峰值结温

作品数：10被引量：15H指数：2
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P波段GaN微波功率器件射频加速寿命试验
《通讯世界》2024年第7期15-17,共3页董四华 高永辉 银军 赵景波 郝海飞 
“叶企孙”科学基金-高功率微波作用下千瓦级GaN微波器件损伤机理、可靠性模型和加固研究(U2241220)。
氮化镓(GaN)微波功率器件广泛应用于民用雷达及通信领域,其长期工作可靠性对整机设备性能有着极其重要的影响。在150℃管壳温度的条件下对千瓦级P波段GaN微波功率器件进行加速寿命试验,基于Arrhenius模型对加速寿命试验结果进行计算和分...
关键词：峰值结温 可靠性 加速寿命试验 平均失效时间 P波段 
GaAs MMIC的热生成机制的建模与仿真方法
《电子产品可靠性与环境试验》2013年第6期36-40,共5页赵磊 何小琦 来萍 周斌 恩云飞 
以GaAs基异质结双极性晶体管(HBT)单片微波集成电路(MMIC)为例,研究了器件内部的热生成机制,包括:确定器件内部的热生成机制及热生成区的位置,讨论器件内部热传导和热耗散的形式,建立器件的详细3 D实体模型。利用有限元软件ANSYS WorkBe...
关键词：热生成区 峰值结温 有限元仿真 单片微波集成电路 异质结双极性晶体管 
L波段硅脉冲功率管52000器件小时的脉冲射频加速寿命试验被引量：7
《固体电子学研究与进展》2011年第5期473-477,共5页王因生 陶有迁 徐全胜 金毓铨 傅义珠 丁晓明 王志楠 
利用红外热像显微测量峰值结温方法对L波段硅脉冲功率晶体管在脉冲射频(f=1.3 GHz,Pin=40 W,τ=150μs,D=10%)和峰值结温220°C条件下进行52 000器件小时的脉冲射频加速寿命试验。由此估算出该功率管在峰值结温125°C和上述RF条件下,器...
关键词：硅微波脉冲功率管 可靠性 寿命试验 峰值结温 
晶体管红外热像图的热谱分析方法被引量：6
《Journal of Semiconductors》2005年第7期1364-1368,共5页朱阳军 苗庆海 张兴华 卢烁今 
国家自然科学基金资助项目(批准号:60476039)~~
使用自编的分析软件,根据比色法对所摄取的晶体管红外热像图进行了热谱分析,给出了晶体管发射区热谱和发射区一维温度分布曲线.一维温度分布曲线给出了整个发射区的结温分布情况,并可直接读取发射区的峰值结温和最低结温,还可以计算出...
关键词：晶体管热谱 峰值结温 红外热像图 归一化面积 
晶体管发射区归一化面积的温度谱被引量：3
《半导体技术》2003年第12期53-56,共4页苗庆海 杜文华 张兴华 吴洪江 张德骏 
国家自然科学基金项目(69946001)
从芯片表面的红外热像图中提取出了发射区热像图,提出了一种定量描述晶体管结温不均匀性的新方法,即发射区热谱分析方法。发射区热谱是发射区归一化面积的温度谱,也就是发射区温度所占有的发射区归一化面积对温度的直方图。本文提供了...
关键词：芯片表面 红外热像图 发射区热像图 晶体管结温不均匀性 发射区热谱 红外热像 峰值结温 
精确预计SiBJT微波功率器件峰值结温的方法
《Journal of Semiconductors》2001年第5期646-651,共6页张鸿欣 
国家自然科学基金资助项目! (698760 2 9)&&
三维全热程热电一体地模拟了 Si BJT微波功率器件 .热场计算包括从芯片的有源区经芯片 -粘接层 -基片 -粘接层 -底座直到固定于 70℃的安装台面的整个散热过程 .在处理热电正反馈时把有源区的 6 0个基本单元 (子胞 )当成 6 0个并联子胞...
关键词：可靠性 热模拟 双极微波功率器件 BJT 峰值结温 硅 
功率晶体管峰值结温电学测量技术中的热模型
《北京工业大学学报》1993年第4期102-107,共6页王明珠 吕长志 高光渤 
电子工业部"七五"科技攻关项目资助
描述了功率晶体管峰值结温电学测量技术中采用的三维两层结构模型,给出其解析解及计算程序框图,用此模型将电学测量的平均结温修正为峰值结温,修正可达10～30℃, 以红外微热像仪测量的热场为标准,峰值电学法的误差小于8％,标准电学法的...
关键词：功率晶体管 峰值结温 电学测量 
大功率晶体管峰值结温试验法与额定功率...
《电子产品可靠性与环境试验》1992年第6期59-60,共2页张华廉 
关键词：功率晶体管 温度 试验 额定功率 
晶体管热敏参数快速筛选时的峰值结温
《半导体杂志》1992年第2期11-13,共3页宋文龙 
关键词：热敏参数 晶体管 筛选 值结温 
二维非等温的分布晶体管模型
《Journal of Semiconductors》1983年第4期361-368,共8页高光渤 吴武臣 
木文提出了一个考虑了晶体管热电反馈效应的分布晶体管直流模型,称之为“二维非等温的分布晶体管模型”. 本模型考虑了基区高注入效应、Kirk效应以及由内基区电阻、发射极金属化电极薄层电阻所引起的电流横向及纵向集边效应,并计入了晶...
关键词：功率晶体管 计算机辅助设计 巨型晶体管 电力电子器件 计算机辅助技术 发射区 峰值结温 集电极电流 基区 发射极 集边效应 非等温 二维 
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