导通损耗

作品数：110被引量：269H指数：9
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车用SiC-MOSFET的应用与技术发展综述
《汽车工程师》2025年第4期1-9,共9页李尊 张政 吴毅卓 王学耀 
针对硅基绝缘栅双极型晶体管(IGBT)难以进一步满足电动汽车高功率密度、低导通损耗、高散热能力等需求的不足,综述了车用碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC-MOSFET)的最新研究进展。通过总结SiC-MOSFET在电动汽车牵引逆变器、DC/D...
关键词：电动汽车 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 功率半导体芯片 导通损耗 转换效率 
Buck开关电源MOSFET损耗分析
《汽车工程师》2025年第4期10-16,共7页廖波 李伟亮 赵目龙 吕佳文 杨莉 
为实现汽车集中式域控制器高性能芯片的开关电源的功率损耗计算,分析了金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的导通和关断过程,对Buck型开关电源的MOSFET损耗进行理论分析及公式推导,针对开关损耗部分进行了实例计算和仿真验证。结果...
关键词：开关电源 MOSFET损耗 BUCK 导通损耗 开关损耗 
电网用5200V压接式逆导IGBT模块
《半导体技术》2024年第10期873-878,共6页朱利恒 王滨 蔡海 陈星 覃荣震 肖强 
为了进一步增大功率密度、降低热阻,基于平面增强型U形IGBT元胞结构设计了一种优化芯片背面的逆导(RC)IGBT芯片。通过将RC-IGBT芯片柔性压接封装成模块,研究模块的高温动、静态性能和子模组的极限性能。通过在芯片正面增加n型载流子存...
关键词：逆导(RC)IGBT 压接模块 低导通损耗 宽安全工作区 浪涌电流 
并联IGBT占空比的温度特性建模与分析被引量：1
《电工技术学报》2024年第14期4422-4431,共10页黄海宏 彭岚 王海欣 
国家自然科学基金区域创新发展联合基金资助项目(U22A20225)。
并联IGBT是解决托卡马克(Tokamak)装置中等离子体垂直位移快速控制电源容量逐渐增大问题的有效途径。而并联IGBT之间的结温平衡是并联系统安全稳定运行的关键因素之一。因此,研究结温对并联IGBT功率损耗差异的影响对提高并联系统的稳定...
关键词：并联IGBT 开关损耗 导通损耗 温度特性 零温度-占空比 
北大团队新型器件技术加速GaN进入工业与汽车应用
《变频器世界》2024年第2期35-35,共1页
氮化镓(GaN)功率器件具有击穿电压高、导通损耗低等优异特性,有望成为下一代高密度、高频率电力系统的主流器件。由于其出色的高频性能,GaN功率器件在消费类电子产品中,如快充充电器,已经展示出明显的优势。然而,在像电机驱动这样的工...
关键词：新型器件 高频性能 击穿电压 功率器件 GAN 导通损耗 可靠性验证 消费类电子产品 
新型并联谐振直流环节软开关逆变器改进调制策略被引量：1
《电工技术学报》2024年第2期487-500,共14页李思 杨明 马宇 宋天佑 徐殿国 
国家自然科学基金资助项目(52277038)。
针对新型并联谐振直流环节软开关逆变器的辅助电路运行过程中电流应力高、导通损耗大的问题,提出一种基于不连续的脉冲宽度调制且采用斜率正负交替锯齿载波的改进调制策略。与原调制策略相比,首先,该文所提调制策略在保留辅助电路动作...
关键词：并联谐振直流环节 辅助电路 调制策略 电流应力 导通损耗 
门极驱动正压对功率半导体性能的影响
《变频器世界》2023年第12期43-45,共3页
对于半导体功率器件来说,门极电压的取值对器件特性影响很大。以前曾经聊过门极负压对器件开关特性的影响,而今天我们来一起看看门极正电压对器件的影响。文章将会从导通损耗,开关损耗和短路性能来分别讨论。
关键词：功率半导体 半导体功率器件 器件特性 开关特性 门极电压 门极驱动 导通损耗 开关损耗 
结构简单的并联谐振直流环节型逆变器及其调制策略研究
《中国电机工程学报》2023年第18期7202-7214,共13页李思 杨明 马宇 宋天佑 徐殿国 
针对一种新型并联谐振直流环节逆变器的辅助换流电路存在的电流应力高、导通损耗大、元器件数目多等问题,该文提出一种优化改进调制策略,其由3部分组成:基于1型不连续的脉冲宽度调制策略,且以斜率正负交替的锯齿波作为载波,在此二者基...
关键词：并联谐振直流环节逆变器 辅助换流电路 导通损耗 电流应力 调制策略 
一种直流侧使用低损耗无源脉波倍增电路的并联型24脉波整流器被引量：1
《电力系统保护与控制》2023年第5期33-46,共14页陈小强 刘笑含 王英 陈涛 王亚兰 
国家自然科学基金项目资助(52067013,51867012)。
传统无源式抽头平衡变换器虽然可以降低12脉波整流器的网侧电流总谐波畸变率,但其抽头与负载回路串联引起的高损耗问题严重制约了该方法在大功率整流场合的应用。为此,提出一种损耗低、易于实现的无源谐波抑制方案。该方案仅需在12脉波...
关键词：24脉波整流器 无源谐波抑制 方波电流注入 导通损耗 
星载1MHz GaN LLC变换器低反向导通损耗控制被引量：4
《电工技术学报》2022年第24期6183-6190,共8页杨勇 宋大威 顾占彪 徐森锋 张之梁 
江苏省重点研发计划(产业前瞻与关键核心技术)资助项目(BE2019113)。
氮化镓(GaN)器件反向导通压降一般超过1.8V,400W 1MHz LLC变换器一次侧GaN器件反向导通损耗超过单管总损耗15%。该文提出一种应用于1MHz星载GaNLLC变换器一次侧开关管的低反向导通损耗控制,根据GaN器件结电容放电时间调整死区,在保证实...
关键词：GAN 卫星应用 反向导通损耗 LLC变换器 死区 
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