硅LDMOS射频功率器件的发展历程与趋势  

The Development Course and Trend of Silicon LDMOS RF Power Device

作　　者：王佃利[1] 刘洪军[1] 吕勇[1] 严德圣[1] 盛国兴[1] 王因生[1] 蒋幼泉[1] 

机构地区：[1]南京电子器件研究所,南京210016

出　　处：《固体电子学研究与进展》2011年第2期141-146,173,共7页Research & Progress of SSE

摘　　要：从芯片结构的变化以及可靠性的提升角度简述了LDMOS射频功率器件的发展历程及趋势,给出了LD-MOS的最新研制结果。现在LDMOS射频功率器件在向高工作电压、高输出功率、高可靠以及脉冲应用等方向发展。A brief introduction is given to the development course and trend of silicon LDMOS RF power device,and the latest development result of silicon LDMOS RF power device is presented.The development of silicon LDMOS RF power device towards a higher operation voltage,higher output power,higher reliability and a pulse application prospect.

关 键 词：硅 横向双扩散金属氧化物场效应晶体管 射频 功率 

分 类 号：TN385[电子电信—物理电子学] TN386.1