顾占彪

作品数：8被引量：30H指数：4
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供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文主题：炉体晶体磷化铟坩埚籽晶更多>>
发文领域：电子电信电气工程金属学及工艺自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《半导体技术》《电工技术学报》《电子元件与材料》《电力电子技术》更多>>
所获基金：中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
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Ga-N熔体热力学性质及钠助熔剂法制备GaN单晶的研究进展
《半导体技术》2024年第7期597-608,共12页刘甜甜 怀俊彦 王书杰 顾占彪 张文雅 史艳磊 邵会民 
作为第三代半导体的关键材料之一,Ⅲ族氮化物在过去几十年中因其应用于光电子和微电子器件而得到了广泛的研究,如发光二极管(LED)、激光二极管(LD)和高电子迁移率晶体管(HEMT)。Na助熔剂法已成为生长高质量GaN晶体的重要技术之一。综述...
关键词：氮化镓 体单晶 位错 晶体生长 钠助熔剂法 
星载1MHz GaN LLC变换器低反向导通损耗控制被引量：4
《电工技术学报》2022年第24期6183-6190,共8页杨勇 宋大威 顾占彪 徐森锋 张之梁 
江苏省重点研发计划(产业前瞻与关键核心技术)资助项目(BE2019113)。
氮化镓(GaN)器件反向导通压降一般超过1.8V,400W 1MHz LLC变换器一次侧GaN器件反向导通损耗超过单管总损耗15%。该文提出一种应用于1MHz星载GaNLLC变换器一次侧开关管的低反向导通损耗控制,根据GaN器件结电容放电时间调整死区,在保证实...
关键词：GAN 卫星应用 反向导通损耗 LLC变换器 死区 
便携式充电CRM图腾柱功率因数校正过零检测延迟与交错相位误差补偿控制被引量：9
《电工技术学报》2022年第1期12-23,共12页王生东 李浩然 顾占彪 张之梁 任小永 
江苏省产业前瞻和关键核心技术基金资助项目(BE2019113)。
图腾柱功率因数校正(PFC)被广泛应用于电动汽车充电机以提高充电效率。该文提出考虑零电压开通(ZVS)裕度和轻载频率限制的全范围ZVS控制模型,全电压范围内实现完全ZVS开通。分析了电流过零检测(ZCD)延迟对输入电流总谐波畸变率(THD)的影...
关键词：便携式充电 临界电流模式 图腾柱功率因数校正 电流过零检测 交错并联 
GaN超高频谐振反激变换器被引量：6
《电源学报》2020年第5期19-27,共9页顾占彪 许可 唐家承 李志斌 张之梁 任小永 
国家优秀青年科学基金资助项目(51722702);中央高校基本科研业务费资助项目(NP2019101)。
同等电压应力下的GaN器件相比Si器件具有更低的导通电阻Rds(on)(on-resistance)及门极充电电荷Qg,能够大幅降低驱动和开关损耗,有利于提高变换器效率及功率密度。在低压小功率场合的超高频VHF(very high freque-ncy)谐振反激变换器中,...
关键词：氮化镓 超高频 高功率密度 变压器集成 
1 kV SiC LLC变换器参数设计与效率优化被引量：2
《电力电子技术》2020年第10期39-42,49,共5页顾占彪 唐家承 高哲思 张之梁 
江苏省重点研发计划(BE2019113)。
系留无人机因其续航时间长、有效载荷大而得到广泛应用。LLC变换器因其易于实现软开关,十分适合系留无人机机载电源这一高输入电压(>1 kV),中大功率应用场合。而传统设计方法仅考虑增益要求,高压输入、中大功率场合下,变压器激磁电感稍...
关键词：变换器 参数设计 效率优化 
宽禁带器件在1kV高频直流谐振变换器中的应用与对比被引量：5
《电源学报》2020年第1期150-161,共12页顾占彪 李志斌 石伟杰 唐家承 张之梁 任小永 
国家优秀青年科学基金资助项目（51722702）~~
与传统硅Si(silicon)功率器件相比,第3代宽禁带功率半导体器件,如碳化硅SiC(silicon carbide)和氮化镓GaN(gallium nitride)功率器件,由于具有高功率密度、耐高温和抗辐照等特点,得到了越来越广泛的应用。分析了基于SiC和GaN的2种1 kV...
关键词：宽禁带器件 SIC GAN DC-DC 高压 谐振变换器 
宽带多节Wilkinson功率分配器的研制被引量：1
《电子元件与材料》2013年第12期42-44,48,共4页孙长友 顾占彪 王淼 
利用Ansoft公司的Serenade软件对设计的宽带Wilkinson功分器模型进行仿真优化,制作了工作于1.5～12.0 GHz的宽带功率分配器,仿真结果和实物测试结果比较接近,并给出了导致偏差出现的几种可能原因。该功率分配器在整个频带范围内具有良...
关键词：Wilkinson功率分配器 宽带 插损 隔离度 输入驻波比 输出驻波比 
GaAs FET脉冲功率放大器输出脉冲包络分析研究被引量：3
《半导体技术》2013年第6期474-478,共5页顾占彪 王淼 
基于GaAs场效应晶体管(FET)微波脉冲固态功率放大器的输出脉冲包络,对输出脉冲波形的顶部降落与顶部过冲开展研究。从脉冲调制电路、GaAs FET的饱和深度以及沟道温度三个方面对脉冲顶降进行了讨论,指出了可以通过选用合适的储能电容、使...
关键词：砷化镓 场效应晶体管(FET) 微波脉冲固态功率放大器 脉冲波形顶部降落 脉冲波形顶部过冲 
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