P波段GaN微波功率器件射频加速寿命试验  

作　　者：董四华[1] 高永辉[1] 银军[1] 赵景波 郝海飞 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第十三研究所,河北石家庄050051

出　　处：《通讯世界》2024年第7期15-17,共3页Telecom World

基　　金：“叶企孙”科学基金-高功率微波作用下千瓦级GaN微波器件损伤机理、可靠性模型和加固研究(U2241220)。

摘　　要：氮化镓(GaN)微波功率器件广泛应用于民用雷达及通信领域,其长期工作可靠性对整机设备性能有着极其重要的影响。在150℃管壳温度的条件下对千瓦级P波段GaN微波功率器件进行加速寿命试验,基于Arrhenius模型对加速寿命试验结果进行计算和分析,得出该微波功率器件在85℃管壳温度工作条件下的平均失效时间优于2.14×10^(6) h,其工作寿命可以满足射频整机设备应用的要求。

关 键 词：峰值结温 可靠性 加速寿命试验 平均失效时间 P波段 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]