开关特性

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双脉冲测试参数设计与四开关Buck-Boost DC-DC变换器效率评估
《电力与能源》2024年第5期573-579,共7页吴立 陶勇 张皓 唐啸 潘炼杰 
双脉冲测试作为功率半导体器件性能评估的主要手段,其试验参数的准确性直接影响着测试结果。为了更准确地获得功率半导体器件的开关特性,以第三代宽禁带半导体器件SiC-MOSFET为测试对象,详细介绍了双脉冲测试电路的工作原理,给出了双脉...
关键词：SiC-MOSFET 效率评估 双脉冲测试 开关特性 参数设计 
双面散热SiC功率模块温度均匀性和开关特性评估被引量：1
《电源学报》2024年第3期100-110,共11页廖淑华 周锦源 李敏 雷光寅 
碳化硅MOSFET因其材料特性被广泛应用于新能源汽车的高压、高频和高功率密度场合。在考虑双面水冷散热过程,往往忽略芯片布局间距对于散热以及芯片温度均匀性的影响,未考虑芯片温度均匀性对于多芯片并联电流均匀性的影响。针对上述问题...
关键词：SiC双面水冷模块 芯片布局 温度均匀性 开关特性 
一种考虑复合电流的SiC LBJT行为模型改进
《微电子学》2024年第2期287-292,共6页潘灿 牟炳福 李军 王音心 郭琳琳 
介绍了一种考虑基区SiC/SiO2界面处复合电流的SiC LBJT改进模型。分析了横向碳化硅双极结型晶体管与其垂直结构之间的区别,将横向BJT的外延层和半绝缘机构等效为衬底电容。再引入一个平行于SiC BJT基极结的附加二极管来描述复合电流,以...
关键词：碳化硅 LBJT 衬底电容 复合电流 开关特性 输出特性曲线 
SiC MOSFET测试系统设计与开关特性分析
《电力电子技术》2024年第3期134-137,共4页伍娟 崔昊杨 杨程 文阳 
国家自然科学基金(52177185);上海市自然科学基金(23ZR1424400)。
以碳化硅金属-氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)为代表的第3代半导体功率器件因其优异的开关特性,在新能源等领域被广泛应用,但面对高速开关耦合寄生参数所产生的负面效应,使得测试系统难以快速、准确评估其开关瞬态等相关参数。首...
关键词：晶体管 碳化硅 测试系统 开关特性 
门极驱动正压对功率半导体性能的影响
《变频器世界》2023年第12期43-45,共3页
对于半导体功率器件来说,门极电压的取值对器件特性影响很大。以前曾经聊过门极负压对器件开关特性的影响,而今天我们来一起看看门极正电压对器件的影响。文章将会从导通损耗,开关损耗和短路性能来分别讨论。
关键词：功率半导体 半导体功率器件 器件特性 开关特性 门极电压 门极驱动 导通损耗 开关损耗 
混合并联功率器件开关模式优化及特性分析
《电力电子技术》2023年第12期137-140,共4页夏付炳 
陕西省重点研发计划(2021GXLH-Z-013)。
在对比SiC MOSFET与Si IGBT器件开关特性的基础上,提出了一种SiC MOSFET和Si IGBT混合并联器件的优化开关模式,并结合系统稳态模型,分析了其非理想开关过程特性。最后利用双脉冲测试,对在不同开通/延迟时间下混合并联器件开关特性展开...
关键词：器件 混合并联 开关特性 
SiC MOSFET有源驱动电路关断轨迹优化方法
《北京交通大学学报》2023年第5期126-135,共10页陈月清 郭希铮 部旭聪 郝瑞祥 游小杰 
中央高校基本科研业务费专项资金(2022JBXT006);国家重点研发计划(2022YFB2404105)。
SiC MOSFET的快速开关过程带来开关振荡、电磁干扰(Electromagnetic Interference,EMI)问题,多电平有源驱动电路通过调节开关过程中的驱动电压可以优化其关断轨迹.针对有源驱动电路中间电平选取及作用时间的优化选择问题,提出一种SiC MO...
关键词：SiC MOSFET 开关特性 有源驱动 轨迹预测模型 
银掺杂忆阻器的开关特性和限流调控
《微纳电子技术》2023年第10期1691-1701,共11页仉佳艺 赵思濛 杨一鸣 徐娇 唐灵芝 
为了更好地通过低成本、易操作的方法获得性能优异的忆阻器,解决忆阻器在操作电压和循环次数等方面存在的问题,制备掺杂不同质量AgⅠ的前驱体溶液。采用低成本的低温旋涂工艺完成掺银功能层的制备,再采用蒸镀工艺实现基于Ag/Ag^(+)掺杂...
关键词：钙钛矿薄膜 忆阻器 低温掺杂 限流调控 AgⅠ 
凹槽栅增强型GaN功率器件的开关特性研究
《中国集成电路》2023年第8期39-44,48,共7页陈泽权 李调阳 
国家自然科学基金(No.62204042);福建省科技重大专项专题项目(No.2021HZ021027)。
由于AlGaN/GaN异质结界面自发极化和压电极化产生的二维电子气,使器件处于常开状态,需要施加额外的负栅极电压将其关断。而增强型p-GaN栅结构的肖特基栅漏电大,极大地限制了器件的工作电压范围。本文基于原子层刻蚀及原子层沉积技术,在...
关键词：氮化镓 凹槽栅 增强型 TCAD仿真 开关特性 
考虑阈值迟滞的碳化硅MOSFET开关暂态解析模型被引量：3
《高电压技术》2023年第7期3051-3061,共11页徐子珂 蔡雨萌 孙鹏 赵志斌 王威 
国家电网有限公司总部科技项目(5209502000D5)。
由于SiC/SiO_(2)界面固有的高界面态密度,阈值迟滞现象一直影响碳化硅MOSFET的可靠性。为量化评估阈值迟滞对碳化硅MOSFET开关特性的影响,首先考虑了驱动电压的上升与下降时间,建立了驱动电压非理想突变的开关暂态模型;其次,按照IEC标...
关键词：碳化硅MOSFET 驱动电压 非理想突变 阈值迟滞 开关特性 解析模型 
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