微波功率器件

作品数：85被引量：101H指数：5
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：郝跃张进成马晓华翟玉卫陈堂胜更多>>
相关机构：西安电子科技大学中国电子科技集团第十三研究所南京电子器件研究所中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
相关期刊：更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家部委预研基金北京市自然科学基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
薄界面异质异构晶圆键合技术研究现状及趋势
《材料导报》2024年第24期36-49,共14页王成君 杨晓东 张辉 周幸叶 戴家赟 李早阳 段晋胜 乔丽 王广来 
国家重点研发计划(2022YFB3404300);科工局基础科研项目(JCKY2019210A002)。
半导体产业对国防安全和国民经济发展意义重大,高端半导体装备也是国外对华技术封锁的重点领域。雷达探测、5G通信等领域所用的导体器件对大功率、高频率、高响应等性能要求越来越高,目前该类器件面临界面热阻高、传输损耗大和集成度低...
关键词：晶圆键合 超薄界面 异质异构 直接键合 金刚石基氮化镓微波功率器件 
金属陶瓷管壳与陶瓷盖板的平行缝焊工艺应用
《电子工艺技术》2024年第6期22-25,共4页崔洪波 方健 马奔驰 刘艳 吴迪 
技术基础科研项目(JSBZ2022210A001)。
采用平行缝焊工艺代替钎焊工艺进行金属陶瓷管壳和陶瓷盖板的气密封装,可以避免微波功率放大器密封焊接过程中芯片贴装焊料发生二次重熔,提高电子器件可靠性。通过金属陶瓷管壳和陶瓷盖板的结构设计,实现了器件的平行缝焊密封工艺,密封...
关键词：微组装 气密封装 平行缝焊 微波功率器件 
P波段GaN微波功率器件射频加速寿命试验
《通讯世界》2024年第7期15-17,共3页董四华 高永辉 银军 赵景波 郝海飞 
“叶企孙”科学基金-高功率微波作用下千瓦级GaN微波器件损伤机理、可靠性模型和加固研究(U2241220)。
氮化镓(GaN)微波功率器件广泛应用于民用雷达及通信领域,其长期工作可靠性对整机设备性能有着极其重要的影响。在150℃管壳温度的条件下对千瓦级P波段GaN微波功率器件进行加速寿命试验,基于Arrhenius模型对加速寿命试验结果进行计算和分...
关键词：峰值结温 可靠性 加速寿命试验 平均失效时间 P波段 
1 A/mm高电流密度金刚石微波功率器件
《固体电子学研究与进展》2024年第1期1-5,共5页谯兵 郁鑫鑫 李忠辉 陶然 周建军 陈堂胜 
基于自对准栅电极制备技术,研制了具有低导通电阻和高电流密度的氢终端金刚石微波功率器件。采用高功函数金属Au与氢终端金刚石实现了良好的欧姆接触,接触电阻为0.73Ω·mm。得益于较低的源漏串联电阻和低损伤Al2O3栅介质原子层沉积工艺...
关键词：金刚石 自对准技术 高电流密度 微波功率 
一种基于广义回归神经网络的微波功率器件X参数建模方法被引量：1
《电子元件与材料》2023年第12期1490-1497,共8页林倩 王晓政 杨姝玥 邬海峰 王静 
国家自然科学基金(62161046);青海省重点研发与转化专项科技援青项目(2022-QY-212)。
为了解决微波功率器件大信号参数提取复杂的问题,提出了一种基于广义回归神经网络(GRNN)对微波功率器件进行建模的方法。与此同时,采用双隐藏层BP神经网络进行建模。为了验证两种模型的建模效果,采用谐波平衡实验得到预测数据与期望数...
关键词：GRNN BP神经网络 X参数 微波功率器件 
小型化长脉宽高效率C波段收发模块的研制
《数字技术与应用》2023年第8期160-163,共4页章勇佳 陈继鹏 
本文设计了一款小型化、高效率、高增益C波段收发模块,通过小型化设计,模块最终尺寸仅为35mm×28mm×6mm。实测该模块发射链路,输出功率大于140W,附加效率大于54%。接收链路测试结果显示,小信号增益大于23d B,噪声系数小于1.5。该模块...
关键词：微波功率器件 小信号增益 收发模块 C波段 宽禁带材料 接收链路 长脉宽 小型化设计 
金刚石衬底异质集成GaN HEMT——新一代固态微波功率器件——专访中国电科集团有限公司制造工艺领域首席科学家陈堂胜
《固体电子学研究与进展》2023年第4期287-288,共2页曹敏华 
当今半导体行业已进入后摩尔时代,单一半导体器件性能提升遇到瓶颈,器件与系统的联动发展已成为半导体技术发展的主题。摩尔定律遇到的困境不仅表现于Si CMOS器件,GaN微波功率器件从问世到现在也三十年了,其快速发展阶段也已经过去,GaN...
关键词：微波功率器件 半导体技术 CMOS器件 半导体器件 异质集成 GaN 后摩尔时代 摩尔定律 
晶体管级异质集成技术及其典型应用
《固体电子学研究与进展》2023年第2期95-100,共6页陈堂胜 戴家赟 吴立枢 孔月婵 周书同 齐志央 钟世昌 凌志健 
国家重点研发计划资助项目(2022YFB3404300)。
晶体管级异质集成是后摩尔时代半导体微波器件技术发展的重点方向。介绍了针对平面和纵向两类不同结构器件分别开发的介质键合和金属键合两套外延层转移晶体管级异质集成工艺,研制出基于介质键合工艺的金刚石衬底GaN HEMT微波功率器件...
关键词：半导体微波晶体管 晶体管级异质集成 外延层转移 低温键合 微波功率器件 限幅器 
GaN HEMTs微波器件的失效机理及宇航应用保障
《固体电子学研究与进展》2023年第2期136-146,共11页林罡 
经过30年的发展,GaN已成为当今化合物半导体领域的研究和产业化的热点,同时也是卫星微波通讯的未来重点发展技术之一,但其可靠性一直是制约GaN HEMT器件工程化的重要因素。本文回顾和总结了南京电子器件研究所解决GaN HEMT微波器件的可...
关键词：氮化镓 SiC衬底GaN器件 微波功率器件 可靠性 失效机理 高温加速寿命试验(HTOL) 总剂量效应 单粒子效应 低气压放电 宇航应用保障 
微波功率器件测量不确定度评定
《中国计量》2023年第1期88-91,95,共5页沙长涛 王文娟 
本文针对微波功率器件特殊的封装形式,分析了测量夹具引入误差的不可忽略性,进而对测量夹具的误差校准及整个测量系统的校准进行了介绍。文章以微波功率器件测量系统为对象,对整个测量系统的误差来源进行了分析,并以S21为例对测量结果...
关键词：微波功率器件 测量夹具 校准 误差分析 不确定度评定 
全选清除导出
共9页<123456789>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部