CU互连

作品数：49被引量：91H指数：5
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高温高应变下Cu/Ta界面扩散行为的分子动力学模拟
《电子元件与材料》2024年第10期1274-1283,共10页张磊洋 肖雯天 柳和生 李刚龙 
江西省教育厅科学技术研究项目(GJJ2200725);东华理工大学博士启动基金(DHBK2019161)。
采用铜互连的三维集成技术是提高微电子器件性能的一种很有前景的方法。然而,由于铜易扩散到硅电子器件中,导致其性能降低甚至失效,而钽(Ta)凭借稳定的化学性能常被作为阻挡层应用在工程中。为探究Cu/Ta体系的扩散行为,采用分子动力学方...
关键词：分子动力学 界面扩散 阻挡层 拉伸 CU互连 Cu/Ta 
基于氮化铝HTCC的表面Cu互连制备技术
《微纳电子技术》2024年第7期156-161,共6页杨欢 张鹤 杨振涛 刘林杰 
针对高集成密度、高散热封装外壳发展需求,基于氮化铝(AlN)高温共烧陶瓷(HTCC)多层基板,结合直接镀铜(DPC)工艺,提出了一种薄厚膜相结合的高散热封装基板及其制备方法。重点对氮化铝HTCC与表面铜(Cu)层间的结合力进行研究和优化,通过扫...
关键词：氮化铝 高温共烧陶瓷(HTCC)多层基板 直接镀铜(DPC) 黏附层 钛(Ti) 剥离强度 
键合互连技术的现状及发展趋势
《云光技术》2023年第2期7-15,共9页龙金燕 刀丽纯 陈超 张光弘 褚祝军 
键合互连技术是电气互联技术领域中器件封装的关键技术,本文简要介绍了引线键合技术、载带自动焊键合、倒装焊键合3种常见键合互连技术的基本原理、类别及焊料选用等,并比较了它们的优缺点。接着又简要介绍了最新的键合技术研究现状。...
关键词：引线键合 低温键合 倒装键合 Cu-Cu互连 
半导体封装Cu-Cu互连接头烧结性能研究被引量：3
《电子与封装》2023年第3期97-102,共6页吴松 张昱 曹萍 杨冠南 黄光汉 崔成强 
国家自然科学基金面上项目(62174039);广东省自然科学基金面上项目(2021A1515011642)。
使用不添加任何助焊剂的铜膏,获得了高烧结性能的Cu-Cu互连接头。使用扫描电子显微镜、X射线衍射仪和热重分析仪对粒径分别为(20±10)nm、(80±20)nm和(100±20)nm的纳米铜颗粒进行分析表征。选择粒径为(80±20)nm的纳米铜颗粒和松油醇...
关键词：纳米铜颗粒 微电子封装 Cu-Cu互连接头 低温烧结 
TTA-K与pH值对Ru阻挡层Cu互连图形片CMP的影响被引量：2
《微纳电子技术》2022年第4期385-391,共7页张雪 周建伟 王辰伟 
国家自然科学基金资助项目(62074049)。
研究了甲基苯并三氮唑钾盐(TTA-K)与pH值协同作用对Ru基阻挡层Cu互连图形片Cu膜化学机械平坦化(Cu CMP)后碟形坑及蚀坑的影响。静态腐蚀实验结果表明,Cu静态腐蚀速率和Cu去除速率随TTA-K体积分数增加而显著降低,随抛光液pH值增加而显著...
关键词：化学机械平坦化(CMP) 钌阻挡层 铜图形片 碟形坑 蚀坑 
水汽侵入对Cu互连电迁移性能退化的影响机理
《半导体技术》2022年第4期302-306,共5页范伟海 韩兆翔 
随着超大规模集成电路(VLSI)工艺的发展及低介电常数(k)材料的引入,芯片及测试结构对于水汽侵入的影响愈加敏感,从而对Cu互连可靠性测试的准确性提出了严峻的挑战。通过设计的实验验证了水汽侵入对Cu互连电迁移性能退化的影响。借助失...
关键词：可靠性 电迁移 CU互连 水汽侵入 失效分析 
Cu-Sn-Cu互连微凸点热压键合研究被引量：4
《电子与封装》2021年第9期20-24,共5页张潇睿 
随着多数产品更高的I/O数需求,微铜柱凸点已经成为倒装芯片领域的主流,而热压倒装焊则是目前使用最多的键合方式之一。针对一款Cu-Sn-Cu倒装芯片,基于日本Athlete公司的CB-600低荷重半自动倒装键合机,以研究芯片键合质量为目标,完成了...
关键词：微铜柱凸点 热压键合 键合参数 拉剪力测试 
铜与硅之间Zr/Ru双层阻挡层的性能研究被引量：2
《化学工程与装备》2021年第4期10-11,16,共3页沈欢 孟瑜 弥娟莉 康董青 黄乐 
陕西省教育厅科技项目(19JS056);陕西省大学生创新创业训练计划项目(DC2019049);西安文理学院科研团队:先进表面工程与装备延寿(XAWLKYTD013)。
本文通过磁控溅射技术在单面抛光的Si(100)基底上沉积Cu/Zr/Ru多层薄膜,利用先进的XRD、FPP和TEM等检测方法对互连体系退火前后的物相结构、微观形貌和电学性能进行了表征分析。
关键词：CU互连 Zr/Ru 双层阻挡层 电学特性 热稳定性 
Cu-Sn-Cu互连微凸点电迁移仿真研究被引量：1
《科技风》2021年第12期108-109,128,共3页张潇睿 
随着微电子领域朝着微型化的不断前进,产品封装密度越来越高,微焊点的尺寸和间距也日益减小,电迁移现象更加频繁的出现。本文针对一种Cu-Sn-Cu结构互连微凸点,基于ANSYS软件,研究了不同Sn层高度以及结构对称性变化对凸点内部电流密度分...
关键词：微凸点 电迁移 电流密度 仿真 
InGaZnO薄膜晶体管背板的层间Cu互连静电保护研究被引量：2
《物理学报》2019年第15期331-339,共9页马群刚 王海宏 张盛东 陈旭 王婷婷 
国家自然科学基金(批准号:61574003,61774010);深圳市科学计划基金(批准号:GGFW20170728163447038,JCYJ20180504165449640)资助的课题~~
InGaZnO薄膜晶体管(InGaZnO thin film transistor,IGZO TFT)与Cu互连组合的驱动背板,在生产线机台上的抗静电放电(electrostatic discharge,ESD)耐压能力比传统a-Si TFT背板低将近一个数量级电压,数据线和扫描线层间Mo/Cu互连抗击穿电...
关键词：InGaZnO薄膜晶体管 CU互连 SiO2绝缘层 静电放电 
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