云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- JFET

JFET: 作品数：140被引量：144H指数：7; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：李泽宏吴郁田波亢宝位张波更多>>; 相关机构：上海华虹宏力半导体制造有限公司电子科技大学北京工业大学西安电子科技大学更多>>; 相关期刊：更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划北京市教委科技发展计划中央高校基本科研业务费专项资金更多>>

一款具有过温指示功能的高速功率运算放大器: 《半导体技术》2025年第3期273-281,312,共10页冯仕豪余德水马奎杨发顺; 贵州省科技计划项目(黔科合支撑【2023】一般283)。; 基于80 V双极型集成电路工艺,设计了一种具有过温指示功能的高速功率运算放大器。该设计采用源极驱动-共基放大的输入级电路结构,选用p沟道结型场效应晶体管(JFET)作为输入管,实现了低输入偏置电流和高转换速率。为防止输出功率晶体管...; 关键词：结型场效应晶体管(JFET)输入功率运放高转换速率低失调过温保护

基于常通型SiC JFET器件的中低压直流固态断路器研究综述: 《电工技术学报》2024年第22期7213-7227,共15页何东蒋磊兰征王伟沈征; 湖南省自然科学基金资助项目(2021JJ40172)。; 直流固态断路器(SSCB)作为直流配电网中关键的故障保护装置,是快速无弧隔离短路、过电流故障的重要手段。随着宽禁带半导体材料技术的飞速发展,常通型碳化硅(SiC)结型场效应晶体管(JFET)因其具有通态损耗低、零电压开通等优点,已成为SSC...; 关键词：直流配电网固态断路器 SiC JFET拓扑缓冲电路

基于JFET的水听器低噪声前置放大器设计: 《电子技术（上海）》2024年第8期286-287,共2页李跃文施彤云刘雨聪; 阐述针对压电陶瓷水听器高输出阻抗及阻抗可变的特点,设计一款基于JFET的前置放大器。该电路噪声优于运放构成的前置放大器电路的噪声性能,满足深海探测时水听器前置放大器噪声要求。; 关键词：压电陶瓷水听器前置放大器 JEFT 低噪声

SiC JFET的短路失效模型及其失效机理研究: 《兰州工业学院学报》2024年第4期89-93,共5页杨婷婷刘航志陆青松; 安徽省高等学校科学研究项目(自然科学类)(2022AH040307);安徽城市管理职业学院自然科学项目(2023zrkx008)。; 以SiC JFET作为短路失效研究的器件,基于Matlab/Simulink仿真软件,建立SiC JFET的短路失效模型,同时添加迁移率模型和沟道泄露电流,其中,迁移率模型考虑了场强和温度变化,泄露电流考虑了Ith、Idiff、Iav三种电流分量,使短路失效模型更...; 关键词：SiC JFET 短路失效模型重复应力失效失效机理

Solid-state Circuit Breaker Based on Cascaded Normally-on SiC JFETs for Medium-voltage DC Distribution Networks被引量：1: 《Protection and Control of Modern Power Systems》2024年第2期32-46,共15页Dong He Haohui Zhou Zheng Lan Wei Wang Jinhui Zeng Xueping Yu Z.John Shen; supported in part by Hunan Provincial Natural Science Foundation of China(No.2021JJ40172).; Solid-state circuit breakers(SSCBs)are critical components in the protection of medium-voltage DC distribution networks to facilitate arc-free,fast and reliable isolation of DC faults.However,limited by the capacity o...; 关键词：Solid-state circuit breaker DC distribu-tion network SiC JFET voltage balancing inrush current

寄生参数对基于常通型SiC JFET器件的中压直流固态断路器过电压的影响及抑制方法: 《南方电网技术》2024年第4期19-29,共11页何东李俊桦兰征王伟曾进辉; 湖南省自然科学基金资助项目(2021JJ40172);湖南省教育厅资助科研项目(20C0637)。; 研究了寄生电感对基于常通型碳化硅(silicon carbide,SiC)结型场效应晶体管(junction field effect transistor,JFET)串联结构的中压直流固态断路器(solid state circuit breaker,SSCB)过电压的影响,并在此基础上提出了一种SSCB的过电...; 关键词：固态断路器碳化硅结型场效应晶体管串联结构寄生参数过电压

低压Si MOSFETs对SiC/Si级联器件短路特性的影响: 《电子科技大学学报》2024年第2期174-179,共6页周郁明楚金坤周伽慧; 安徽省自然科学基金(2008085ME157);安徽高校自然科学研究项目(KJ2020A0247)。; 由低压硅金属-氧化物-半导体场效应晶体管(Silicon Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, Si MOSFET)和碳化硅结型场效应晶体管(Silicon Carbon Junction Field-Effect Transistor, SiC JFET)构成的SiC/Si级联(Cascode)...; 关键词：泄漏电流 SiC/Si级联器件 SiC JFET 短路失效

基于级联常通型SiC JFET的快速中压直流固态断路器设计及实验验证被引量：3: 《电力系统保护与控制》2024年第5期158-167,共10页何东徐星冬兰征王伟; 湖南省自然科学基金项目资助(2021JJ40172)。; 固态断路器(solid state circuit breaker, SSCB)是直流配电网中实现快速、无弧隔离直流故障的关键保护装置。首先提出了一种基于级联常通型碳化硅(silicon carbide, SiC)结型场效应晶体管(junction field effect transistor, JFET)的...; 关键词：直流配电网固态断路器碳化硅结型场效应晶体管金属氧化物压敏电阻短路故障

JFET构成的运算放大器输入过压保护电路设计: 《微处理机》2024年第1期1-4,共4页熊凌霄王靖胡程源李威; 为弥补传统运算放大器输入过压保护电路中电阻加钳位二极管结构的缺陷,设计一种新型输入过压保护电路。电路采用中科渝芯4μm双极工艺完成设计,主要由结型场效应管器件JFET以及钳位二极管构成,利用JFET沟道夹断原理使过压电流最终趋于饱...; 关键词：结型场效应管运算放大器过压保护

A low-noise,high-gain,and large-dynamic-range photodetector based on a JFET and a charge amplifier: 《Frontiers of Information Technology & Electronic Engineering》2024年第2期316-322,共7页Jinrong WANG Shuang'e WU Chengdong MI Yaner QIU Xin'ai BAI; Project supported by the Scientific and Technological Innovation Programs of Higher Education Institutions in Shanxi(STIP)(Nos.2021L562 and 2022L573);the Key Research and Development Projects for Attarcting High-Level Scientific and Technological Talents to Lvliang City(No.2021RC-2-27);the Open Fund of the Guangdong Provincial Key Laboratory of Fiber Laser Materials and Applied Techniques(South China University of Technology)(No.2021-06);the Key Research and Development Projects in the Field of Social Development of Lvliang City(No.2022SHFZ43);Higher Education Reform and Innovation Project of Shanxi Province,China(Nos.J2021718,J2021744,and J2021717);the Innovation and Entrepreneurship Training Program for College Students,China(No.202310812012)。; We demonstrate a low-noise,high-gain,and large-dynamic-range photodetector(PD)based on a junction field-effect transistor(JFET)and a charge amplifier for the measurement of quantum noise in Bell-state detection(BSD).P...; 关键词：Quantum noise Bell-state detection(BSD) Photodetector(PD) Junction field-effect transistor(JFET) Charge amplifier

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