刘莉

作品数：14被引量：24H指数：2
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供职机构：西安电子科技大学更多>>
发文主题：外延片SICMOSFET界面态密度驱动电路更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术理学一般工业技术更多>>
发文期刊：《科学通报》《微电子学》《西南交通大学学报》《西安电子科技大学学报》更多>>
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一种能够改善鲁棒性的新型4H-SiC ESD防护器件
《物理学报》2022年第19期348-354,共7页常帅军 马海伦 李浩 欧树基 郭建飞 钟鸣浩 刘莉 
陕西省重点研发计划(批准号:B020250023)资助的课题。
2020年,韩国学者以4H-SiC材料为基底提出了一种新型ESD防护器件HHFGNMOS(high holding voltage floating gate NMOSFET),此结构显著改善了4H-SiC GGNMOS(grounded-gate NMOSFET)因SiC材料特性导致的剧烈回滞现象.但是在HHFGNMOS结构中...
关键词：HHFGNMOS Comb-like HHFGNMOS 4H-SIC 电流密度分布 
非钳位感性开关测试下双沟槽4H-SiC功率MOSFET失效机理研究
《物理学报》2022年第13期347-353,共7页郭建飞 李浩 王梓名 钟鸣浩 常帅军 欧树基 马海伦 刘莉 
陕西省重点研发一般项目(批准号:2020GY-053)资助的课题.
本文对非钳位感性开关(unclamped inductive switching,UIS)下4H-SiC双沟槽功率MOSFET失效机理进行实验和理论研究.结果表明,不同于平面功率MOSFET器件失效机理,在单脉冲UIS测试下双沟槽功率MOSFET器件的栅极沟槽底角处的氧化层会发生损...
关键词：4H-SIC 双沟槽 MOSFET 单脉冲雪崩击穿能量 失效机理 栅极沟槽拐角氧化层断裂 
4H-SiC MOS电容栅介质经NO退火电流导通机理研究被引量：1
《北京理工大学学报》2017年第5期497-500,共4页刘莉 杨银堂 
国家自然科学基金青年基金资助项目(JJ0500142501);国家自然科学基金重点资助项目(JJ0200122502)
本文对进行NO退火和非NO退火的SiC MOS电容的栅泄漏电流的导通机理进行了分析,研究表明在高场下经过NO退火和未经过NO退火的样品的栅泄露电流都由Fowler-Nordheim(FN)隧穿决定,经过NO退火的势垒高度为2.67eV,而未经过NO退火的样品势垒...
关键词：SiC MOS NO退火 栅泄漏电流导通机理 
SiC/SiO_2界面形貌对SiC MOS器件沟道迁移率的影响被引量：1
《浙江大学学报（工学版）》2016年第2期392-396,共5页刘莉 杨银堂 
国家自然科学基金青年基金资助项目(61404096);国家自然科学基金重点资助项目(61334003)
为了研究SiC/SiO_2界面粗糙度对SiC MOS器件构道迁移率的影响,在离子注入后高温退火过程中采用碳膜保护SiC表面以减小退火过程中产生的表面粗糙度,碳膜的形成通过对光刻胶在600℃下前烘30min实现.研究结果表明:微结构分析所得的微米量...
关键词：SiC/SiO2界面粗糙度 界面态密度 场效应迁移率 
基于微观结构的Cu互连电迁移失效研究被引量：3
《物理学报》2012年第1期493-498,共6页吴振宇 杨银堂 柴常春 刘莉 彭杰 魏经天 
国家自然科学基金青年科学基金(批准号:60806034)资助的课题~~
提出了一种基于微观晶粒尺寸分布的Cu互连电迁移失效寿命模型.结合透射电子显微镜和统计失效分析技术。研究了Cu互连电迁移失效尺寸缩小和临界长度效应及其物理机制.研究表明,当互连线宽度减小,其平均晶粒尺寸下降并导致互连电迁移寿命...
关键词：CU互连 电迁移 微观结构 
Al2O3绝缘栅SiC MIS结构基本特性的研究被引量：1
《科学通报》2011年第11期822-827,共6页刘莉 杨银堂 马晓华 
西安电子科技大学2010年校内基本科研业务费资助项目(K50510250008)
采用原子层淀积（ALD）方法在4H-SiC（0001）8°N-/N＋外延层上制备了超薄（~4nm）Al2O3绝缘栅高介电常数SiCMIS电容.通过对Al2O3介质膜以及Al2O3/SiC界面微结构和电学特性分析表明,实验所得Al2O3介质膜具有较好的体特性和界面特性,Al2O...
关键词：AL2O3 SIC MIS电容 栅泄漏电流 C-V特性 
高温6H-SiC CMOS运算放大器的设计被引量：2
《西北大学学报（自然科学版）》2010年第2期219-223,共5页刘莉 杨银堂 
教育部重点科技基金资助项目(02074);国家部委预研基金资助项目(41308060105)
目的设计可工作在高温下的6H-SiC CMOS运算放大器。方法该电路基于标准的PMOS输入两级运放而成,考虑泄漏电流匹配添加Dcomp二极管。利用零温度系数理论和泄漏电流匹配的原则对电路管子的尺寸进行确定。通过求解SiMOS管和6H-SiC MOS管零...
关键词：6H-SIC CMOS OPAMP 零温度系数 泄漏电流匹配 温度稳定性 
SiC CMOS OPAMP高温模型和Hspice仿真
《西南交通大学学报》2010年第2期278-283,共6页杨银堂 刘莉 
教育部重点科技项目(02074);国家部委预研项目(41308060105)
为研制具有高温稳定性的SiC CMOS(complementary metal-oxide-semiconductor)OPAMP(operationalamplifier),对PMOST(P-type metal-oxide-semiconductor transistor)输入标准6H-SiC CMOS两级运算放大器的高温等效电路模型进行了推导,并...
关键词：SIC CMOS OPAMP 高温模型 HSPICE仿真 
具有温度稳定性的SiC CMOS运算放大器的设计
《微电子学》2008年第5期697-702,共6页刘莉 杨银堂 柴常春 
教育部重点科技项目资助(02074);国家部委预研项目资助(41308060105)
设计了具有温度稳定性的SiC CMOS运算放大器。根据所希望的IDSat(ZTC)和任一节点泄漏电流为零的原则设计偏置电路;输入采用差分输入,同时按照泄漏电流匹配的原则,合理选取Dcomp的面积。Si MOS器件电源电压为5V,采用TSMC 0.25μm工艺制...
关键词：SIC CMOS 运算放大器 零温度系数 
耗尽型6H-SiC埋沟PMOSFET电流解析模型被引量：1
《固体电子学研究与进展》2006年第1期64-68,共5页刘莉 杨银堂 
科技基金(41308060202);教育部跨世纪人才培养基金资助
在考虑到杂质的不完全离化作用时，建立了SiC埋沟PMOSFET在发生表面多子耗尽时的电流解析模型。实验结果和模拟结果的一致性说明了此模型的准确性。在300～600K温度范围表面弱电场的条件下．由于杂质不完全离化作用得到充分体现．因此...
关键词：碳化硅 埋沟P型金属-氧化物-半导体场效应晶体管 不完全离化 表面耗尽 
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