邵枫

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发文主题：场效应迁移率GO氧化物薄膜铟非晶更多>>
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KH550-GO复合栅介质低压氧化物薄膜晶体管
《电子元件与材料》2016年第5期44-47,共4页黄钰凯 凌智勇 邵枫 温娟 
江苏大学高级人才科研启动基金(No.14JDG049)
采用旋涂法制备硅烷偶联剂-氧化石墨烯(KH550-GO)新型复合栅介质薄膜,由于栅介质层和沟道层界面处明显的双电层效应,单位面积电容高达2.18×10^(–6)F/cm^2。通过自组装法,借助磁控溅射仪,仅需一次掩膜,即可同时生成晶体管的沟道与源漏...
关键词：有源层 非晶铟锌氧化物 双电层效应 KH550-GO复合栅介质 薄膜晶体管 场效应迁移率 
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