王因生

作品数：36被引量：64H指数：5
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供职机构：南京电子器件研究所更多>>
发文主题：硅功率晶体管硅脉冲功率晶体管L波段微波更多>>
发文领域：电子电信电气工程更多>>
发文期刊：《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》《电子与封装》《电子器件》更多>>
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1.2～1.4GHz 300W宽带硅微波脉冲大功率管被引量：1
《固体电子学研究与进展》2012年第4期356-360,397,共6页王因生 丁晓明 蒋幼泉 傅义珠 王佃利 王志楠 盛国兴 严德圣 
介绍了L波段宽带硅微波脉冲300W大功率晶体管研制结果。该器件采用微波功率管环台面集电极结终端结构、非线性镇流电阻和热稳定等新工艺技术,在1.2～1.4GHz频带内,脉宽150μs,占空比10%和40V工作电压下,全带内脉冲输出功率大于300W,功...
关键词：硅 微波 功率管 镇流电阻 
微波脉冲功率器件瞬态热阻测试研究被引量：13
《固体电子学研究与进展》2012年第1期54-57,共4页丁晓明 王佃利 李相光 蒋幼泉 王因生 黄静 
介绍了功率器件装配过程中控制芯片烧结工艺参数的重要性,用显微红外热像仪测试了器件烧结工艺参数优化前后的微波瞬态热像,由热像测试数据计算出器件的热阻,并对器件的热阻值进行了比较,结果表明,通过烧结工艺参数优化,可以将器件热阻...
关键词：瞬态红外热像 脉冲 结温 热阻 
L波段硅脉冲功率管52000器件小时的脉冲射频加速寿命试验被引量：7
《固体电子学研究与进展》2011年第5期473-477,共5页王因生 陶有迁 徐全胜 金毓铨 傅义珠 丁晓明 王志楠 
利用红外热像显微测量峰值结温方法对L波段硅脉冲功率晶体管在脉冲射频(f=1.3 GHz,Pin=40 W,τ=150μs,D=10%)和峰值结温220°C条件下进行52 000器件小时的脉冲射频加速寿命试验。由此估算出该功率管在峰值结温125°C和上述RF条件下,器...
关键词：硅微波脉冲功率管 可靠性 寿命试验 峰值结温 
硅LDMOS射频功率器件的发展历程与趋势被引量：8
《固体电子学研究与进展》2011年第2期141-146,173,共7页王佃利 刘洪军 吕勇 严德圣 盛国兴 王因生 蒋幼泉 
从芯片结构的变化以及可靠性的提升角度简述了LDMOS射频功率器件的发展历程及趋势,给出了LD-MOS的最新研制结果。现在LDMOS射频功率器件在向高工作电压、高输出功率、高可靠以及脉冲应用等方向发展。
关键词：硅 横向双扩散金属氧化物场效应晶体管 射频 功率 
关于半导体器件热特性表征和控制技术的研究被引量：5
《固体电子学研究与进展》2011年第1期53-55,共3页金毓铨 陶有迁 王因生 韩钧 施传贵 
根据对器件散热特性的分析,提出用特定脉宽的瞬态热阻抗表征器件的稳态散热特性。测量了特定器件热阻与温度的依赖关系,建议在实际工作中注意器件热阻并不为常数的客观事实。提出应力试验前后测量器件热阻可有效控制器件的某些制造缺陷。
关键词：半导体器件 热特性 稳态热阻 瞬态热阻抗 
P波段450W硅LDMOS脉冲功率器件的研制被引量：10
《固体电子学研究与进展》2011年第1期60-64,共5页王佃利 李相光 严德圣 丁小明 刘洪军 钱伟 蒋幼泉 王因生 
报道了P波段450 W硅LDMOS器件的研制结果。所研制器件采用沟槽技术实现背面源结构,采用场板技术提高击穿电压并降低栅漏电容,采用多晶硅金属硅化物结构降低栅阻。研制结果表明,在漏源工作电压36 V,脉宽20 ms,占空比35.7%的测试条件下,48...
关键词：硅 横向双扩散金属氧化物场效应晶体管 脉冲 背面源 场板 硅化钴 
双层金属电极对硅功率晶体管结温的改善被引量：3
《固体电子学研究与进展》2008年第3期383-387,共5页傅义珠 戴学梅 康小虎 盛国兴 叶宗祥 方圆 王因生 王佃利 吴鹏 
通过红外热相分析发现,在直流工作条件下,双层金属电极硅功率晶体管芯片比单层金属电极的结温低10℃以上;在微波工作条件下,双层金属电极芯片的结温比单层金属电极的低43.7℃。试验结果表明,双层金属电极能够改善硅微波功率晶体管芯片...
关键词：微波 功率晶体管 结温 热阻 
1．46～1．66GHz 250W宽带硅微波脉冲大功率管被引量：6
《Journal of Semiconductors》2008年第5期965-969,共5页王因生 李相光 傅义珠 王佃利 丁晓明 盛国兴 康小虎 
报道了L波段高端中脉冲250W宽带硅微波脉冲大功率晶体管研制结果．该器件采用微波功率管环台面集电极结终端结构、非线性镇流电阻等新工艺技术，器件在1．46～1．66GHz频带内，脉宽200μs，占空比10％和40V工作电压下，全带内脉冲输出...
关键词：硅 微波 功率管 
对功率器件击穿电压的模拟优化被引量：1
《电子与封装》2007年第10期40-43,共4页赵普社 王因生 傅义珠 
文章分析了微波功率器件的特点及其对器件击穿电压的影响,并在此基础上通过采用扩散保护环和耗尽区腐蚀两种方法来提高器件的击穿电压。文中对两种方法的相关参数进行了模拟优化,最终在浓度和厚度分别为9×1015cm-3和3μm的外延材料上...
关键词：硅功率器件 击穿电压 扩散保护环 耗尽区腐蚀 
4.4～4.8GHz 15W硅脉冲功率晶体管
《固体电子学研究与进展》2007年第2期285-,共1页赵普社 王因生 李相光 傅义珠 
关键词：微波功率晶体管 器件 输出功率 发射极 脉冲管 
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