检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
出 处:《变频器世界》2024年第2期35-35,共1页The World of Inverters
摘 要:氮化镓(GaN)功率器件具有击穿电压高、导通损耗低等优异特性,有望成为下一代高密度、高频率电力系统的主流器件。由于其出色的高频性能,GaN功率器件在消费类电子产品中,如快充充电器,已经展示出明显的优势。然而,在像电机驱动这样的工业、汽车应用中,GaN功率器件需要经过额外的可靠性验证,尤其是短路(short circuit)可靠性。不过,目前GaN功率器件的短路可靠性仍处于较差的水平,这阻碍了其在工业级高功率领域的大规模应用。
关 键 词:新型器件 高频性能 击穿电压 功率器件 GAN 导通损耗 可靠性验证 消费类电子产品
分 类 号:TN3[电子电信—物理电子学]
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