界面态电荷

作品数：9被引量：31H指数：3
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SiC/SiO2界面态电荷对SiC MOSFET短路特性影响的研究被引量：4
《电子科技大学学报》2019年第6期947-953,共7页周郁明 穆世路 蒋保国 王兵 陈兆权 
国家自然科学基金(11575003)
碳化硅/二氧化硅(SiC/SiO2)界面态电荷数量的减少有利于降低碳化硅金属-氧化物-半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)的通态电阻和开关损耗,然而沟道电流的提升会给遭遇短路故障的SiC MOSFET带来更大的电流应力.在传统的SiC MOSFET等效电路...
关键词：载流子迁移率 电流应力 界面态电荷 泄漏电流 碳化硅MOSFET 
单区JTE加场板终端结构的优化设计被引量：3
《电子元件与材料》2016年第11期38-41,共4页潘晓伟 冯全源 陈晓培 
国家自然科学基金重点项目资助(No.61531016);国家自然科学基金面上项目资助(No.61271090);四川省科技支撑计划项目资助(No.2015GZ0103;No.2016GZ0059)
为了提高芯片面积利用率,采用单区结终端扩展（JTE）与复合场板技术设计了一款700 V VDMOS的终端结构。借助Sentaurus TCAD仿真软件,研究单区JTE注入剂量、JTE窗口长度和金属场板长度与击穿电压的关系,优化结构参数,改善表面和体内电场...
关键词：结终端扩展 复合场板 VDMOS 击穿电压 表面最大电场 界面态电荷 
VDMOS异常峰值电流产生原因研究
《微电子学》2011年第3期433-435,共3页宋文斌 蔡小五 
研究了VDMOS器件存在异常峰值电流的原因,提出了解释此现象的理论。异常峰值电流的大小由VDMOS元胞在P+body区之间neck区的界面状态决定。一般MOSFET不具有此特殊结构,因而不具有此异常峰值电流现象。为了验证上述理论,采用TCAD(ISE),...
关键词：VDMOS 复合速率 异常峰值电流 氧化物陷阱电荷 界面态电荷 
Power VDMOS中辐照引起的氧化物陷阱电荷和界面态电荷被引量：6
《功能材料与器件学报》2008年第5期927-930,共4页蔡小五 海潮和 王立新 陆江 刘刚 夏洋 
为研究PowerVDMOS中辐照引起的氧化物陷阱电荷和界面态电荷情况,用Co-60源对PowerMOSFET进行了总剂量的辐照实验,移位测试了器件的亚阈值曲线漂移情况,通过最大斜率线性外推法和亚阈值分离方法提取了开启电压、增益因子、迁移率、氧化...
关键词：VDMOS 辐照 氧化物陷阱电荷 界面态电荷 
Si_3N_4/SiO_2叠层栅MOS电容抗辐照总剂量研究被引量：2
《核电子学与探测技术》2008年第4期754-756,777,共4页蔡小五 海潮和 陆江 王立新 刘刚 刘梦新 
本论文主要分析了Si3N4/SiO2叠层栅MOS电容总剂量效应,叠层栅MOS电容中SiO2为20nm,Si3N4厚度分别为40nm和110nm,通过辐照前后电容CV曲线的对比分析,发现CV曲线的正方向漂移主要是由于界面态电荷的作用,同时氧化物俘获电荷也起到一定的...
关键词：叠层栅 界面态电荷 氧化物俘获电荷 电容 
n沟6H-SiC MOSFET直流特性和小信号参数解析模型被引量：1
《西安电子科技大学学报》2005年第1期89-93,共5页王平 杨银堂 杨燕 贾护军 屈汉章 
教育部重点资助项目(02074);国家部委预研基金资助项目(51408010601DZ1032)
基于对一维泊松方程的解析求解以及对表面势的迭代计算,建立了适于模拟n沟6H SiCMOSFET直流I V特性以及小信号参数的解析模型.模型采用薄层电荷近似,考虑了6H SiC中杂质不完全离化的特点以及界面态电荷对器件特性的影响,可用于所有的器...
关键词：6H-SIC 金属氧化物半导体场效应晶体管 I-V特性 小信号参数 解析模型 界面态电荷 
AlGaN/GaN异质结辐射感生界面态电荷对二维电子气输运的影响被引量：5
《Journal of Semiconductors》2003年第9期937-941,共5页范隆 李培咸 郝跃 
国防重大预研资助项目 (批准号 :4 130 80 6 0 10 6 )~~
根据荷电中心与自由载流子间的库仑散射作用 ,给出了异质结辐射感生界面态电荷对二维电子气 (2DEG)迁移率的散射模型 .计算了在不同沟道电子面密度下 ,界面态电荷密度与其所限制的迁移率之间的关系 .运用马德森定则分析了辐射感生界面...
关键词：A1GaN/GaN异质结 辐射 界面态电荷 二维电子气 迁移率 
界面态电荷对n沟6H-SiC MOSFET场效应迁移率的影响被引量：4
《物理学报》2003年第4期830-833,共4页汤晓燕 张义门 张玉明 郜锦侠 
针对界面态密度在禁带中的不均匀分布 ,分析了界面态电荷对n沟 6H碳化硅MOSFET场效应迁移率的影响 .分析结果显示 ,界面态电荷使n沟碳化硅器件的场效应迁移率明显降低 .
关键词：界面态电荷 碳化硅 反型层迁移率 场效应迁移率 界面态密度 载流子 n沟碳化硅器件 MOSFET 
界面态电荷对6H碳化硅N沟MOSFET阈值电压和跨导的影响被引量：6
《物理学报》2002年第4期771-775,共5页汤晓燕 张义门 张玉明 
国防科技预研基金项目 (批准号 :OOJ11 2 1 DZ0 1)~~
针对界面态密度在禁带中的不均匀分布 ,并且考虑到碳化硅材料中杂质的不完全离化 ,分析了界面态电荷对N沟 6H碳化硅MOSFET阈值电压和跨导的影响 .结果显示界面态密度的不均匀分布不仅使阈值电压增大 ,而且还会导致器件跨导变低 。
关键词：碳化硅 界面态电荷 阈值电压 跨导 界面态密度 MOS器件 金属-氧化物-半导体场效应器件 
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