电阻和开关损耗,然而沟道电流的提升会给遭遇短路故障的SiC MOSFET带来更大的电流应力.在传统的SiC MOSFET等效电路...
关键词：载流子迁移率 电流应力 界面态电荷 泄漏电流 碳化硅MOSFET 
场效应晶体管短路失效的数值模型被引量：1
《西安电子科技大学学报》2019年第4期66-73,共8页周郁明 蒋保国 陈兆权 王兵 
国家自然科学基金（11575003）;安徽省高校优秀青年人才重点项目（gxyqZD2016068）;安徽大学信息保障技术协同创新中心开放课题（ADXXBZ201705）
为了分析碳化硅和硅两种材料的场效应晶体管的短路失效机理,利用半导体器件模拟软件建立了能够反映碳化硅场效应晶体管和硅场效应晶体管短路失效的数值模型。模型引入了自热效应模拟高电应力下晶体管内部温度变化及热传递过程,引入了福...
关键词：碳化硅 场效应晶体管 短路失效 寄生双极型晶体管 退化 
SiC JFET与SiC MOSFET失效模型及其短路特性对比被引量：2
《电子学报》2019年第3期726-733,共8页周郁明 刘航志 杨婷婷 陈兆权 
国家自然科学基金(No.11575003);安徽高校自然科学研究重点项目(No.KJ2016A805)
建立了两种碳化硅(SiC)器件JFET和MOSFET的失效模型.失效模型是在传统的电路模型的基础上引入了额外附加的泄漏电流,其中,SiC JFET是在漏源极引入了泄漏电流,SiC MOSFET是在漏源极和栅极引入了泄漏电流;同时,为了体现温度和电场强度与...
关键词：SIC JFET SIC MOSFET 失效 迁移率 泄漏电流 短路 
SiO_2/SiC界面陷阱对SiC MOSFET开关损耗的影响被引量：3
《固体电子学研究与进展》2017年第3期159-163,186,共6页刘航志 周郁明 袁晨 陈涛 
国家自然科学基金资助项目(51177003);安徽高校自然科学研究重点项目(KJ2016A805)
位于SiO_2/SiC界面处密度较高的陷阱,不仅俘获SiC MOSFET沟道中的载流子,而且对沟道中的载流子形成散射、降低载流子的迁移率,因而严重影响了SiC MOSFET的开关特性。目前商业化的半导体器件仿真软件中迁移率模型是基于Si器件开发,不能体...
关键词：界面陷阱 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 迁移率 损耗 
改进型碳化硅MOSFETs Spice电路模型
《电源学报》2016年第4期28-31,共4页李勇杰 陈伟伟 周郁明 
国家自然科学基金资助项目(51177003);安徽高校自然科学研究资助项目(KJ2016A805)~~
在高温、高压和高频的电力电子应用中,碳化硅(SiC)MOSFETs展现出了巨大的潜力。为了在宽温度范围内更准确地反映SiC MOSFETs的转移特性,提出了一种简化的含温控电源的SiC MOSFETs的Spice电路模型。温控模型的引入补偿了器件在宽温度范...
关键词：SIC MOSFET SPICE模型 温控模型 
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