金属氧化物半导体

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锗硅异质结双极型晶体管的历史发展及其在高温电子中的应用
《集成电路与嵌入式系统》2025年第5期8-15,共8页官宇龙 常晓阳 王新河 
国家自然科学基金(No.62174010);北京市科技新星计划国家重点研发计划青年科学家(2022YFA1405900)。
近年来,锗硅异质结双极型晶体管(SiGe HBT)不仅在高频性能上取得了显著成就,而且在高温电子器件的应用中也展现了独特的优势。本文阐述了SiGe HBT的发展历程及其在高温环境(100~300℃)中的应用潜力。目前最高性能的SiGe HBT的特征频率达...
关键词：高温电子 锗硅异质结双极型晶体管 双极型互补式金属氧化物半导体 SIC GAN 
基于田口方法的CMOS栅极掩膜层清洗工艺优化研究
《微纳电子技术》2025年第5期87-93,共7页吴国才 张玉龙 孙瑞 时建成 杨彪 
国家自然科学基金青年基金(61805162)。
返工清洗互补金属氧化物半导体(CMOS)晶体管栅极上的光刻胶掩膜层,不合理的工艺将会导致栅极膜层电阻的偏高。制备多晶硅/WSi2结构的CMOS栅极膜层,然后对栅极进行光刻图形化处理并明确光刻胶清洗的机理。通过引入田口方法组合清洗工艺...
关键词：互补金属氧化物半导体(CMOS)晶体管栅极 光刻胶清洗 田口方法 工艺优化 电阻差 
电容式压力传感器的设计和仿真分析
《传感器与微系统》2025年第4期88-91,共4页曹海燕 王慧慧 赵鹤然 孙晓东 张颖 
辽宁省高等学校基本科研项目(LJKQZ2021189)。
对微器件中应用较广泛的一种电容式MEMS压力传感器的结构进行了优化设计,提出了一种新型的电容式压力传感器设计方案,使MEMS结构与互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺兼容。通过Ansys软件建立模型并进行仿真分析,结果表明:传感器的性能与...
关键词：电容式压力传感器 互补金属氧化物半导体工艺 ANSYS软件 敏感膜 
车用SiC-MOSFET的应用与技术发展综述
《汽车工程师》2025年第4期1-9,共9页李尊 张政 吴毅卓 王学耀 
针对硅基绝缘栅双极型晶体管(IGBT)难以进一步满足电动汽车高功率密度、低导通损耗、高散热能力等需求的不足,综述了车用碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC-MOSFET)的最新研究进展。通过总结SiC-MOSFET在电动汽车牵引逆变器、DC/D...
关键词：电动汽车 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 功率半导体芯片 导通损耗 转换效率 
高功率宽调谐声光调制器驱动源的研究
《量子电子学报》2025年第2期238-245,共8页王锦荣 吴双娥 米成栋 朱梦琦 程子源 高旭珍 史旭蓉 杜胜利 
山西省高等学校科技创新项目(2021L562,2022L573);吕梁市引进高层次科技人才重点研发项目(2021RC-2-27);吕梁市社会发展领域重点研发项目(2022SHFZ43)。
声光调制器是一种重要的光学器件,其性能在很大程度上依赖于驱动源的性能。因此,针对不同的应用场景,研制高性能的声光调制器驱动源具有重要意义。本文针对量子光学领域真空压缩光制备中光学参量振荡腔腔长锁定对声光调制器的应用需求,...
关键词：光电子学 声光调制器驱动源 射频金属氧化物半导体(MOS)场效应管 连续调谐 自动关断保护电路 
CMOS低噪声高响应度太赫兹探测器线阵电路设计
《半导体技术》2025年第3期296-303,共8页徐雷钧 马宇杰 黄磊 白雪 陈建锋 
国家自然科学基金(61874050)。
为了进一步提高电压响应度和探测成像速度,降低噪声等效功率,基于0.18μm CMOS工艺设计了一种低噪声高响应度太赫兹探测器线阵电路,提出了一种由自混频功率探测电路、电压缓冲级、运算放大器组成的1×4太赫兹阵列结构。通过源极差分驱...
关键词：互补金属氧化物半导体(CMOS) 太赫兹 探测器 高响应度 低噪声 
基于忆阻器-CMOS的典型组合逻辑电路设计被引量：1
《华中科技大学学报(自然科学版)》2025年第3期127-134,共8页吴建新 夏景圆 王锡胜舜 戴高乐 钟祎 
国家自然科学基金资助项目(62071190);华中科技大学实验技术研究项目(2025-1.1-03)。
首先介绍忆阻器的通用模型原理及性能;随后对比例逻辑方法进行改良,优化逻辑单元结构;最后利用新型比例逻辑方法设计编码器、译码器、全加器、数据选择器等逻辑电路,并使用LTSPICE对设计的电路进行仿真验证和性能测试.分析结果表明:设...
关键词：忆阻器 互补金属氧化物半导体(CMOS) 逻辑电路 LTSPICE 比例逻辑 
自适应逐周期逼近型SiC MOSFET栅极驱动芯片
《华中科技大学学报(自然科学版)》2025年第3期135-141,共7页张烁 周清越 李超 陈伟铭 刘畅 童乔凌 
国家电网有限公司科技项目(5500-202321512A-3-2-ZN);面向碳化硅器件的自适应多段式驱动芯片关键技术研究。
为了抑制碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)在开通过程中产生的电流过冲,设计了一种自适应逐周期逼近型SiC MOSFET有源栅极驱动芯片.通过对SiC MOSFET的开通过程的分析,总结出电流过冲的产生机理,提出了抑制电流过冲的方...
关键词：碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET) 有源栅极驱动 自适应 电流过冲 开通损耗 逐周期逼近 
用于PON的低成本CMOS BM-TIA设计
《光通信研究》2025年第1期52-58,共7页赵婉青 夏翼飞 李佳 徐颂秦 马帅哲 杨睿煊 耿莉 李丹 
国家重点研发计划资助项目(2022YFB2803301);国家自然科学基金面上资助项目(62074126)。
【目的】在高速率无源光网络(PON)需求的快速增长下,低成本低噪声突发模式跨阻放大器(BM-TIA)成为其关键的制约因素。文章基于低成本40 nm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺,设计了一种适用于10吉比特对称无源光网络(XGS-PON)的快速建立...
关键词：互补金属氧化物半导体工艺 10吉比特对称无源光网络 突发模式跨阻放大器 多速率兼容 快速建立 
提高金属氧化物半导体气体传感器抗湿稳定性的方法研究
《有色金属材料与工程》2025年第1期57-66,共10页刘新宽 邓志祥 吴郅轩 孙艳 
上海市自然科学基金资助项目(23ZR1473300)。
测试环境中的水汽会干扰金属氧化物半导体气敏材料的气敏反应,导致基线电阻漂移、响应灵敏度降低等问题,从而显著影响传感器对目标气体的检测。对水汽干扰气体传感器气敏反应的机制进行了简要阐述,重点对当前抗湿检测的思路进行了归纳...
关键词：金属氧化物半导体 抗湿性能 吸附氧 气体传感器 
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