王新河

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锗硅异质结双极型晶体管的历史发展及其在高温电子中的应用
《集成电路与嵌入式系统》2025年第5期8-15,共8页官宇龙 常晓阳 王新河 
国家自然科学基金(No.62174010);北京市科技新星计划国家重点研发计划青年科学家(2022YFA1405900)。
近年来,锗硅异质结双极型晶体管(SiGe HBT)不仅在高频性能上取得了显著成就,而且在高温电子器件的应用中也展现了独特的优势。本文阐述了SiGe HBT的发展历程及其在高温环境(100~300℃)中的应用潜力。目前最高性能的SiGe HBT的特征频率达...
关键词:高温电子 锗硅异质结双极型晶体管 双极型互补式金属氧化物半导体 SIC GAN 
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