赵普社

作品数：2被引量：1H指数：1
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供职机构：南京电子器件研究所更多>>
发文主题：硅功率器件功率器件击穿电压发射极硅脉冲功率晶体管更多>>
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对功率器件击穿电压的模拟优化被引量：1
《电子与封装》2007年第10期40-43,共4页赵普社 王因生 傅义珠 
文章分析了微波功率器件的特点及其对器件击穿电压的影响,并在此基础上通过采用扩散保护环和耗尽区腐蚀两种方法来提高器件的击穿电压。文中对两种方法的相关参数进行了模拟优化,最终在浓度和厚度分别为9×1015cm-3和3μm的外延材料上...
关键词：硅功率器件 击穿电压 扩散保护环 耗尽区腐蚀 
4.4～4.8GHz 15W硅脉冲功率晶体管
《固体电子学研究与进展》2007年第2期285-,共1页赵普社 王因生 李相光 傅义珠 
关键词：微波功率晶体管 器件 输出功率 发射极 脉冲管 
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