场效应迁移率

作品数：36被引量：52H指数：3
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相关作者：吕建国叶志镇徐征赵谡玲张福俊更多>>
相关机构：浙江大学株式会社半导体能源研究所北京交通大学中国科学院更多>>
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氧化锌薄膜晶体管应力稳定性及电性能优化
《传感器技术与应用》2024年第6期828-838,共11页肖朋 
随着信息技术进步,显示技术正朝高分辨率、大柔韧性和低能耗发展。ZnO TFT因高透明度、良好环境稳定性和潜在高迁移率,被视为下一代显示技术关键材料,但应力稳定性问题限制了其应用。本研究针对ZnO TFT的应力稳定性与电学性能优化展开,...
关键词：氧化锌 薄膜晶体管 场效应迁移率 稳定性 
高迁移率金属氧化物半导体薄膜晶体管的研究进展被引量：2
《液晶与显示》2024年第4期447-465,共19页李强 葛春桥 陈露 钟威平 梁齐莹 柳春锡 丁金铎 
中山市科技计划(No.LJ2021006,No.CXTD2022005,No.2022A1009)。
基于金属氧化物半导体(MOS)的薄膜晶体管(TFT)由于较高的场效应迁移率(μFE)、极低的关断漏电流和大面积电性均匀等特点,已成为助推平板显示或柔性显示产业发展的一项关键技术。经过30余年的研究,非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)率先替代非晶...
关键词：金属氧化物半导体 薄膜晶体管 场效应迁移率 偏压稳定性 
非晶Mg-In-Sn-O薄膜晶体管的制备及有源层厚度对其电学性能的影响
《内蒙古大学学报（自然科学版）》2018年第2期195-199,共5页王韬 张希清 
国家自然科学基金(No.51372016;61275022)
制备了Mg-In-Sn-O薄膜晶体管(MITO-TFT)并探究了其电学性能.作为薄膜晶体管有源层的MITO薄膜在室温条件下通过射频磁控溅射沉积在SiO2/p-type Si衬底上.为了优化MITO-TFT的器件性能,研究了有源层厚度对器件性能的影响.结果表明25nm厚度...
关键词：薄膜晶体管 有源层厚度 场效应迁移率 阈值电压 
有机场效应晶体管的非线性注入模型
《发光学报》2017年第11期1523-1531,共9页何兰 范国莹 李尧 吕文理 韦一 彭应全 
国家自然科学基金(10974074)资助项目~~
有机场效应晶体管(Organic field effect transistor,OFET)的非线性特性是指其输出特性曲线在较低的漏极电压下出现类似于二极管的电压电流特性曲线,这种现象在有机场效应晶体管的实验研究中极为常见。Simonetti等通过引入随栅极电压变...
关键词：有机场效应晶体管 非线性输出特性 阈值电压 场效应迁移率 
基于有机薄膜晶体管电特性曲线获取迁移率方法的研究
《光电子．激光》2017年第11期1174-1179,共6页陈跃宁 徐征 尹飞飞 刘启东 
国家重点研发计划(2016YFB0401302);国家自然科学基金(11474018;61575019);北京市科委重大项目(D161100003416001);中央高校基本科研业务费专项(2016JBM066);辽宁省教育厅(L2014003);辽宁大学青年科研基金(LDQN201431)资助项目
场效应迁移率是描述有机薄膜晶体管(OTFT)性能的重要参数之一,目前OTFT场效应迁移率主要根据实验测得OTFT电特性曲线通过拟合计算方法获得。本文针对这种方法进行深入研究发现,OTFT的场效应迁移率与其工作状态有关。在线性工作状态下,O...
关键词：有机薄膜晶体管(OTFT) 场效应迁移率 栅电压最大值 
双栅非晶InGaZnO薄膜晶体管有源层厚度对电学性能的影响被引量：3
《华南理工大学学报（自然科学版）》2016年第9期61-66,72,共7页蔡旻熹 姚若河 
国家自然科学基金资助项目(61274085)~~
双栅非晶InGaZnO薄膜晶体管(DG a-IGZO TFTs)具有比单栅a-IGZO TFTs更优良的电学性能.文中基于a-IGZO/SiO_2界面缺陷态呈指数型分布的模型,讨论了在界面缺陷态影响下双栅驱动的DG a-IGZO TFTs有源层厚度对电学性能的影响.研究结果表明:...
关键词：双栅非晶InGaZnO薄膜晶体管 界面缺陷态 场效应迁移率 亚阈值摆幅 
KH550-GO复合栅介质低压氧化物薄膜晶体管
《电子元件与材料》2016年第5期44-47,共4页黄钰凯 凌智勇 邵枫 温娟 
江苏大学高级人才科研启动基金(No.14JDG049)
采用旋涂法制备硅烷偶联剂-氧化石墨烯(KH550-GO)新型复合栅介质薄膜,由于栅介质层和沟道层界面处明显的双电层效应,单位面积电容高达2.18×10^(–6)F/cm^2。通过自组装法,借助磁控溅射仪,仅需一次掩膜,即可同时生成晶体管的沟道与源漏...
关键词：有源层 非晶铟锌氧化物 双电层效应 KH550-GO复合栅介质 薄膜晶体管 场效应迁移率 
氮离子注入提高4H-SiC n-MOSFET沟道迁移率的分析（英文）
《固体电子学研究与进展》2016年第2期99-105,共7页周郁明 李勇杰 
国家自然科学基金资助项目(51177003);安徽高校自然科学研究资助项目(KJ2016A805)
氮离子注入提高4H-SiC MOSFET的沟道迁移率来自两方面的原因:一是减小了界面态密度,另一个是反掺杂。本文详细研究了这两方面的原因。结果表明,当氮的反掺杂浓度和P型衬底的掺杂浓度可以相比较的时候,氮离子注入提高4H-SiC MOSFET的迁...
关键词：4H-SiC金属氧化物场效应晶体管 场效应迁移率 界面态密度 氮离子注入 反掺杂 
SiC/SiO_2界面形貌对SiC MOS器件沟道迁移率的影响被引量：1
《浙江大学学报（工学版）》2016年第2期392-396,共5页刘莉 杨银堂 
国家自然科学基金青年基金资助项目(61404096);国家自然科学基金重点资助项目(61334003)
为了研究SiC/SiO_2界面粗糙度对SiC MOS器件构道迁移率的影响,在离子注入后高温退火过程中采用碳膜保护SiC表面以减小退火过程中产生的表面粗糙度,碳膜的形成通过对光刻胶在600℃下前烘30min实现.研究结果表明:微结构分析所得的微米量...
关键词：SiC/SiO2界面粗糙度 界面态密度 场效应迁移率 
BID与噻吩共轭聚合物的合成及光电性质研究
《赣南师范学院学报》2015年第3期48-52,共5页王建国 郑绿茵 李勋 范小林 姜国玉 
国家自然科学基金青年基金项目(21301182);北京分子科学国家实验室2014年开放课题(20140117);江西省自然科学基金(20151BAB213012)
合成了以(E)-[4,4’-biimidazolylidene]-5,5’(1H,1’H)-dione(BID)为受体单元,并噻吩和联噻吩为给体单元的四种共轭聚合物(P1-P4),通过核磁、元素分析和凝胶渗透色谱对四种聚合物的结构和平均分子量进行了验证.研究了他们的光谱性质...
关键词：场效应迁移率 烷基侧链 共轭聚合物 噻吩 溶解性 
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