低温键合

作品数：40被引量：81H指数：4
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相关作者：刘如彬陈松岩宋志棠秦明陈明祥更多>>
相关机构：中国科学院华中科技大学哈尔滨工业大学厦门大学更多>>
相关期刊：《微电子学与计算机》《红外与激光工程》《电子元件与材料》《集成电路通讯》更多>>
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应用于三维集成的金铟键合技术研究
《固体电子学研究与进展》2024年第2期157-160,172,共5页栾华凯 侯芳 孙超 吴焱 禹淼 
由于埋置芯片耐受温度的限制,圆片级低温键合技术是MEMS三维集成的关键工艺之一。金属In凭借自身熔点低而金属间化合物(Intermetallic compound, IMC)熔点高且性质稳定的特点,使得Au-In固液扩散键合法成为颇具前景的低温键合技术之一。...
关键词：低温键合 金铟共晶 固液扩散键合 剪切强度 
键合互连技术的现状及发展趋势
《云光技术》2023年第2期7-15,共9页龙金燕 刀丽纯 陈超 张光弘 褚祝军 
键合互连技术是电气互联技术领域中器件封装的关键技术,本文简要介绍了引线键合技术、载带自动焊键合、倒装焊键合3种常见键合互连技术的基本原理、类别及焊料选用等,并比较了它们的优缺点。接着又简要介绍了最新的键合技术研究现状。...
关键词：引线键合 低温键合 倒装键合 Cu-Cu互连 
金属纳米材料低温键合及图形化制备研究进展被引量：1
《焊接学报》2023年第12期82-96,I0008,I0009,共17页杜荣葆 邹贵生 王帅奇 刘磊 
国家自然科学基金资助项目(52075287,52275346)。
利用金属纳米材料的尺寸效应可显著降低连接温度,提高焊点可靠性,以银纳米焊膏为代表的金属纳米低温连接材料在第三代半导体为代表的功率芯片封装中充分验证并量产.面向集成电路的先进封装需要图形化焊点,将功率芯片封装技术转移到先进...
关键词：先进封装 金属纳米材料 低温键合 图形化 
面向先进封装应用的混合键合技术研究进展被引量：5
《微电子学与计算机》2023年第11期22-42,共21页马盛林 张桐铨 
厦门大学校长基金项目(2072022)。
随着摩尔定律推进至纳米级节点,以硅通孔(TSV)、重布线层(RDL)、薄芯片堆叠键合等为支撑的三维集成被认为是延续摩尔定律的重要途径.Cu/SiO_(2)混合键合可以持续缩小芯片间三维互连节距、增大三维互连密度,是芯片堆叠键合前沿技术.近年...
关键词：混合键合 Cu/SiO_(2)混合键合 铜/聚合物混合键合 低温键合 
基于低温熔融技术的硅–玻璃异质材料键合工艺设计
《材料科学》2023年第6期503-510,共8页潘代强 吴正鹏 张云 
传统硅–玻璃为衬底晶圆的异质材料键合有阳极键合工艺,但是阳极键合需要高碱金属氧化物含量的玻璃晶圆,且工艺需要施加电场和高温加热,高温高压会引起较大键合残余应力,导致器件结构变化或性能衰减,对半导体器件应用有较大局限性。本...
关键词：硅–玻璃衬底 异质材料键合 低温键合 
晶体管级异质集成技术及其典型应用
《固体电子学研究与进展》2023年第2期95-100,共6页陈堂胜 戴家赟 吴立枢 孔月婵 周书同 齐志央 钟世昌 凌志健 
国家重点研发计划资助项目(2022YFB3404300)。
晶体管级异质集成是后摩尔时代半导体微波器件技术发展的重点方向。介绍了针对平面和纵向两类不同结构器件分别开发的介质键合和金属键合两套外延层转移晶体管级异质集成工艺,研制出基于介质键合工艺的金刚石衬底GaN HEMT微波功率器件...
关键词：半导体微波晶体管 晶体管级异质集成 外延层转移 低温键合 微波功率器件 限幅器 
面向三维集成的等离子体活化键合研究进展
《电子与封装》2023年第3期41-51,共11页牛帆帆 杨舒涵 康秋实 王晨曦 
国家自然科学基金重大研究计划(92164105);国家自然科学基金面上项目(51975151);黑龙江省“头雁”团队(HITTY-20190013)。
三维集成技术已成为促使半导体芯片步入后摩尔时代的重要支撑。晶圆直接键合技术无需微凸点和底充胶填充工艺,依靠原子间相互作用力即可实现高密度与高强度互连,是三维集成发展的重要研究方向之一。其中等离子体活化作为一种高效的表面...
关键词：等离子体 表面活化 低温键合 三维集成 
Pt催化甲酸气氛下的碳化硅低温键合
《哈尔滨工业大学学报》2022年第12期103-107,共5页尹振 徐杨 李俊龙 孟莹 赵雪龙 须贺唯知 王英辉 
中国科学院微电子所所长基金(51Y5SF02F001);中国科学院人才项目(29Y6YB02F001);昆山微电子技术研究院自研项目(0202060001,0202060003)。
为实现碳化硅(SiC)在300℃以下的低温键合,研究了以Cu和Au作为键合中间层,利用Pt催化甲酸气氛预处理金属膜表面并为键合提供还原性保护气氛的低温键合方法。首先,研究了带有Cu金属层的SiC晶片在氮气、甲酸气氛以及Pt催化甲酸气氛下的键...
关键词：碳化硅(SiC) 低温键合 甲酸 催化还原 金属中间层 
先进封装中铜-铜低温键合技术研究进展被引量：4
《焊接学报》2022年第11期112-125,I0009,共15页王帅奇 邹贵生 刘磊 
国家自然科学基金资助项目(52075287)。
Cu-Cu低温键合技术是先进封装的核心技术,相较于目前主流应用的Sn基软钎焊工艺,其互连节距更窄、导电导热能力更强、可靠性更优.文中对应用于先进封装领域的Cu-Cu低温键合技术进行了综述,首先从工艺流程、连接机理、性能表征等方面较系...
关键词：先进封装 混合键合 Cu-Cu键合 窄节距 烧结 
石墨烯对基于无铅焊料的低温Cu-Cu键合的影响
《微纳电子技术》2022年第7期696-701,共6页周凯 尹翔 王炜 李柘霖 王旭 段竞峰 杨文华 
国家自然科学基金资助项目(61404042);国家大学生创新创业训练计划项目(202010359069)。
通过在铜薄膜表面逐次转移石墨烯(G),在铜薄膜和Sn-3.0 Ag-0.5 Cu(SAC)焊料间插入了中间层,利用低温热压键合技术实现高可靠性的Cu-Cu键合,研究了不同厚度的石墨烯作为中间层对键合的影响。在150℃下持续老化后,通过观察微观结构、测量...
关键词：石墨烯 低温键合 金属间化合物(IMC) 无铅焊料 老化 
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